Результат пошуку "7n80" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPA17N80C3 Код товару: 29151 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91 Монтаж: THT |
у наявності: 44 шт
|
|
|||||||||||||||
SPB17N80C3 Код товару: 37324 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 800 V Idd,A: 11 А Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88 Монтаж: SMD |
у наявності: 18 шт
|
|
|||||||||||||||
167N80 | Hammond Manufacturing | Power Transformers Power transformer, low voltage, enclosed chassis mount, 320VA 115 80VCT |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA7N80P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA7N80P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP7N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP7N80P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.44Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP7N80P | IXYS | MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX27N80Q | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX27N80Q | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CHANNEL |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA17N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CHANNEL |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB17N80E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 7459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CHANNEL |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG17N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG17N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP17N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CHANNEL |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP17N80AEF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 800V |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP17N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V N-CH MOSFET |
на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP17N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA17N80C3XK | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPA17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPB17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A Power dissipation: 227W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 503 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPB17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 |
на замовлення 7740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPB17N80C3 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPB17N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3 |
на замовлення 9096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 208W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPP17N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW17N80C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW17N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW17N80C3A | Infineon | MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 6230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB17N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5 |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF17N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5 |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STL7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP17N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP17N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP17N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP7N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP7N80K5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP7N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP7N80K5 | ST |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP7N80K5 TSTP7N80K5 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STU7N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML07N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.8A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML07N80M3 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.8A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
17N80C3 | INFINEON | 09+ 3/TO220 |
на замовлення 2048 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
APT17N80BC3 | APT |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
APT17N80SC3 |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQA7N80 | Fairchild |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SPA17N80C3 Код товару: 29151 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2320/91
Монтаж: THT
у наявності: 44 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 132 грн |
