Результат пошуку "9N65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCPF099N65S3 Код товару: 142690 |
Транзистори > Польові N-канальні |
у наявності: 1 шт
|
|||||||||||||||||
IRFB9N65APBF Код товару: 100724 |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 8,5 A Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48 Монтаж: THT |
у наявності: 5 шт
|
|
||||||||||||||||
FCB099N65S3 | onsemi | MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB199N65S3 | onsemi / Fairchild | MOSFET SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG |
на замовлення 8799 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH029N65S3-F155 | onsemi | MOSFET SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247 |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH099N65S3-F155 | onsemi / Fairchild | MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF099N65S3 | onsemi / Fairchild | MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm |
на замовлення 14478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP39N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB9N65A | Vishay |
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB9N65A | International Rectifier |
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB9N65APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB9N65APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4LN019N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4 |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL019N65S3H | onsemi | MOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVB099N65S3 | onsemi | MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK AUTO |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD9N65DM6AG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DP |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STFU9N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narro |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STFW69N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
на замовлення 6908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STFW69N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP9N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW69N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36.5A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW69N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36.5A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW69N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW69N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW69N65M5-4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TK49N65W,S1F | Toshiba | MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML09N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WML09N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 871 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMM09N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMM09N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 629 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMN09N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMN09N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP09N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP09N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCB099N65S3 | ON Semiconductor |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCB199N65S3 | ON Semiconductor |
на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCH099N65S3-F155 | ON Semiconductor |
на замовлення 695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCMT099N65S3 | ON Semiconductor |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCP099N65S3 | ON Semiconductor |
на замовлення 31200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NTHL019N65S3H | ON Semiconductor |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
QM09N65B |
на замовлення 572 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SIHFIB9N65A-E3 |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
T9N65TB-01 | BGA |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFB9N65A Код товару: 191888 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
STY139N65M5 Код товару: 60140 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
DMG9N65CT | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMG9N65CTI | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCB099N65S3 | ON Semiconductor | N Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCB199N65S3 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCH029N65S3-F155 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCH029N65S3-F155 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.8A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 463W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 201nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCH029N65S3-F155 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 75A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCH099N65S3-F155 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCH099N65S3-F155 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Pulsed drain current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCH099N65S3-F155 | ON Semiconductor | N-Channel SuperFET III MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCMT099N65S3 | ON Semiconductor | N-Channel SuperFET III MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FCMT099N65S3 | onsemi / Fairchild | MOSFET PQFN88 PKG, 99mohm 650V, SuperFET3 |
товар відсутній |
IRFB9N65APBF Код товару: 100724 |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
Монтаж: THT
Uds,V: 650 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,95 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 99 грн |
FCB099N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK
MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 415.08 грн |
10+ | 343.99 грн |
25+ | 281.99 грн |
100+ | 241.8 грн |
250+ | 228.62 грн |
500+ | 198.97 грн |
800+ | 173.28 грн |
FCB199N65S3 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
MOSFET SuperFET3 650V 199mOhm D2PAK PKG
на замовлення 8799 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 266.72 грн |
10+ | 221.24 грн |
25+ | 186.45 грн |
100+ | 155.49 грн |
250+ | 151.54 грн |
500+ | 146.26 грн |
800+ | 117.93 грн |
FCH029N65S3-F155 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247
MOSFET SF3 650V EASY 29MOHM, TO-247
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1509.65 грн |
10+ | 1350.94 грн |
