Результат пошуку "AUIRFB8409" : 9
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 22
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
 MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRFB8409 Код товару: 61521 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
AUIRFB8409 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFB8409 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 195A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AUIRFB8409 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
| AUIRFB8409 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 614.93 грн |
| 10+ | 578.87 грн |
| 25+ | 433.52 грн |
| 100+ | 409.15 грн |
| 250+ | 407.17 грн |
| 500+ | 361.71 грн |
| 1000+ | 361.05 грн |
| AUIRFB8409 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 533.98 грн |
| 30+ | 389.06 грн |
| 50+ | 345.29 грн |
| 100+ | 313.26 грн |
| 200+ | 273.56 грн |
| 500+ | 244.27 грн |
| AUIRFB8409 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| AUIRFB8409 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| AUIRFB8409 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| AUIRFB8409 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| AUIRFB8409 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній