Результат пошуку "6n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STF16N65M5
Код товару: 201571 		en.CD00218186.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
очікується: 5 шт
IGD06N65T6ARMA1 IGD06N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD06N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3011101.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.71 грн
10+ 92.96 грн
100+ 64.21 грн
250+ 59.28 грн
500+ 53.76 грн
1000+ 46.07 грн
3000+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N65ET6-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3574c70dd8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.78 грн
6000+ 57.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IKD06N65ET6ARMA1 IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD06N65ET6-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3574c70dd8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.2 грн
10+ 109.6 грн
100+ 87.23 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 58.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 IKD06N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD06N65ET6_DataSheet_v02_02_EN-3361965.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.71 грн
10+ 111.1 грн
100+ 76.89 грн
250+ 70.98 грн
500+ 64.21 грн
1000+ 55.4 грн
3000+ 52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH26N65X2 IXFH26N65X2 IXYS media-3323918.pdf MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+824.99 грн
10+ 730.83 грн
30+ 626.3 грн
60+ 613.82 грн
IXFH26N65X2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.45 грн
30+ 581.77 грн
120+ 547.55 грн
510+ 465.68 грн
1020+ 427.14 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS IXFH46N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS media-3322517.pdf MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.89 грн
10+ 625.78 грн
30+ 493.55 грн
120+ 452.8 грн
270+ 431.77 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.05 грн
30+ 523.79 грн
120+ 468.65 грн
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.96 грн
10+ 503.23 грн
300+ 394.68 грн
IXFH46N65X3 IXFH46N65X3 IXYS media-3320569.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.45 грн
10+ 559.27 грн
30+ 443.6 грн
IXFP26N65X2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf IXFP26N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+715.71 грн
3+ 435.39 грн
7+ 411.57 грн
IXFP26N65X2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf Description: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.73 грн
50+ 482.26 грн
100+ 431.49 грн
500+ 357.3 грн
IXFP26N65X2 IXFP26N65X2 IXYS media-3323918.pdf MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.85 грн
10+ 575.9 грн
50+ 456.75 грн
KSM6----N6--5-- KSM6----N6--5-- Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.67 грн
5+ 103.51 грн
10+ 93.17 грн
25+ 77.68 грн
50+ 69.94 грн
100+ 67.99 грн
250+ 64.96 грн
500+ 63.05 грн
1000+ 57.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.66 грн
75+ 78.68 грн
150+ 64.74 грн
525+ 51.41 грн
1050+ 43.62 грн
2025+ 41.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N65E-GE3 SIHD6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihd6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.54 грн
10+ 76.33 грн
100+ 55.6 грн
250+ 54.42 грн
500+ 49.22 грн
1000+ 44.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHF6N65E-GE3 SIHF6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.91 грн
10+ 137.55 грн
100+ 95.29 грн
250+ 88.06 грн
500+ 80.18 грн
1000+ 67.03 грн
2000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ6N65E-T1-GE3 SIHJ6N65E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihj6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.44 грн
10+ 120.17 грн
100+ 82.81 грн
250+ 76.23 грн
500+ 69.66 грн
1000+ 59.41 грн
3000+ 57.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N65E-GE3 SIHP6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.74 грн
10+ 122.43 грн
100+ 84.12 грн
250+ 78.21 грн
500+ 70.98 грн
1000+ 58.95 грн
2000+ 57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU6N65E-GE3 SIHU6N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihu6n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.31 грн
10+ 95.98 грн
75+ 65.72 грн
300+ 61.05 грн
525+ 55.47 грн
1050+ 47.51 грн
2550+ 45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N65K3 STB6N65K3 STMicroelectronics MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.44 грн
10+ 81.62 грн
100+ 55.14 грн
500+ 46.73 грн
1000+ 37.99 грн
2000+ 35.75 грн
5000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.05 грн
10+ 111.65 грн
100+ 88.83 грн
500+ 70.54 грн
1000+ 59.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140850.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M2 STD16N65M2 STMicroelectronics std16n65m2-1850321.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+155.64 грн
10+ 126.97 грн
100+ 88.06 грн
500+ 74.26 грн
1000+ 61.71 грн
2500+ 58.56 грн
5000+ 56.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+182.83 грн
5+ 149.24 грн
7+ 130.07 грн
17+ 123.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5-1850551.pdf MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.78 грн
10+ 172.32 грн
100+ 120.92 грн
250+ 116.98 грн
500+ 107.78 грн
1000+ 93.32 грн
2500+ 86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics std16n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 STD16N65M5 STMicroelectronics en.CD00288956.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.23 грн
10+ 154.71 грн
100+ 125.15 грн
500+ 104.4 грн
1000+ 89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics stb6n65m2-1850048.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.61 грн
10+ 77.84 грн
100+ 52.77 грн
500+ 44.69 грн
1000+ 36.41 грн
2500+ 34.24 грн
5000+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD6N65M2 STD6N65M2 STMicroelectronics en.DM00127825.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.57 грн
10+ 70.1 грн
100+ 54.51 грн
500+ 43.36 грн
1000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.39 грн
10+ 79.41 грн
28+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+163.67 грн
10+ 98.96 грн
28+ 90.36 грн
500+ 87.9 грн
1000+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics stf16n65m2-1850541.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.21 грн
10+ 97.49 грн
100+ 74.92 грн
500+ 67.03 грн
1000+ 62.37 грн
2000+ 57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 STF16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140952.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.47 грн
50+ 109.93 грн
100+ 90.45 грн
500+ 71.82 грн
1000+ 60.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.74 грн
3+ 169.77 грн
6+ 133.49 грн
17+ 126.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+243.29 грн
3+ 211.57 грн
6+ 160.19 грн
17+ 151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.45 грн
50+ 156.71 грн
100+ 134.33 грн
500+ 112.06 грн
1000+ 95.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5 STMicroelectronics stf16n65m5-1850542.pdf MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 12101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+155.64 грн
10+ 150.4 грн
25+ 112.38 грн
100+ 99.89 грн
250+ 99.24 грн
500+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF26N65DM2 STMicroelectronics stf26n65dm2-1850822.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.45 грн
10+ 216.15 грн
25+ 161.67 грн
100+ 143.92 грн
250+ 137.35 грн
500+ 130.12 грн
1000+ 115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics cd0029732.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
STF6N65K3 STF6N65K3 STMicroelectronics stf6n65k3-1850651.pdf MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.15 грн
10+ 91.45 грн
100+ 68.35 грн
250+ 62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65M2 STF6N65M2 STMicroelectronics stf6n65m2-1379793.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.41 грн
10+ 89.18 грн
100+ 60.33 грн
500+ 52.12 грн
1000+ 42.45 грн
2000+ 39.17 грн
5000+ 37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics en.DM00141948.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150 грн
10+ 119.66 грн
100+ 95.27 грн
500+ 75.65 грн
1000+ 64.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 STL16N65M2 STMicroelectronics stl16n65m2-1851064.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 250-259 дні (днів)
2+161.78 грн
10+ 133.02 грн
100+ 92.01 грн
250+ 84.78 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 65.72 грн
3000+ 62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M2 STP16N65M2 STMicroelectronics stp16n65m2-1851504.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.08 грн
10+ 95.23 грн
100+ 74.26 грн
1000+ 62.37 грн
5000+ 61.12 грн
10000+ 59.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics en.CD00218186.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.74 грн
50+ 156.38 грн
100+ 134.03 грн
500+ 111.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics 1684623289557307cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 ST en.CD00218186.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP16N65M5 STP16N65M5 STMicroelectronics stf16n65m5-1850542.pdf MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 900 шт:
термін постачання 333-342 дні (днів)
2+222.35 грн
10+ 184.41 грн
25+ 151.15 грн
100+ 129.47 грн
250+ 122.24 грн
500+ 115.67 грн
1000+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP26N65DM2 STP26N65DM2 STMicroelectronics stp26n65dm2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.25 грн
10+ 176.69 грн
100+ 142.95 грн
500+ 119.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics stp16n65m2-1851504.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.01 грн
10+ 127.73 грн
100+ 92.01 грн
250+ 84.12 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 62.37 грн
3000+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 STU16N65M2 STMicroelectronics en.DM00140964.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+148.58 грн
75+ 114.84 грн
150+ 94.49 грн
525+ 75.04 грн
1050+ 63.67 грн
2025+ 60.48 грн
5025+ 57.26 грн
10050+ 55.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N65M2 STU6N65M2 STMicroelectronics stf6n65m2-1379793.pdf MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.44 грн
10+ 49.58 грн
100+ 36.67 грн
500+ 33.39 грн
1000+ 28.65 грн
3000+ 26.16 грн
6000+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW56N65DM2 STW56N65DM2 STMicroelectronics stw56n65dm2-1852254.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.26 грн
10+ 717.23 грн
25+ 529.7 грн
100+ 484.35 грн
250+ 450.18 грн
600+ 398.92 грн
1200+ 395.63 грн
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics en.DM00151747.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.99 грн
30+ 440.34 грн
120+ 394 грн
STW56N65M2 STW56N65M2 STMicroelectronics stw56n65m2-1852163.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.58 грн
10+ 545.67 грн
25+ 414.69 грн
100+ 381.17 грн
250+ 336.48 грн
600+ 301.65 грн
1200+ 288.51 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba TRS16N65FB_datasheet_en_20200703-1891865.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.53 грн
10+ 303.06 грн
120+ 241.85 грн
270+ 240.53 грн
510+ 218.84 грн
1020+ 177.44 грн
2520+ 176.78 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.71 грн
30+ 298.98 грн
120+ 256.28 грн
STF16N65M5
Код товару: 201571		 en.CD00218186.pdf
Мікросхеми > Інші мікросхеми
очікується: 5 шт
IGD06N65T6ARMA1 Infineon_IGD06N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3011101.pdf
IGD06N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.71 грн
10+ 92.96 грн
100+ 64.21 грн
250+ 59.28 грн
500+ 53.76 грн
1000+ 46.07 грн
3000+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 Infineon-IKD06N65ET6-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3574c70dd8
IKD06N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+61.78 грн
6000+ 57.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IKD06N65ET6ARMA1 Infineon-IKD06N65ET6-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3574c70dd8
IKD06N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
на замовлення 7758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.2 грн
10+ 109.6 грн
100+ 87.23 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 58.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD06N65ET6ARMA1 Infineon_IKD06N65ET6_DataSheet_v02_02_EN-3361965.pdf
IKD06N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.71 грн
10+ 111.1 грн
100+ 76.89 грн
250+ 70.98 грн
500+ 64.21 грн
1000+ 55.4 грн
3000+ 52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH26N65X2 media-3323918.pdf
IXFH26N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+824.99 грн
10+ 730.83 грн
30+ 626.3 грн
60+ 613.82 грн
IXFH26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: IXFH26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+746.45 грн
30+ 581.77 грн
120+ 547.55 грн
510+ 465.68 грн
1020+ 427.14 грн
IXFH46N65X2 IXFH46N65X2.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH46N65X2 media-3322517.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+739.89 грн
10+ 625.78 грн
30+ 493.55 грн
120+ 452.8 грн
270+ 431.77 грн
IXFH46N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh46n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXFH46N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+681.05 грн
30+ 523.79 грн
120+ 468.65 грн
IXFH46N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=10fd64af-6607-473b-bf9b-80b18b016da4&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh46n65x3-datasheet
IXFH46N65X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 46A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+609.96 грн
10+ 503.23 грн
300+ 394.68 грн
IXFH46N65X3 media-3320569.pdf
IXFH46N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 46A 650V X3 TO
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.45 грн
10+ 559.27 грн
30+ 443.6 грн
IXFP26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
IXFP26N65X2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+715.71 грн
3+ 435.39 грн