25+ | 1127.95 грн |
50+ | 1090.4 грн |
100+ | 1054.82 грн |
450+ | 896.04 грн |
2700+ | 889.45 грн |
FCH099N65S3-F155 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 505.78 грн |
10+ | 427.33 грн |
25+ | 288.58 грн |
100+ | 241.14 грн |
250+ | 233.89 грн |
FCPF099N65S3 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm
MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 396.63 грн |
10+ | 328.83 грн |
50+ | 268.81 грн |
100+ | 231.26 грн |
500+ | 205.56 грн |
1000+ | 165.37 грн |
IKP39N65ES5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.99 грн |
IKP39N65ES5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 247.51 грн |
10+ | 205.33 грн |
25+ | 168.01 грн |
100+ | 144.29 грн |
250+ | 135.72 грн |
500+ | 127.16 грн |
1000+ | 102.78 грн |
IRFB9N65A |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.44 грн |
IRFB9N65A |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.36 грн |
IRFB9N65APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.01 грн |
10+ | 162.14 грн |
25+ | 113.32 грн |
100+ | 108.05 грн |
IRFB9N65APBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET
MOSFET 650V N-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.01 грн |
10+ | 162.14 грн |
25+ | 116.62 грн |
100+ | 103.44 грн |
250+ | 101.46 грн |
500+ | 94.87 грн |
1000+ | 81.7 грн |
NTH4LN019N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4
MOSFET SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1794.05 грн |
10+ | 1615.37 грн |
25+ | 1322.31 грн |
50+ | 1271.58 грн |
100+ | 1238.64 грн |
450+ | 1061.41 грн |
NTHL019N65S3H |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247
MOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1757.16 грн |
10+ | 1538.85 грн |
25+ | 1247.86 грн |
50+ | 1209.65 грн |
100+ | 1170.12 грн |
250+ | 1145.08 грн |
450+ | 1004.75 грн |
NVB099N65S3 |
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK AUTO
MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK AUTO
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 338.21 грн |
10+ | 279.58 грн |
100+ | 197 грн |
500+ | 185.14 грн |
800+ | 145.61 грн |
2400+ | 140.99 грн |
STD9N65DM6AG |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DP
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in DP
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 162.96 грн |
10+ | 133.35 грн |
100+ | 92.24 грн |
250+ | 84.99 грн |
500+ | 77.09 грн |
1000+ | 74.45 грн |
2500+ | 63.12 грн |
STFU9N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narro
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narro
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.68 грн |
10+ | 63.57 грн |
100+ | 54.62 грн |
250+ | 51.79 грн |
500+ | 51.32 грн |
1000+ | 48.95 грн |
2000+ | 46.51 грн |
STFW69N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 6908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 598.02 грн |
STFW69N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 967.74 грн |
10+ | 844.05 грн |
25+ | 577.81 грн |
50+ | 575.84 грн |
100+ | 559.36 грн |
300+ | 517.86 грн |
1200+ | 517.2 грн |
STP9N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.14 грн |
10+ | 97.74 грн |
100+ | 67.86 грн |
250+ | 57.25 грн |
500+ | 48.49 грн |
1000+ | 47.5 грн |
2000+ | 44.6 грн |
STW69N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 884.7 грн |
2+ | 629.34 грн |
4+ | 595.02 грн |
STW69N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1061.64 грн |
2+ | 784.25 грн |
4+ | 714.03 грн |
STW69N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 716.39 грн |
10+ | 704.64 грн |
25+ | 556.07 грн |
50+ | 539.6 грн |
100+ | 521.15 грн |
250+ | 494.14 грн |
600+ | 468.44 грн |
STW69N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 517.31 грн |
STW69N65M5-4 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A
MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 788.64 грн |
10+ | 706.91 грн |
25+ | 547.51 грн |
50+ | 546.85 грн |
100+ | 515.22 грн |
250+ | 467.78 грн |
600+ | 428.25 грн |
STY139N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1623.41 грн |
STY139N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2519.67 грн |
25+ | 2058.61 грн |
100+ | 1678.09 грн |
600+ | 1512.06 грн |
1200+ | 1494.93 грн |
TK49N65W,S1F |
Виробник: Toshiba
MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor
MOSFET N-Ch Power MOSFET Transistor
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 764.05 грн |
10+ | 703.88 грн |
30+ | 529.72 грн |
120+ | 494.8 грн |
270+ | 493.48 грн |
510+ | 451.31 грн |
1020+ | 414.42 грн |
WML09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.13 грн |
11+ | 32.12 грн |
25+ | 28.69 грн |
31+ | 26.08 грн |
85+ | 24.02 грн |
500+ | 23.95 грн |
WML09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.95 грн |
7+ | 40.03 грн |
25+ | 34.42 грн |
31+ | 31.3 грн |
85+ | 28.82 грн |
500+ | 28.74 грн |
WMM09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.48 грн |
12+ | 28.69 грн |
25+ | 25.67 грн |
36+ | 22.1 грн |
100+ | 20.86 грн |
WMM09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 629 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.97 грн |
8+ | 35.75 грн |
25+ | 30.8 грн |
36+ | 26.52 грн |
100+ | 25.04 грн |
WMN09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.48 грн |
12+ | 28.69 грн |
WMN09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.97 грн |
8+ | 35.75 грн |
25+ | 30.8 грн |
36+ | 26.52 грн |
100+ | 25.04 грн |
WMP09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 369.55 грн |
WMP09N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 266.07 грн |
5+ | 51.31 грн |
25+ | 24.13 грн |
46+ | 21.17 грн |
124+ | 20.01 грн |
DMG9N65CTI |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube
товар відсутній
FCB199N65S3 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FCH029N65S3-F155 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH029N65S3-F155 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.8A; Idm: 200A; 463W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50.8A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 463W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 201nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FCH099N65S3-F155 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FCH099N65S3-F155 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 75A; 227W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 75A
Power dissipation: 227W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]