SPB17N80C3 Код товару: 37324 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 А
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
у наявності: 18 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 122 грн |
167N80 |
Виробник: Hammond Manufacturing
Power Transformers Power transformer, low voltage, enclosed chassis mount, 320VA 115 80VCT
Power Transformers Power transformer, low voltage, enclosed chassis mount, 320VA 115 80VCT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8095.83 грн |
10+ | 7591.71 грн |
25+ | 6165.77 грн |
50+ | 5709.02 грн |
IXFA7N80P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.24 грн |
6+ | 135.55 грн |
10+ | 134.86 грн |
IXFA7N80P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 219.4 грн |
3+ | 185.97 грн |
6+ | 162.65 грн |
10+ | 161.83 грн |
17+ | 153.62 грн |
50+ | 150.33 грн |
IXFP7N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.02 грн |
3+ | 199.9 грн |
5+ | 180.73 грн |
10+ | 179.36 грн |
13+ | 171.14 грн |
IXFP7N80P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 292.83 грн |
3+ | 249.1 грн |
5+ | 216.87 грн |
10+ | 215.23 грн |
13+ | 205.37 грн |
50+ | 201.26 грн |
IXFP7N80P |
Виробник: IXYS
MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 363.43 грн |
10+ | 332.54 грн |
50+ | 247.1 грн |
100+ | 211.62 грн |
500+ | 178.76 грн |
1000+ | 162.33 грн |
IXFX27N80Q |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1363.15 грн |
2+ | 1197.32 грн |
3+ | 1196.64 грн |
10+ | 1190.48 грн |
30+ | 1150.77 грн |
IXFX27N80Q |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1635.77 грн |
2+ | 1492.05 грн |
3+ | 1435.96 грн |
10+ | 1428.57 грн |
30+ | 1380.92 грн |
SIHA17N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 152.58 грн |
10+ | 129.99 грн |
100+ | 90.04 грн |
250+ | 85.43 грн |
500+ | 81.49 грн |
1000+ | 74.26 грн |
2000+ | 73.61 грн |
SIHA17N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 337.36 грн |
10+ | 298.53 грн |
25+ | 241.19 грн |
100+ | 222.79 грн |
250+ | 218.84 грн |
500+ | 212.93 грн |
1000+ | 180.07 грн |
SIHB17N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.81 грн |
10+ | 162.49 грн |
100+ | 111.72 грн |
250+ | 103.18 грн |
500+ | 93.98 грн |
1000+ | 80.83 грн |
2500+ | 76.23 грн |
SIHB17N80E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 7459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 298.26 грн |
10+ | 257.72 грн |
25+ | 216.87 грн |
100+ | 188.61 грн |
250+ | 184.01 грн |
500+ | 172.84 грн |
1000+ | 158.38 грн |
SIHG17N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 213.92 грн |
10+ | 177.61 грн |
25+ | 153.78 грн |
100+ | 124.87 грн |
500+ | 111.07 грн |
1000+ | 92.01 грн |
SIHG17N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.05 грн |
10+ | 182.9 грн |
25+ | 147.87 грн |
100+ | 128.15 грн |
250+ | 126.84 грн |
500+ | 122.24 грн |
1000+ | 113.04 грн |
SIHG17N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 371.86 грн |
10+ | 307.6 грн |
50+ | 226.07 грн |
100+ | 205.7 грн |
250+ | 198.47 грн |
500+ | 189.93 грн |
1000+ | 161.01 грн |
SIHP17N80AE-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.21 грн |
10+ | 157.96 грн |
100+ | 109.09 грн |
250+ | 108.44 грн |
500+ | 92.01 грн |
1000+ | 79.52 грн |
2500+ | 76.23 грн |
SIHP17N80AEF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.35 грн |
10+ | 164 грн |
100+ | 113.04 грн |
250+ | 108.44 грн |
500+ | 94.64 грн |
1000+ | 81.49 грн |
2500+ | 76.89 грн |
SIHP17N80E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET
MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 331.99 грн |
10+ | 275.86 грн |
25+ | 207.02 грн |
100+ | 187.96 грн |
250+ | 179.41 грн |
500+ | 172.18 грн |
1000+ | 153.78 грн |
SIHP17N80E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 331.99 грн |
10+ | 275.1 грн |
25+ | 226.07 грн |
100+ | 193.87 грн |
250+ | 182.7 грн |
500+ | 172.18 грн |
1000+ | 165.61 грн |
SPA17N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321.26 грн |
10+ | 266.03 грн |
25+ | 217.53 грн |
100+ | 186.64 грн |
250+ | 176.13 грн |
500+ | 165.61 грн |
1000+ | 141.95 грн |
SPA17N80C3XK |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321.26 грн |
10+ | 266.03 грн |
25+ | 217.53 грн |
100+ | 186.64 грн |
250+ | 176.13 грн |
500+ | 165.61 грн |
1000+ | 141.95 грн |
SPA17N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.28 грн |
10+ | 235.8 грн |
25+ | 178.76 грн |
100+ | 157.73 грн |
250+ | 155.75 грн |
500+ | 134.07 грн |
SPA17N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.28 грн |