7+ 411.57 грн
IXFP26N65X2 media?resourcetype=datasheets&itemid=f86fd484-1170-4f6c-9877-b6f365994bed&filename=littelfuse_discrete_mosfets_ixf_26n65x2_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Description: IXFP26N65X2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+627.73 грн
50+ 482.26 грн
100+ 431.49 грн
500+ 357.3 грн
IXFP26N65X2 media-3323918.pdf
IXFP26N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET DISCRETE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+680.85 грн
10+ 575.9 грн
50+ 456.75 грн
KSM6----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSM6----N6--5--
Виробник: Essentra Components
Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M6
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
Part Status: Active
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.67 грн
5+ 103.51 грн
10+ 93.17 грн
25+ 77.68 грн
50+ 69.94 грн
100+ 67.99 грн
250+ 64.96 грн
500+ 63.05 грн
1000+ 57.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.66 грн
75+ 78.68 грн
150+ 64.74 грн
525+ 51.41 грн
1050+ 43.62 грн
2025+ 41.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N65E-GE3 sihd6n65e.pdf
SIHD6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.54 грн
10+ 76.33 грн
100+ 55.6 грн
250+ 54.42 грн
500+ 49.22 грн
1000+ 44.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHF6N65E-GE3 sihf6n65e.pdf
SIHF6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.91 грн
10+ 137.55 грн
100+ 95.29 грн
250+ 88.06 грн
500+ 80.18 грн
1000+ 67.03 грн
2000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ6N65E-T1-GE3 sihj6n65e.pdf
SIHJ6N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.44 грн
10+ 120.17 грн
100+ 82.81 грн
250+ 76.23 грн
500+ 69.66 грн
1000+ 59.41 грн
3000+ 57.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N65E-GE3 sihp6n65e.pdf
SIHP6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.74 грн
10+ 122.43 грн
100+ 84.12 грн
250+ 78.21 грн
500+ 70.98 грн
1000+ 58.95 грн
2000+ 57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHU6N65E-GE3 sihu6n65e.pdf
SIHU6N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.31 грн
10+ 95.98 грн
75+ 65.72 грн
300+ 61.05 грн
525+ 55.47 грн
1050+ 47.51 грн
2550+ 45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N65K3
STB6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.44 грн
10+ 81.62 грн
100+ 55.14 грн
500+ 46.73 грн
1000+ 37.99 грн
2000+ 35.75 грн
5000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.05 грн
10+ 111.65 грн
100+ 88.83 грн
500+ 70.54 грн
1000+ 59.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M2 en.DM00140850.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M2 std16n65m2-1850321.pdf
STD16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.64 грн
10+ 126.97 грн
100+ 88.06 грн
500+ 74.26 грн
1000+ 61.71 грн
2500+ 58.56 грн
5000+ 56.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 12A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+182.83 грн
5+ 149.24 грн
7+ 130.07 грн
17+ 123.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N65M5 std16n65m5-1850551.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.78 грн
10+ 172.32 грн
100+ 120.92 грн
250+ 116.98 грн
500+ 107.78 грн
1000+ 93.32 грн
2500+ 86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD16N65M5 std16n65m5.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+105.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD16N65M5 en.CD00288956.pdf
STD16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.23 грн
10+ 154.71 грн
100+ 125.15 грн
500+ 104.4 грн
1000+ 89.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N65M2 stb6n65m2-1850048.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.61 грн
10+ 77.84 грн
100+ 52.77 грн
500+ 44.69 грн
1000+ 36.41 грн
2500+ 34.24 грн
5000+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD6N65M2 en.DM00127825.pdf
STD6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.57 грн
10+ 70.1 грн
100+ 54.51 грн
500+ 43.36 грн
1000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.39 грн
10+ 79.41 грн
28+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.67 грн
10+ 98.96 грн
28+ 90.36 грн
500+ 87.9 грн
1000+ 87.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M2 stf16n65m2-1850541.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.21 грн
10+ 97.49 грн
100+ 74.92 грн
500+ 67.03 грн
1000+ 62.37 грн
2000+ 57.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M2 en.DM00140952.pdf
STF16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.47 грн
50+ 109.93 грн
100+ 90.45 грн
500+ 71.82 грн
1000+ 60.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.74 грн
3+ 169.77 грн
6+ 133.49 грн
17+ 126.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 STF16N65M5.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.279Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.29 грн
3+ 211.57 грн
6+ 160.19 грн
17+ 151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 en.CD00218186.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.45 грн
50+ 156.71 грн
100+ 134.33 грн
500+ 112.06 грн
1000+ 95.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF16N65M5 stf16n65m5-1850542.pdf
STF16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
на замовлення 12101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.64 грн
10+ 150.4 грн
25+ 112.38 грн
100+ 99.89 грн
250+ 99.24 грн
500+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF26N65DM2 stf26n65dm2-1850822.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.45 грн
10+ 216.15 грн
25+ 161.67 грн
100+ 143.92 грн
250+ 137.35 грн
500+ 130.12 грн
1000+ 115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65K3 cd0029732.pdf
STF6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
STF6N65K3 stf6n65k3-1850651.pdf
STF6N65K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.15 грн
10+ 91.45 грн
100+ 68.35 грн
250+ 62.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N65M2 stf6n65m2-1379793.pdf
STF6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.41 грн
10+ 89.18 грн
100+ 60.33 грн
500+ 52.12 грн
1000+ 42.45 грн
2000+ 39.17 грн
5000+ 37.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL16N65M2 en.DM00141948.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150 грн
10+ 119.66 грн
100+ 95.27 грн
500+ 75.65 грн
1000+ 64.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL16N65M2 stl16n65m2-1851064.pdf
STL16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 250-259 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.78 грн
10+ 133.02 грн
100+ 92.01 грн
250+ 84.78 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 65.72 грн
3000+ 62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M2 stp16n65m2-1851504.pdf
STP16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.08 грн
10+ 95.23 грн
100+ 74.26 грн
1000+ 62.37 грн
5000+ 61.12 грн
10000+ 59.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.74 грн
50+ 156.38 грн
100+ 134.03 грн
500+ 111.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP16N65M5 1684623289557307cd002.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP16N65M5 en.CD00218186.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP16N65M5 stf16n65m5-1850542.pdf
STP16N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
на замовлення 900 шт:
термін постачання 333-342 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.35 грн
10+ 184.41 грн
25+ 151.15 грн
100+ 129.47 грн
250+ 122.24 грн
500+ 115.67 грн
1000+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP26N65DM2 stp26n65dm2.pdf
STP26N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.25 грн
10+ 176.69 грн
100+ 142.95 грн
500+ 119.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 stp16n65m2-1851504.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.01 грн
10+ 127.73 грн
100+ 92.01 грн
250+ 84.12 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 62.37 грн
3000+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU16N65M2 en.DM00140964.pdf
STU16N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 100 V
на замовлення 10491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.58 грн
75+ 114.84 грн
150+ 94.49 грн
525+ 75.04 грн
1050+ 63.67 грн
2025+ 60.48 грн
5025+ 57.26 грн
10050+ 55.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STU6N65M2 stf6n65m2-1379793.pdf
STU6N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.44 грн
10+ 49.58 грн
100+ 36.67 грн
500+ 33.39 грн
1000+ 28.65 грн
3000+ 26.16 грн
6000+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW56N65DM2 stw56n65dm2-1852254.pdf
STW56N65DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+791.26 грн
10+ 717.23 грн
25+ 529.7 грн
100+ 484.35 грн
250+ 450.18 грн
600+ 398.92 грн
1200+ 395.63 грн
STW56N65M2 en.DM00151747.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+572.99 грн
30+ 440.34 грн
120+ 394 грн
STW56N65M2 stw56n65m2-1852163.pdf
STW56N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+622.58 грн
10+ 545.67 грн
25+ 414.69 грн
100+ 381.17 грн
250+ 336.48 грн
600+ 301.65 грн
1200+ 288.51 грн
TRS16N65FB,S1Q TRS16N65FB_datasheet_en_20200703-1891865.pdf
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+425.53 грн
10+ 303.06 грн
120+ 241.85 грн
270+ 240.53 грн
510+ 218.84 грн
1020+ 177.44 грн
2520+ 176.78 грн
TRS16N65FB,S1Q
TRS16N65FB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.71 грн
30+ 298.98 грн
120+ 256.28 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]