Результат пошуку "9n90" : 50
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється Код товару: 48205 |
Sang |
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A Струм: 2 А Напруга: 250 V Температура: 90°C Тип: Відновлюється |
у наявності: 868 шт
|
|
|||||||||||||||
AOK9N90 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP9N90C | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
на замовлення 6965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF9N90CT | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF9N90CT | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF9N90CT | onsemi / Fairchild | MOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 350-359 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSA9N90M | TRUESEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP09N90C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.37Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMP09N90C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.37Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 760 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F |
на замовлення 14 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQA9N90 |
на замовлення 5620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQA9N90-F109 | ON Semiconductor |
на замовлення 4944 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQA9N90C | FAIRCHILD |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQA9N90C | FSC | TO-3 2010+ |
на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF9N90C | FAIRCHIL | 09+ QFP |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFN39N90 | IXYS | MODULE |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SLW9N90C |
на замовлення 12368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSF9N90A |
на замовлення 6798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSH9N90 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SSH9N90A |
на замовлення 6880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TK09N90A |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
WFW9N90 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQA9N90C (FQA9N90C-F109) Код товару: 48853 |
ON |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 900 V Idd,A: 9 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
FQP9N90C Код товару: 117719 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
FQPF9N90C тран-р Код товару: 44576 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
FQPF9N90CT Код товару: 148086 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
AOTF9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AOTF9N90 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQA9N90-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQA9N90C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQA9N90C-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQP9N90C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQP9N90C | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.8A Power dissipation: 205W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQP9N90C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FQPF9N90CT | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFE39N90 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFN39N90 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 39 Amps 900V 0.2 Rds |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM9N90CN C0 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM9N90CZ C0 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM9N90ECI C0G | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM9N90ECZ C0G | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
XM-B9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
XM-C9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Mixer Mixers, ML1-0110HSM-1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
XR-B9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Switch ICs Switches, ADRF5020BCCZNSMT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
XR-C9N9-0404D | Quantic X-Microwave | RF Mixer Mixers, ML1-0110HSM-1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AOTF9N90 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
Термозапобіжник 90°C 250V/2А (B-1009N 90°С), що самовідновлюється Код товару: 48205 |
Виробник: Sang
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники
Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Струм: 2 А
Напруга: 250 V
Температура: 90°C
Тип: Відновлюється
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Термозапобіжники
Опис: Термостат нормально замкнутий 90°C, 250V,2A
Струм: 2 А
Напруга: 250 V
Температура: 90°C
Тип: Відновлюється
у наявності: 868 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26.5 грн |
10+ | 23.8 грн |
AOK9N90 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 155.45 грн |
FQP9N90C |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 6965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 281.65 грн |
10+ | 253.36 грн |
50+ | 190.63 грн |
100+ | 163.58 грн |
250+ | 160.94 грн |
500+ | 145.11 грн |
1000+ | 120.05 грн |
FQPF9N90CT |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 224.94 грн |
3+ | 187.58 грн |
6+ | 149.79 грн |
FQPF9N90CT |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; Idm: 32A; 68W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 68W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 269.93 грн |
3+ | 233.75 грн |
6+ | 179.74 грн |
15+ | 169.85 грн |
250+ | 167.38 грн |
FQPF9N90CT |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
MOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 290.89 грн |
10+ | 272.32 грн |
50+ | 197.22 грн |
100+ | 168.86 грн |
250+ | 166.88 грн |
500+ | 150.39 грн |
1000+ | 120.71 грн |
TSA9N90M |
Виробник: TRUESEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 9A; 1,4Ohm; 30V; 130W; -55°C~150°C; Substitute: 2SK3878; TSA9N90M TO-3P TTSA9N90M
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 73.56 грн |
WMP09N90C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 55.79 грн |
8+ | 46.58 грн |
22+ | 36.62 грн |
60+ | 34.63 грн |
WMP09N90C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; 4.8A; Idm: 16A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.37Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 66.95 грн |
5+ | 58.05 грн |
22+ | 43.95 грн |
60+ | 41.56 грн |
800+ | 39.91 грн |
Транзистор польовий FQPF9N90CT 8A 900V N-ch TO-220F |
на замовлення 14 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 89.49 грн |
FQA9N90C (FQA9N90C-F109) Код товару: 48853 |
товар відсутній
AOTF9N90 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOTF9N90 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FQA9N90-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90C |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA9N90C-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQP9N90C |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQP9N90C |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.8A; 205W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 205W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQP9N90C |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQPF9N90CT |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
TSM9N90CN C0 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
товар відсутній
TSM9N90CZ C0 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
AOTF9N90 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній