Результат пошуку "8n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQPF8N60C FQPF8N60C
Код товару: 13455 		Fairchild/ON fqpf8n60c-d.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 208 шт
1+26 грн
10+ 22.4 грн
8N60 BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60 FSC TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60C FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
598-8N60-107F 598-8N60-107F Dialight C18661-3159417.pdf Standard LEDs - SMD 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.06 грн
16+ 19.62 грн
100+ 6.98 грн
1000+ 4.94 грн
4000+ 4.88 грн
8000+ 3.76 грн
24000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
APT38N60BC6 APT38N60BC6 Microchip Technology 122682-apt38n60bc6-apt38n60sc6-datasheet MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.04 грн
100+ 395.51 грн
FQPF8N60CFT Fairchaild fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+277.9 грн
10+ 145.77 грн
FQPF8N60CFT ONS fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+333.48 грн
IXFA18N60X IXFA18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+513.52 грн
3+ 445.58 грн
7+ 406.02 грн
10+ 399.43 грн
50+ 391.19 грн
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS IXFH18N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+442.57 грн
3+ 384 грн
4+ 293.19 грн
9+ 277.54 грн
IXFH18N60P IXFH18N60P IXYS media-3321463.pdf MOSFET 600V 18A
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.14 грн
10+ 369.75 грн
30+ 256.95 грн
120+ 243.12 грн
270+ 239.82 грн
510+ 235.21 грн
1020+ 230.6 грн
IXFH18N60X IXFH18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+660.75 грн
2+ 508.01 грн
3+ 488.37 грн
6+ 462.02 грн
30+ 454.61 грн
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS IXFH(Q)28N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+522.39 грн
3+ 360.91 грн
8+ 328.6 грн
IXFH28N60P3 IXFH28N60P3 IXYS media-3319352.pdf MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.54 грн
10+ 437.18 грн
30+ 344.58 грн
120+ 319.54 грн
IXFH48N60X3 IXFH48N60X3 IXYS media-3320745.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 48A 600V X3 TO
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.69 грн
10+ 661.45 грн
30+ 498.75 грн
120+ 444.07 грн
270+ 428.25 грн
510+ 401.9 грн
1020+ 354.46 грн
IXFH78N60X3 IXFH78N60X3 IXYS media-3320397.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 78A 600V X3 TO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+965.44 грн
10+ 869.82 грн
30+ 670.05 грн
60+ 669.39 грн
120+ 630.52 грн
270+ 616.68 грн
510+ 569.25 грн
IXFH98N60X3 IXFH98N60X3 IXYS media-3322438.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
1+1206.8 грн
10+ 1047.87 грн
30+ 886.81 грн
60+ 836.74 грн
120+ 787.99 грн
IXFK48N60Q3 IXFK48N60Q3 IXYS IXFK(X)48N60Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1750.77 грн
2+ 1595.88 грн
IXFN48N60P IXFN48N60P IXYS media-3323038.pdf description Discrete Semiconductor Modules 600V 48A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2099.98 грн
10+ 1838.89 грн
IXFP18N60X IXFP18N60X IXYS IXFA(H,P)18N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+572.95 грн
3+ 440.45 грн
7+ 401.08 грн
50+ 394.49 грн
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS IXGA(P,H)48N60A3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+400.89 грн
3+ 347.23 грн
4+ 256.95 грн
11+ 242.95 грн
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGA48N60A3 IXGA48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBT Transistors 48 Amps 600V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.76 грн
10+ 350.05 грн
50+ 258.27 грн
100+ 224.67 грн
250+ 208.86 грн
500+ 207.54 грн
1000+ 177.23 грн
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXGA48N60A3-TRL IXGA48N60A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf IGBT Transistors IXGA48N60A3 TRL
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.76 грн
10+ 350.05 грн
25+ 294.51 грн
100+ 246.41 грн
250+ 238.5 грн
500+ 218.74 грн
800+ 176.57 грн
IXGH28N60B3D1 IXGH28N60B3D1 IXYS media-3323495.pdf IGBT Transistors 28 Amps 600V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.88 грн
10+ 490.98 грн
30+ 388.06 грн
120+ 366.32 грн
510+ 359.73 грн
1020+ 352.49 грн
2520+ 345.9 грн
IXGH48N60A3 IXGH48N60A3 IXYS media-3323854.pdf IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+495.02 грн
10+ 419 грн
30+ 330.08 грн
120+ 303.07 грн
270+ 272.11 грн
510+ 247.73 грн
1020+ 229.28 грн
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1 IXYS IXGH48N60B3C1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1626.6 грн
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS IXGH48N60B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+726.38 грн
3+ 488.34 грн
6+ 444.72 грн
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1 IXYS media-3322724.pdf IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+707.17 грн
10+ 670.55 грн
30+ 473.71 грн
120+ 432.87 грн
270+ 422.98 грн
510+ 381.47 грн
1020+ 330.74 грн
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1 IXYS IXGH48N60C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+682.04 грн
3+ 471.24 грн
6+ 429.08 грн
IXGR48N60C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgr48n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+471.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-E3 SIHA18N60E-E3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.3 грн
10+ 181.09 грн
25+ 148.24 грн
100+ 127.16 грн
250+ 119.91 грн
500+ 113.32 грн
1000+ 96.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-GE3 SIHA18N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha18n60e.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.98 грн
10+ 209.12 грн
25+ 160.76 грн
100+ 148.9 грн
500+ 127.16 грн
1000+ 106.73 грн
2000+ 103.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB068N60EF-GE3 SIHB068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihb068n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.71 грн
10+ 322.77 грн
25+ 280.01 грн
100+ 226.64 грн
500+ 201.61 грн
1000+ 172.62 грн
2000+ 170.64 грн
SIHB28N60EF-GE3 SIHB28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb28n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.61 грн
10+ 353.84 грн
25+ 254.32 грн
100+ 226.64 грн
250+ 222.03 грн
500+ 206.88 грн
1000+ 187.77 грн
SIHF068N60EF-GE3 SIHF068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihf068n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.42 грн
10+ 330.35 грн
25+ 251.02 грн
100+ 218.74 грн
250+ 212.15 грн
500+ 195.02 грн
1000+ 172.62 грн
SIHFPS38N60L-GE3 SIHFPS38N60L-GE3 Vishay / Siliconix sihfps38n60l.pdf MOSFET 600V N-CH
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.62 грн
10+ 437.18 грн
25+ 362.37 грн
100+ 341.28 грн
SIHG018N60E-GE3 SIHG018N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg018n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1182.97 грн
10+ 1028.17 грн
25+ 893.4 грн
100+ 773.49 грн
500+ 699.7 грн
SIHG068N60EF-GE3 SIHG068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihg068n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.61 грн
10+ 345.5 грн
25+ 290.55 грн
100+ 242.46 грн
250+ 235.21 грн
500+ 220.06 грн
1000+ 186.45 грн
SIHH068N60E-T1-GE3 SIHH068N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh068n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.35 грн
10+ 473.55 грн
25+ 384.11 грн
100+ 343.26 грн
250+ 322.84 грн
500+ 302.41 грн
1000+ 272.76 грн
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihj8n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.66 грн
10+ 124.26 грн
100+ 85.65 грн
250+ 79.06 грн
500+ 71.81 грн
1000+ 61.87 грн
3000+ 58.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP068N60EF-GE3 SIHP068N60EF-GE3 Vishay Semiconductors sihp068n60ef.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.69 грн
10+ 290.95 грн
25+ 224.01 грн
100+ 200.95 грн
250+ 195.02 грн
500+ 180.53 грн
1000+ 168.67 грн
SIHP28N60EF-GE3 SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n60ef.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.23 грн
10+ 348.53 грн
50+ 257.61 грн
100+ 233.23 грн
250+ 224.67 грн
500+ 215.44 грн
1000+ 186.45 грн
SIHP38N60E-GE3 SIHP38N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihp38n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.28 грн
10+ 384.9 грн
50+ 302.41 грн
100+ 278.04 грн
250+ 261.56 грн
STB18N60DM2 STB18N60DM2 STMicroelectronics stb18n60dm2-1850042.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.32 грн
10+ 154.57 грн
100+ 106.73 грн
250+ 98.83 грн
500+ 89.6 грн
1000+ 75.77 грн
2000+ 72.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N60M2 STB18N60M2 STMicroelectronics stb18n60m2-1850104.pdf MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.49 грн
10+ 143.2 грн
100+ 99.49 грн
250+ 91.58 грн
500+ 83.02 грн
1000+ 68.52 грн
2000+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N60DM2 STB28N60DM2 STMicroelectronics stb28n60dm2-1850279.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.2 грн
10+ 203.06 грн
25+ 166.69 грн
100+ 143.63 грн
250+ 135.72 грн
500+ 127.16 грн
1000+ 107.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N60M2 STB28N60M2 STMicroelectronics stb28n60m2-1850199.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.69 грн
10+ 168.96 грн
25+ 138.36 грн
100+ 118.59 грн
250+ 112 грн
500+ 106.08 грн
1000+ 90.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.82 грн
5+ 123.53 грн
9+ 94.71 грн
24+ 89.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.38 грн
5+ 153.94 грн
9+ 113.65 грн
24+ 107.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N60M6 STD18N60M6 STMicroelectronics std18n60m6-1588779.pdf MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.58 грн
10+ 122.74 грн
100+ 90.92 грн
250+ 76.43 грн
500+ 65.56 грн
1000+ 61.27 грн
2500+ 61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD8N60DM2 STD8N60DM2 STMicroelectronics std8n60dm2-1850559.pdf MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.69 грн
10+ 81.83 грн
100+ 55.21 грн
500+ 46.84 грн
1000+ 38.15 грн
2500+ 35.84 грн
5000+ 34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF18N60DM2 STMicroelectronics stf18n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF18N60M2 STF18N60M2 STMicroelectronics stf18n60m2-1850644.pdf MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+169.87 грн
10+ 121.99 грн
100+ 91.58 грн
250+ 83.02 грн
1000+ 69.18 грн
2000+ 65.56 грн
5000+ 63.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF18N60M6 STF18N60M6 STMicroelectronics stf18n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.14 грн
10+ 87.16 грн
26+ 82.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF18N60M6 STF18N60M6 STMicroelectronics stf18n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+141.91 грн
3+ 122.3 грн
10+ 104.59 грн
26+ 98.83 грн
50+ 94.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28N60DM2 STF28N60DM2 STMicroelectronics stf28n60dm2-1850623.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.85 грн
10+ 186.39 грн
25+ 142.97 грн
100+ 125.84 грн
250+ 123.86 грн
500+ 116.62 грн
1000+ 99.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28N60M2 STF28N60M2 STMicroelectronics stf28n60m2-1850543.pdf MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.69 грн
10+ 168.96 грн
25+ 138.36 грн
100+ 118.59 грн
250+ 112 грн
500+ 106.08 грн
1000+ 89.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF8N60C
Код товару: 13455		 description fqpf8n60c-d.pdf
FQPF8N60C
Виробник: Fairchild/ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 965/28
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 208 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 22.4 грн
8N60
Виробник: BYD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60
Виробник: FSC
TO-220 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
8N60L
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
598-8N60-107F C18661-3159417.pdf
598-8N60-107F
Виробник: Dialight
Standard LEDs - SMD 0603 Low Profile YELLOW-GREEN
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.06 грн
16+ 19.62 грн
100+ 6.98 грн
1000+ 4.94 грн
4000+ 4.88 грн
8000+ 3.76 грн
24000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
APT38N60BC6 122682-apt38n60bc6-apt38n60sc6-datasheet
APT38N60BC6
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 38 A TO-247
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+465.04 грн
100+ 395.51 грн
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: Fairchaild
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+277.9 грн
10+ 145.77 грн
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: ONS
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.48 грн
IXFA18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFA18N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+513.52 грн
3+ 445.58 грн
7+ 406.02 грн
10+ 399.43 грн
50+ 391.19 грн
IXFH18N60P IXFH18N60P.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+442.57 грн
3+ 384 грн
4+ 293.19 грн
9+ 277.54 грн
IXFH18N60P media-3321463.pdf
IXFH18N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 18A
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.14 грн
10+ 369.75 грн
30+ 256.95 грн
120+ 243.12 грн
270+ 239.82 грн
510+ 235.21 грн
1020+ 230.6 грн
IXFH18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFH18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+660.75 грн
2+ 508.01 грн
3+ 488.37 грн
6+ 462.02 грн
30+ 454.61 грн
IXFH28N60P3 IXFH(Q)28N60P3.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 695W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 28A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+522.39 грн
3+ 360.91 грн
8+ 328.6 грн
IXFH28N60P3 media-3319352.pdf
IXFH28N60P3
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+516.54 грн
10+ 437.18 грн
30+ 344.58 грн
120+ 319.54 грн
IXFH48N60X3 media-3320745.pdf
IXFH48N60X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 48A 600V X3 TO
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+728.69 грн
10+ 661.45 грн
30+ 498.75 грн
120+ 444.07 грн
270+ 428.25 грн
510+ 401.9 грн
1020+ 354.46 грн
IXFH78N60X3 media-3320397.pdf
IXFH78N60X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 78A 600V X3 TO
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+965.44 грн
10+ 869.82 грн
30+ 670.05 грн
60+ 669.39 грн
120+ 630.52 грн
270+ 616.68 грн
510+ 569.25 грн
IXFH98N60X3 media-3322438.pdf
IXFH98N60X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 98A 600V X3 TO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1206.8 грн
10+ 1047.87 грн
30+ 886.81 грн
60+ 836.74 грн
120+ 787.99 грн
IXFK48N60Q3 IXFK(X)48N60Q3.pdf
IXFK48N60Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1750.77 грн
2+ 1595.88 грн
IXFN48N60P description media-3323038.pdf
IXFN48N60P
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 48A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2099.98 грн
10+ 1838.89 грн
IXFP18N60X IXFA(H,P)18N60X.pdf
IXFP18N60X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO220AB; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+572.95 грн
3+ 440.45 грн
7+ 401.08 грн
50+ 394.49 грн
IXGA48N60A3 IXGA(P,H)48N60A3.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 925ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.89 грн
3+ 347.23 грн
4+ 256.95 грн
11+ 242.95 грн
IXGA48N60A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_48n60a3_datasheet.pdf.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGA48N60A3 media-3323854.pdf
IXGA48N60A3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 48 Amps 600V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.76 грн
10+ 350.05 грн
50+ 258.27 грн
100+ 224.67 грн
250+ 208.86 грн
500+ 207.54 грн
1000+ 177.23 грн
IXGA48N60A3-TRL media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+194.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXGA48N60A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_48N60A3_Datasheet-3079742.pdf
IXGA48N60A3-TRL
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IXGA48N60A3 TRL
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.76 грн
10+ 350.05 грн
25+ 294.51 грн
100+ 246.41 грн
250+ 238.5 грн
500+ 218.74 грн
800+ 176.57 грн
IXGH28N60B3D1 media-3323495.pdf
IXGH28N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 28 Amps 600V
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+581.88 грн
10+ 490.98 грн
30+ 388.06 грн
120+ 366.32 грн
510+ 359.73 грн
1020+ 352.49 грн
2520+ 345.9 грн
IXGH48N60A3 media-3323854.pdf
IXGH48N60A3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+495.02 грн
10+ 419 грн
30+ 330.08 грн
120+ 303.07 грн
270+ 272.11 грн
510+ 247.73 грн
1020+ 229.28 грн
IXGH48N60B3C1 IXGH48N60B3C1-DTE.pdf
IXGH48N60B3C1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1626.6 грн
IXGH48N60B3D1 IXGH48N60B3D1.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 280A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 347ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.38 грн
3+ 488.34 грн
6+ 444.72 грн
IXGH48N60B3D1 media-3322724.pdf
IXGH48N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75 Amps 600V 1.05 V Rds
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+707.17 грн
10+ 670.55 грн
30+ 473.71 грн
120+ 432.87 грн
270+ 422.98 грн
510+ 381.47 грн
1020+ 330.74 грн
IXGH48N60C3D1 IXGH48N60C3D1.pdf
IXGH48N60C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 48A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 48A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 250A
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 187ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+682.04 грн
3+ 471.24 грн
6+ 429.08 грн
IXGR48N60C3D1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgr48n60c3d1_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 IXGR48N60C3D1 TIXGR48n60c3d1
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+471.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-E3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.3 грн
10+ 181.09 грн
25+ 148.24 грн
100+ 127.16 грн
250+ 119.91 грн
500+ 113.32 грн
1000+ 96.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA18N60E-GE3 siha18n60e.pdf
SIHA18N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.98 грн
10+ 209.12 грн
25+ 160.76 грн
100+ 148.9 грн
500+ 127.16 грн
1000+ 106.73 грн
2000+ 103.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB068N60EF-GE3 sihb068n60ef.pdf
SIHB068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+389.71 грн
10+ 322.77 грн
25+ 280.01 грн
100+ 226.64 грн
500+ 201.61 грн
1000+ 172.62 грн
2000+ 170.64 грн
SIHB28N60EF-GE3 sihb28n60ef.pdf
SIHB28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.61 грн
10+ 353.84 грн
25+ 254.32 грн
100+ 226.64 грн
250+ 222.03 грн
500+ 206.88 грн
1000+ 187.77 грн
SIHF068N60EF-GE3 sihf068n60ef.pdf