SPB17N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 346.5 грн |
4+ | 247.13 грн |
9+ | 234.12 грн |
250+ | 224.54 грн |
SPB17N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 415.8 грн |
4+ | 307.96 грн |
9+ | 280.95 грн |
250+ | 269.45 грн |
SPB17N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 7740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321.26 грн |
10+ | 266.03 грн |
25+ | 217.53 грн |
100+ | 186.64 грн |
250+ | 176.13 грн |
500+ | 166.93 грн |
1000+ | 141.95 грн |
SPB17N80C3 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 173.82 грн |
SPB17N80C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 317.42 грн |
10+ | 261.5 грн |
25+ | 189.27 грн |
100+ | 162.33 грн |
250+ | 161.67 грн |
500+ | 145.24 грн |
1000+ | 133.41 грн |
SPP17N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 306.69 грн |
3+ | 255.35 грн |
4+ | 247.13 грн |
9+ | 234.12 грн |
SPP17N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 368.03 грн |
3+ | 318.2 грн |
4+ | 296.56 грн |
9+ | 280.95 грн |
50+ | 269.45 грн |
SPP17N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 311.29 грн |
10+ | 266.03 грн |
25+ | 224.76 грн |
100+ | 210.96 грн |
250+ | 187.3 грн |
500+ | 158.38 грн |
1000+ | 155.1 грн |
SPP17N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.28 грн |
SPP17N80C3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321.26 грн |
10+ | 287.95 грн |
25+ | 218.19 грн |
100+ | 187.3 грн |
500+ | 165.61 грн |
1000+ | 134.07 грн |
SPW17N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426.86 грн |
3+ | 287.52 грн |
8+ | 271.78 грн |
SPW17N80C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 512.23 грн |
3+ | 358.3 грн |
8+ | 326.13 грн |
SPW17N80C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 372.63 грн |
10+ | 308.35 грн |
25+ | 253.68 грн |
100+ | 216.87 грн |
240+ | 205.04 грн |
480+ | 193.21 грн |
1200+ | 164.96 грн |
SPW17N80C3A |
Виробник: Infineon
MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 277.2 грн |
SPW17N80C3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 148.74 грн |
SPW17N80C3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 348.09 грн |
10+ | 320.45 грн |
25+ | 239.87 грн |
100+ | 207.67 грн |
240+ | 205.7 грн |
480+ | 161.67 грн |
1200+ | 155.75 грн |
STB17N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 315.12 грн |
10+ | 260.74 грн |
25+ | 214.24 грн |
100+ | 183.36 грн |
250+ | 173.5 грн |
500+ | 163.64 грн |
1000+ | 139.32 грн |
STD7N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 144.14 грн |
10+ | 117.9 грн |
100+ | 82.15 грн |
250+ | 75.58 грн |
500+ | 68.35 грн |
1000+ | 58.56 грн |
2500+ | 55.6 грн |
STF17N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 306.69 грн |
25+ | 239.58 грн |
100+ | 178.76 грн |
500+ | 154.44 грн |
1000+ | 132.75 грн |
2000+ | 124.87 грн |
STF7N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 161.78 грн |
10+ | 103.54 грн |
100+ | 78.21 грн |
500+ | 70.98 грн |
1000+ | 63.55 грн |
2000+ | 62.37 грн |
5000+ | 60.59 грн |
STL7N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 161.01 грн |
10+ | 132.26 грн |
100+ | 91.35 грн |
250+ | 84.12 грн |
500+ | 76.23 грн |
1000+ | 65.39 грн |
3000+ | 62.37 грн |
STP17N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 307.43 грн |
5+ | 197.16 грн |
12+ | 186.2 грн |
STP17N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 368.91 грн |
5+ | 245.69 грн |
12+ | 223.45 грн |
STP17N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 315.12 грн |
10+ | 260.74 грн |
25+ | 214.24 грн |
100+ | 184.01 грн |
250+ | 173.5 грн |
500+ | 162.98 грн |
1000+ | 139.32 грн |
STP7N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.75 грн |
9+ | 89.68 грн |
25+ | 84.89 грн |
STP7N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.09 грн |
3+ | 146.73 грн |
9+ | 107.62 грн |
25+ | 101.86 грн |
STP7N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.95 грн |
STP7N80K5 |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 90.24 грн |
STU7N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.95 грн |
10+ | 129.24 грн |
100+ | 90.04 грн |
250+ | 89.38 грн |
500+ | 75.58 грн |
1000+ | 60.92 грн |
3000+ | 58.95 грн |
WML07N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 61.19 грн |
10+ | 36.69 грн |
25+ | 31.83 грн |
28+ | 28.34 грн |
77+ | 26.84 грн |
WML07N80M3 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.43 грн |
6+ | 45.73 грн |
25+ | 38.2 грн |
28+ | 34.01 грн |
77+ | 32.2 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]