Результат пошуку "80N60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCD380N60E | onsemi / Fairchild |
 MOSFET 600V N-Channel MOSFET |
на замовлення 7633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCP380N60 | onsemi / Fairchild |
MOSFET SuperFET2, 380mohm |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCP380N60E | onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCPF380N60 | onsemi / Fairchild |
MOSFET SuperFET2, 380mohm |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FCPF380N60E | onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFK80N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 80A Power dissipation: 1.3kW Case: TO264 On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFK80N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 80A Power dissipation: 1.3kW Case: TO264 On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFK80N60P3 | IXYS |
MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFN80N60P3 | IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 66A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 960W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 77mΩ Gate charge: 0.19µC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 250ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFN80N60P3 | IXYS |
Discrete Semiconductor Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PJMF280N60E1_T0_00001 | Panjit |
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PJMF280N60E1_T0_00201 | Panjit |
MOSFET 600V 280mohm Super Junction Easy versio |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PJMF580N60E1_T0_00201 | Panjit |
MOSFET 600V 580mohm Super Junction Easy versio |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHA180N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHB080N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET E Series Power MOSFET, 80mO 10V |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHB180N60E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHD180N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 4342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHF080N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET TO-220 FULLPAK |
на замовлення 3786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SIHG080N60E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SIHG080N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHG180N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHG80N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHG80N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHH080N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 4161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHH180N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHM080N60E-T1-GE3 | Vishay | MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8L |
на замовлення 500 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHP080N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 7091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHP180N60E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHR080N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8LR, 84 mohm a. 10V |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP80N600K6 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMJ80N60C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 410W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 375ns |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMJ80N60C4 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 410W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 375ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Транзистор польовий FCD380N60E 10.2A 600V N-ch DPAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FCP380N60E | ON Semiconductor |
|
на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| G80N60 | FSC |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| G80N60UF |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IXFN80N60P3 |
|
на замовлення 16500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SGF80N60UF |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGF80N60UFTU |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SGF80N60UFTU===Fairchild |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGF80N60UFTU==Fairchild |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGF80N60UFTU==FSC |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60RUFD |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UF |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UFD | FAIRCHILD |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SGH80N60UFD | FSC |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SGH80N60UFD===FSC |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UFD=FSC |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UFDT==FSC |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UFDTU= |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UFDTU===Fairchild |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UFDTU=FSC |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SGH80N60UFTU |
|
на замовлення 6030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SPB80N60S2-08 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FGH80N60FD2TU(транзистор) Код товару: 61002 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
FGH80N60FDTU Код товару: 155558 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
G80N60 Код товару: 77783 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
G80N60UF Код товару: 86430 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
G80N60UFD Код товару: 100656 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO247AC Vces: 600 V Vce: 2,1 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 195 W |
товар відсутній
|
| FCD380N60E |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 7633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 165.04 грн |
| 10+ | 134.32 грн |
| 100+ | 93.44 грн |
| 250+ | 89.55 грн |
| 500+ | 78.52 грн |
| 1000+ | 68.13 грн |
| FCP380N60 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2, 380mohm
MOSFET SuperFET2, 380mohm
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 194.56 грн |
| 10+ | 161.19 грн |
| 50+ | 130.43 грн |
| 100+ | 91.49 грн |
| 250+ | 89.55 грн |
| 500+ | 84.36 грн |
| 800+ | 81.11 грн |
| FCP380N60E |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 205.16 грн |
| 10+ | 167.9 грн |
| 100+ | 120.69 грн |
| 500+ | 100.58 грн |
| 800+ | 83.06 грн |
| 2400+ | 79.17 грн |
| 5600+ | 76.57 грн |
| FCPF380N60 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2, 380mohm
MOSFET SuperFET2, 380mohm
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 155.95 грн |
| 10+ | 143.28 грн |
| 50+ | 116.15 грн |
| 100+ | 99.28 грн |
| 250+ | 90.85 грн |
| 1000+ | 88.25 грн |
| FCPF380N60E |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 101.44 грн |
| 10+ | 97.01 грн |
| 100+ | 80.46 грн |
| 500+ | 77.87 грн |
| IXFK80N60P3 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 851.67 грн |
| 3+ | 747.58 грн |
| IXFK80N60P3 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1022.01 грн |
| 3+ | 931.6 грн |
| IXFK80N60P3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1258.2 грн |
| 10+ | 1139.49 грн |
| 25+ | 872.76 грн |
| 100+ | 821.5 грн |
| 250+ | 796.19 грн |
| 500+ | 744.28 грн |
| 1000+ | 733.9 грн |
| IXFN80N60P3 |
|
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IXFN80N60P3 |
|
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Discrete Semiconductor Modules Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2599.68 грн |
| 10+ | 2275.99 грн |
| 20+ | 1846.75 грн |
| 50+ | 1789 грн |
| 100+ | 1731.25 грн |
| 200+ | 1681.28 грн |
| PJMF280N60E1_T0_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
MOSFET 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.01 грн |
| 10+ | 133.57 грн |
| 100+ | 92.14 грн |
| 250+ | 85.01 грн |
| 500+ | 77.22 грн |
| 1000+ | 70.08 грн |
| 2000+ | 60.54 грн |
| PJMF280N60E1_T0_00201 |
|
Виробник: Panjit
MOSFET 600V 280mohm Super Junction Easy versio
MOSFET 600V 280mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 162.01 грн |
| 10+ | 133.57 грн |
| 100+ | 92.14 грн |
| 250+ | 85.01 грн |
| 500+ | 77.22 грн |
| 1000+ | 70.08 грн |
| 2000+ | 60.54 грн |
| PJMF580N60E1_T0_00201 |
|
Виробник: Panjit
MOSFET 600V 580mohm Super Junction Easy versio
MOSFET 600V 580mohm Super Junction Easy versio
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.83 грн |
| 10+ | 94.02 грн |
| 100+ | 63.98 грн |
| 500+ | 53.86 грн |
| 1000+ | 46.01 грн |
| 2000+ | 39 грн |
| 10000+ | 38.87 грн |
| SIHA180N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 222.57 грн |
| 10+ | 183.57 грн |
| 25+ | 151.19 грн |
| 100+ | 138.21 грн |
| SIHB080N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET E Series Power MOSFET, 80mO 10V
MOSFET E Series Power MOSFET, 80mO 10V
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 367.17 грн |
| 10+ | 304.46 грн |
| 25+ | 249.82 грн |
| 100+ | 214.13 грн |
| 250+ | 202.45 грн |
| 500+ | 191.42 грн |
| 1000+ | 161.57 грн |
| SIHB180N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 105.99 грн |
| SIHD180N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.93 грн |
| 10+ | 152.23 грн |
| 25+ | 128.48 грн |
| 100+ | 109.01 грн |
| 250+ | 106.42 грн |
| 500+ | 98.63 грн |
| 1000+ | 86.3 грн |
| SIHF080N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET TO-220 FULLPAK
MOSFET TO-220 FULLPAK
на замовлення 3786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 277.08 грн |
| 10+ | 249.99 грн |
| 25+ | 210.24 грн |
| SIHG080N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 155.19 грн |
| SIHG080N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.64 грн |
| 10+ | 279.84 грн |
| 25+ | 241.39 грн |
| 100+ | 195.97 грн |
| 250+ | 194.67 грн |
| 500+ | 187.53 грн |
| 1000+ | 168.71 грн |
| SIHG180N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 254.37 грн |
| 10+ | 228.35 грн |
| 25+ | 172.61 грн |
| 100+ | 147.95 грн |
| 250+ | 142.76 грн |
| 500+ | 126.53 грн |
| 1000+ | 105.77 грн |
| SIHG80N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 827.45 грн |
| 25+ | 684.29 грн |
| 50+ | 573.62 грн |
| 100+ | 539.88 грн |
| 500+ | 505.49 грн |
| 1000+ | 491.86 грн |
| 2500+ | 473.04 грн |
| SIHG80N60EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1056.83 грн |
| 10+ | 970.1 грн |
| 25+ | 733.9 грн |
| 50+ | 683.28 грн |
| 100+ | 662.52 грн |
| 250+ | 650.84 грн |
| 500+ | 607.36 грн |
| SIHH080N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 346.73 грн |
| 10+ | 287.3 грн |
| 25+ | 242.04 грн |
| 100+ | 202.45 грн |
| 250+ | 195.97 грн |
| 500+ | 179.74 грн |
| 1000+ | 153.79 грн |
| SIHH180N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.91 грн |
| 10+ | 282.07 грн |
| 25+ | 225.81 грн |
| 100+ | 197.91 грн |
| 250+ | 186.88 грн |
| 500+ | 176.5 грн |
| 1000+ | 151.19 грн |
| SIHM080N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8L
MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 523.87 грн |
| 10+ | 441.77 грн |
| 25+ | 349.1 грн |
| 100+ | 320.55 грн |
| 250+ | 301.74 грн |
| 500+ | 282.92 грн |
| 1000+ | 254.37 грн |
| SIHP080N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 7091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 297.52 грн |
| 10+ | 246.26 грн |
| 25+ | 207.65 грн |
| 100+ | 173.9 грн |
| 250+ | 168.06 грн |
| 500+ | 154.44 грн |
| 1000+ | 138.86 грн |
| SIHP180N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.6 грн |
| 10+ | 214.91 грн |
| 25+ | 152.49 грн |
| 100+ | 131.08 грн |
| 500+ | 116.15 грн |
| 1000+ | 97.33 грн |
| 2000+ | 94.74 грн |
| SIHR080N60E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8LR, 84 mohm a. 10V
MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8LR, 84 mohm a. 10V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 431.51 грн |
| 10+ | 364.16 грн |
| 25+ | 288.11 грн |
| 100+ | 264.1 грн |
| 250+ | 249.18 грн |
| 500+ | 232.95 грн |
| 1000+ | 209.59 грн |
| STP80N600K6 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.85 грн |
| 10+ | 141.04 грн |
| 100+ | 97.33 грн |
| WMJ80N60C4 |
|
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 757.04 грн |
| 3+ | 307.55 грн |
| 7+ | 290.65 грн |
| WMJ80N60C4 |
|
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 908.45 грн |
| 3+ | 383.25 грн |
| 7+ | 348.78 грн |
| Транзистор польовий FCD380N60E 10.2A 600V N-ch DPAK |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 79.18 грн |
| FGH80N60FD2TU(транзистор) Код товару: 61002 |
товар відсутній
| G80N60UFD Код товару: 100656 |
|
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
Транзистори > IGBT
Корпус: TO247AC
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 195 W
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]