SIHF068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.42 грн
10+ 330.35 грн
25+ 251.02 грн
100+ 218.74 грн
250+ 212.15 грн
500+ 195.02 грн
1000+ 172.62 грн
SIHFPS38N60L-GE3 sihfps38n60l.pdf
SIHFPS38N60L-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+509.62 грн
10+ 437.18 грн
25+ 362.37 грн
100+ 341.28 грн
SIHG018N60E-GE3 sihg018n60e.pdf
SIHG018N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1182.97 грн
10+ 1028.17 грн
25+ 893.4 грн
100+ 773.49 грн
500+ 699.7 грн
SIHG068N60EF-GE3 sihg068n60ef.pdf
SIHG068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+416.61 грн
10+ 345.5 грн
25+ 290.55 грн
100+ 242.46 грн
250+ 235.21 грн
500+ 220.06 грн
1000+ 186.45 грн
SIHH068N60E-T1-GE3 sihh068n60e.pdf
SIHH068N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+560.35 грн
10+ 473.55 грн
25+ 384.11 грн
100+ 343.26 грн
250+ 322.84 грн
500+ 302.41 грн
1000+ 272.76 грн
SIHJ8N60E-T1-GE3 sihj8n60e.pdf
SIHJ8N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.66 грн
10+ 124.26 грн
100+ 85.65 грн
250+ 79.06 грн
500+ 71.81 грн
1000+ 61.87 грн
3000+ 58.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
SIHP068N60EF-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.69 грн
10+ 290.95 грн
25+ 224.01 грн
100+ 200.95 грн
250+ 195.02 грн
500+ 180.53 грн
1000+ 168.67 грн
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
SIHP28N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.23 грн
10+ 348.53 грн
50+ 257.61 грн
100+ 233.23 грн
250+ 224.67 грн
500+ 215.44 грн
1000+ 186.45 грн
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
SIHP38N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+454.28 грн
10+ 384.9 грн
50+ 302.41 грн
100+ 278.04 грн
250+ 261.56 грн
STB18N60DM2 stb18n60dm2-1850042.pdf
STB18N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.32 грн
10+ 154.57 грн
100+ 106.73 грн
250+ 98.83 грн
500+ 89.6 грн
1000+ 75.77 грн
2000+ 72.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N60M2 stb18n60m2-1850104.pdf
STB18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.49 грн
10+ 143.2 грн
100+ 99.49 грн
250+ 91.58 грн
500+ 83.02 грн
1000+ 68.52 грн
2000+ 64.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N60DM2 stb28n60dm2-1850279.pdf
STB28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.2 грн
10+ 203.06 грн
25+ 166.69 грн
100+ 143.63 грн
250+ 135.72 грн
500+ 127.16 грн
1000+ 107.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N60M2 stb28n60m2-1850199.pdf
STB28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.69 грн
10+ 168.96 грн
25+ 138.36 грн
100+ 118.59 грн
250+ 112 грн
500+ 106.08 грн
1000+ 90.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.82 грн
5+ 123.53 грн
9+ 94.71 грн
24+ 89.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD18N60M6 std18n60m6.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.38 грн
5+ 153.94 грн
9+ 113.65 грн
24+ 107.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N60M6 std18n60m6-1588779.pdf
STD18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 230 mOhm typ 13 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.58 грн
10+ 122.74 грн
100+ 90.92 грн
250+ 76.43 грн
500+ 65.56 грн
1000+ 61.27 грн
2500+ 61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD8N60DM2 std8n60dm2-1850559.pdf
STD8N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.69 грн
10+ 81.83 грн
100+ 55.21 грн
500+ 46.84 грн
1000+ 38.15 грн
2500+ 35.84 грн
5000+ 34.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF18N60DM2 stf18n60dm2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF18N60M2 stf18n60m2-1850644.pdf
STF18N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.87 грн
10+ 121.99 грн
100+ 91.58 грн
250+ 83.02 грн
1000+ 69.18 грн
2000+ 65.56 грн
5000+ 63.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF18N60M6 stf18n60m6.pdf
STF18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.14 грн
10+ 87.16 грн
26+ 82.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF18N60M6 stf18n60m6.pdf
STF18N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 38A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+141.91 грн
3+ 122.3 грн
10+ 104.59 грн
26+ 98.83 грн
50+ 94.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28N60DM2 stf28n60dm2-1850623.pdf
STF28N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.85 грн
10+ 186.39 грн
25+ 142.97 грн
100+ 125.84 грн
250+ 123.86 грн
500+ 116.62 грн
1000+ 99.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF28N60M2 stf28n60m2-1850543.pdf
STF28N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.69 грн
10+ 168.96 грн
25+ 138.36 грн
100+ 118.59 грн
250+ 112 грн
500+ 106.08 грн
1000+ 89.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]