Результат пошуку "6n90" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
6N90 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AOTF6N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.9A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF6N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 3.9A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 979 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP6N90C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQP6N90C | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF6N90C | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 197 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN56N90P | IXYS | Discrete Semiconductor Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 601-610 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB16N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD6N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 2103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 29.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF16N90K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 9A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 29.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF16N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF6N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STI6N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP6N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STU6N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW6N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 3357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK6N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMK6N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 362 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML6N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 86.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML6N90D1 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 86.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 323 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML6N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML6N90D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
XR-A6N9-0204D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30] |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CAT28C256N-90 |
на замовлення 589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQA6N90 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQA6N90C_F109 | FAIRCHILD |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQB6N90 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N90 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB6N90 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQP6N90 | FSC | 09+ SOT23-.. |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF6N90 | FAIRCHIL | 09+ SOP |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GL256N90FFIR1 | SPANSION | BGA 09+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFM6N90 | IXY |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXFN26N90 | IXYS |
на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXFN26N90 | IXYS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFN26N90 | IXYS | MODULE |
на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
LH52256N-90L | 09+ |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
LH52256N-90L |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LH52256N-90LL |
на замовлення 1580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LH52256N90L | SHARP |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
LH52256N90LL | SHARP |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MTH6N90 |
на замовлення 4004 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MTM6N90 | MOTOROLA |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
S29GL256N90 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10 | SPANSION | 06+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10 | SPANSION | 06+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10 | SPANSION | BGA |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10A | SPANSION | BGA |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90FFIR10E |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL256N90TEIR2 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL256N90TFI01 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL256N90TFI010 | SPANSION | 06+ |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90TFI010 | SPANSION | 06+ |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90TFIR1 | SPANSION | TSOP56 |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90TFIR10 | SPANSION | 05+ |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256N90TFIR10 | SPANSION |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
S29GL256N90TFIR10. |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL256N90TFIR10H | SPANSION | 08+ TSOP-56 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
AOTF6N90 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.87 грн |
6+ | 63.83 грн |
17+ | 49.41 грн |
45+ | 46.67 грн |
AOTF6N90 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.9A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.9A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 979 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.24 грн |
5+ | 79.54 грн |
17+ | 59.3 грн |
45+ | 56 грн |
FQP6N90C |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FQP6N90C |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C; FQP6N90C TFQP6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 116.12 грн |
FQPF6N90C |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 88.93 грн |
IXFN56N90P |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
Discrete Semiconductor Modules PolarHV HiPerFETs 900V 56A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 601-610 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4213.02 грн |
10+ | 3775.51 грн |
STB16N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 367.42 грн |
10+ | 327.32 грн |
25+ | 267.49 грн |
100+ | 240.48 грн |
250+ | 226.64 грн |
500+ | 214.79 грн |
1000+ | 182.5 грн |
STD6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 185.25 грн |
10+ | 151.54 грн |
100+ | 105.42 грн |
250+ | 100.8 грн |
500+ | 88.29 грн |
1000+ | 75.11 грн |
2500+ | 71.81 грн |
STF16N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 441.98 грн |
3+ | 305.4 грн |
8+ | 288.25 грн |
STF16N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 900V; 9A; Idm: 60A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 530.38 грн |
3+ | 380.58 грн |
8+ | 345.9 грн |
STF16N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 900 V, 280 mOhm typ 15 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 440.44 грн |
10+ | 376.57 грн |
25+ | 299.12 грн |
100+ | 261.56 грн |
500+ | 232.57 грн |
1000+ | 195.02 грн |
2000+ | 183.16 грн |
STF6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
MOSFET 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.58 грн |
10+ | 125.02 грн |
100+ | 89.6 грн |
250+ | 86.97 грн |
500+ | 75.11 грн |
1000+ | 63.71 грн |
2000+ | 60.61 грн |
STI6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.64 грн |
10+ | 135.62 грн |
100+ | 97.51 грн |
250+ | 83.67 грн |
1000+ | 67.86 грн |
2000+ | 64.37 грн |
5000+ | 62.52 грн |
STP6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.9 грн |
10+ | 111.38 грн |
100+ | 79.72 грн |
250+ | 75.77 грн |
500+ | 67.2 грн |
1000+ | 58.31 грн |
2000+ | 54.22 грн |
STU6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.22 грн |
10+ | 95.47 грн |
100+ | 74.45 грн |
250+ | 64.96 грн |
500+ | 62.52 грн |
1000+ | 57.39 грн |
3000+ | 55.61 грн |
STW6N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ 6 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.08 грн |
10+ | 125.02 грн |
100+ | 96.19 грн |
250+ | 86.97 грн |
600+ | 76.43 грн |
1200+ | 74.45 грн |
WMK6N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 51.74 грн |
11+ | 32.46 грн |
42+ | 19.15 грн |
115+ | 18.12 грн |
WMK6N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.08 грн |
10+ | 40.45 грн |
42+ | 22.98 грн |
115+ | 21.74 грн |
2000+ | 20.92 грн |
WML6N90D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.17 грн |
10+ | 46.33 грн |
22+ | 36.31 грн |
61+ | 34.32 грн |
WML6N90D1 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 323 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 67.41 грн |
10+ | 57.73 грн |
22+ | 43.57 грн |
61+ | 41.18 грн |
2000+ | 39.61 грн |
WML6N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 51.74 грн |
11+ | 32.46 грн |
42+ | 19.15 грн |
115+ | 18.12 грн |
WML6N90D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.08 грн |
10+ | 40.45 грн |
42+ | 22.98 грн |
115+ | 21.74 грн |
2000+ | 20.92 грн |
XR-A6N9-0204D |
Виробник: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
Signal Conditioning Low Pass Filter, LFCN-3400D-1+ [PCB: 30]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5622.74 грн |
10+ | 5404.52 грн |
Транзистор польовий FQP6N90C 6A 900V N-ch TO-220 |
на замовлення 23 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 46.63 грн |
S29GL256N90TFIR10H |
Виробник: SPANSION
08+ TSOP-56
08+ TSOP-56
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]