Результат пошуку "6N80" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQB6N80TM | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Power dissipation: 158W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.2A Power dissipation: 158W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 3738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N80C | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF6N80C | onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF6N80C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
HI1206N800R-10 | Laird Performance Materials | Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD |
на замовлення 58895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HI1206N800R-10 | LAIRD | Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH16N80P | IXYS | MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 707-716 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA6N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD6N80AE-GE3 | Vishay | Power MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD6N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252) |
на замовлення 4219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD6N80E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP6N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP6N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHU6N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251) |
на замовлення 5773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 3407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 33804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD06N80C3ATMA1 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 83W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 49858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP06N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB6N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP6N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 237-246 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 265 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML06N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DD106N800K | AEG | 05+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DD76N800K | AEG | 05+ |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT36N800KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT46N800KOC | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT56N800KOF | AEG | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N80 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
HI1206N800R-00 |
на замовлення 1047000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HI1206N800R-10 | STEWARD | 06+ |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MTM6N80 | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MTM6N80E | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MTY16N80E |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SDH16N80P | SW | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SDL16N80P | SW | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD6N80C3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSH6N80 |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSP6N80A |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSS6N80 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSS6N80A |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
FQB6N80TM |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.97 грн |
FQP6N80C |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.12 грн |
10+ | 85.89 грн |
26+ | 81.08 грн |
FQP6N80C |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.71 грн |
3+ | 144.7 грн |
10+ | 103.06 грн |
26+ | 97.29 грн |
FQP6N80C |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.99 грн |
10+ | 131.99 грн |
100+ | 93.66 грн |
250+ | 92.35 грн |
500+ | 79.15 грн |
1000+ | 63.78 грн |
5000+ | 62.33 грн |
FQP6N80C |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.57 грн |
FQP6N80C |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 38.54 грн |
FQPF6N80C |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.97 грн |
10+ | 94.06 грн |
100+ | 67.28 грн |
500+ | 62.6 грн |
1000+ | 59.43 грн |
FQPF6N80C |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)HI1206N800R-10 |
Виробник: Laird Performance Materials
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 58895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.01 грн |
37+ | 8.34 грн |
100+ | 6.46 грн |
250+ | 5.47 грн |
500+ | 4.82 грн |
1000+ | 4.09 грн |
3000+ | 3.96 грн |
HI1206N800R-10 |
Виробник: LAIRD
Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 3.61 грн |
IXFH16N80P |
Виробник: IXYS
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 707-716 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 639.49 грн |
10+ | 540.09 грн |
30+ | 426.11 грн |
120+ | 391.81 грн |
270+ | 368.72 грн |
SIHA6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.12 грн |
10+ | 91.03 грн |
100+ | 61.34 грн |
500+ | 52.18 грн |
1000+ | 42.87 грн |
2500+ | 40.9 грн |
5000+ | 40.57 грн |
SIHB6N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.31 грн |
10+ | 156.26 грн |
100+ | 108.18 грн |
250+ | 99.6 грн |
500+ | 90.37 грн |
1000+ | 74.54 грн |
2000+ | 73.88 грн |
SIHD6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 36.09 грн |
SIHD6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 90.81 грн |
10+ | 60.46 грн |
100+ | 44.46 грн |
500+ | 40.3 грн |
1000+ | 32.32 грн |
3000+ | 32.06 грн |
SIHD6N80E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.21 грн |
10+ | 119.85 грн |
100+ | 83.11 грн |
250+ | 75.86 грн |
500+ | 69.26 грн |
1000+ | 60.22 грн |
SIHP6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.97 грн |
10+ | 94.06 грн |
100+ | 63.78 грн |
500+ | 53.89 грн |
1000+ | 43.8 грн |
2000+ | 41.23 грн |
5000+ | 39.25 грн |
SIHP6N80E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.53 грн |
10+ | 119.09 грн |
100+ | 89.71 грн |
250+ | 86.41 грн |
500+ | 83.11 грн |
1000+ | 82.45 грн |
2500+ | 80.47 грн |
SIHP6N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.53 грн |
10+ | 137.3 грн |
100+ | 94.98 грн |
250+ | 88.39 грн |
500+ | 79.81 грн |
1000+ | 65.96 грн |
2000+ | 65.04 грн |
SIHU6N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 98.5 грн |
10+ | 80.41 грн |
100+ | 54.02 грн |
500+ | 45.78 грн |
1000+ | 37.27 грн |
3000+ | 36.28 грн |
6000+ | 35.55 грн |
SPA06N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.6 грн |
10+ | 125.16 грн |
100+ | 85.75 грн |
250+ | 82.45 грн |
500+ | 69.92 грн |
1000+ | 61.94 грн |
2500+ | 58.97 грн |
SPA06N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.21 грн |
10+ | 110.75 грн |
100+ | 80.47 грн |
250+ | 79.15 грн |
500+ | 72.56 грн |
1000+ | 58.97 грн |
2500+ | 58.9 грн |
SPD06N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 52.18 грн |
SPD06N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 33804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.6 грн |
10+ | 91.03 грн |
100+ | 77.83 грн |
250+ | 77.17 грн |
500+ | 67.94 грн |
1000+ | 57.52 грн |
2500+ | 54.68 грн |
SPD06N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 164.05 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.48 грн |
8+ | 103.06 грн |
22+ | 96.88 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.01 грн |
3+ | 173.81 грн |
8+ | 123.68 грн |
22+ | 116.26 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 148.52 грн |
10+ | 121.37 грн |
100+ | 83.77 грн |
250+ | 77.83 грн |
500+ | 69.92 грн |
1000+ | 60.49 грн |
2500+ | 57.39 грн |
SPP06N80C3 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 60.83 грн |
SPP06N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 49858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.25 грн |
SPP06N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.75 грн |
10+ | 98.61 грн |
100+ | 74.54 грн |
500+ | 65.63 грн |
1000+ | 57.39 грн |
2500+ | 57.06 грн |
5000+ | 55.67 грн |
STB6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 155.45 грн |
10+ | 127.44 грн |
100+ | 88.39 грн |
250+ | 76.51 грн |
500+ | 63.78 грн |
1000+ | 59.83 грн |
2000+ | 57.91 грн |
STB6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 62.33 грн |
STD6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 156.22 грн |
10+ | 128.19 грн |
100+ | 89.05 грн |
250+ | 85.09 грн |
500+ | 74.54 грн |
1000+ | 63.78 грн |
2500+ | 60.35 грн |
STP6N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 237-246 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.28 грн |
10+ | 117.58 грн |
100+ | 92.35 грн |
250+ | 90.37 грн |
500+ | 87.73 грн |
1000+ | 69.26 грн |
WMK06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.59 грн |
6+ | 57.85 грн |
10+ | 46.38 грн |
34+ | 23.57 грн |
93+ | 22.26 грн |
WMK06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 89.5 грн |
4+ | 72.09 грн |
10+ | 55.65 грн |
34+ | 28.28 грн |
93+ | 26.71 грн |
WML06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 54.76 грн |
10+ | 38.13 грн |
25+ | 33.67 грн |
27+ | 29.89 грн |
74+ | 28.24 грн |
WML06N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.71 грн |
6+ | 47.52 грн |
25+ | 40.4 грн |
27+ | 35.87 грн |
74+ | 33.89 грн |
500+ | 33.56 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]