Результат пошуку "9926C" : 21
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO9926C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.1A; 1.28W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.1A Power dissipation: 1.28W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AO9926C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.1A; 1.28W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.1A Power dissipation: 1.28W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI9926CDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI9926CDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A Power dissipation: 3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI9926CDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 6556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APM9926CK | ANPEC | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
APM9926CK | ANPEC | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI9926CDY |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI9926CDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SM9926C |
на замовлення 1409 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SM9926COC-TRL |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI9926CDY-E3 Код товару: 163294 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
AO9926C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 7.6A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI9926CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI9926CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
AO9926C |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.1A; 1.28W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 1.28W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.1A; 1.28W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 1.28W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 21.21 грн |
25+ | 19.01 грн |
51+ | 15.58 грн |
141+ | 14.73 грн |
AO9926C |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.1A; 1.28W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 1.28W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.1A; 1.28W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 1.28W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 25.45 грн |
25+ | 23.69 грн |
51+ | 18.69 грн |
141+ | 17.67 грн |
3000+ | 16.97 грн |
SI9926CDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 58.39 грн |
12+ | 29.37 грн |
25+ | 26.08 грн |
35+ | 22.65 грн |
97+ | 21.28 грн |
500+ | 20.86 грн |
SI9926CDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.07 грн |
8+ | 36.6 грн |
25+ | 31.3 грн |
35+ | 27.18 грн |
97+ | 25.53 грн |
500+ | 25.04 грн |
SI9926CDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.14 грн |
SI9926CDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.48 грн |
10+ | 61.22 грн |
100+ | 42.03 грн |
500+ | 37.23 грн |
1000+ | 32.15 грн |
2500+ | 29.32 грн |
5000+ | 29.12 грн |
SI9926CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.14 грн |
SI9926CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8
MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.95 грн |
10+ | 58.8 грн |
100+ | 39.79 грн |
500+ | 33.73 грн |
1000+ | 28.2 грн |
SI9926CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI9926CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній