Результат пошуку "BSC011N03LS" : 47

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BSC011N03LS BSC011N03LS Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 39508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.04 грн
10+ 105.81 грн
100+ 72.95 грн
250+ 67.03 грн
500+ 61.12 грн
1000+ 53.04 грн
10000+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LS BSC011N03LS Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.79 грн
113+ 103.93 грн
250+ 99.76 грн
500+ 92.72 грн
1000+ 83.06 грн
2500+ 77.38 грн
5000+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 108
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+62.09 грн
190+ 61.46 грн
212+ 55.13 грн
250+ 52.63 грн
500+ 46.48 грн
1000+ 43.97 грн
Мінімальне замовлення: 188
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.07 грн
10000+ 48.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 53416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.57 грн
10+ 72.4 грн
100+ 51.39 грн
500+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+106.16 грн
10+ 86.26 грн
100+ 66.79 грн
500+ 54.9 грн
1000+ 49.04 грн
5000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.93 грн
10000+ 51.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.87 грн
11+ 57.65 грн
25+ 57.07 грн
100+ 49.36 грн
250+ 45.25 грн
500+ 41.43 грн
1000+ 40.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 41540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.18 грн
10+ 66.75 грн
100+ 53.14 грн
500+ 45.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.79 грн
500+ 54.9 грн
1000+ 49.04 грн
5000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+74.03 грн
163+ 71.6 грн
177+ 66.07 грн
200+ 61.93 грн
500+ 57.17 грн
1000+ 52.14 грн
2000+ 50.81 грн
Мінімальне замовлення: 158
BSC011N03LSI BSC011N03LSI Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LSI_DataSheet_v02_05_EN-3360749.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.74 грн
10+ 103.54 грн
100+ 72.95 грн
250+ 70.98 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 51.06 грн
5000+ 49.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+85.77 грн
148+ 79.01 грн
153+ 76.21 грн
166+ 67.83 грн
250+ 62.18 грн
500+ 55.23 грн
1000+ 54 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+53.03 грн
10000+ 49.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+106.72 грн
117+ 99.93 грн
133+ 87.61 грн
200+ 80.55 грн
500+ 74.41 грн
1000+ 65.62 грн
5000+ 60.96 грн
Мінімальне замовлення: 110
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+ 97.76 грн
100+ 77.8 грн
500+ 61.78 грн
1000+ 52.42 грн
2000+ 49.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.5 грн
10+ 108.37 грн
100+ 80.36 грн
500+ 66.2 грн
1000+ 49.29 грн
5000+ 47.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.65 грн
10+ 73.36 грн
25+ 70.77 грн
100+ 62.99 грн
250+ 57.73 грн
500+ 51.29 грн
1000+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.15 грн
10+ 143.14 грн
100+ 113.93 грн
500+ 90.47 грн
1000+ 76.76 грн
2000+ 72.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 INFINEON 2718677.pdf Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.59 грн
10+ 152.61 грн
100+ 114.27 грн
500+ 95.84 грн
1000+ 72.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LST_DataSheet_v02_03_EN-3360954.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.75 грн
10+ 156.44 грн
100+ 110.41 грн
250+ 101.86 грн
500+ 92.01 грн
1000+ 74.92 грн
5000+ 72.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 INFINEON 2718677.pdf Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.27 грн
500+ 95.84 грн
1000+ 72.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+171.73 грн
81+ 144.56 грн
100+ 135.83 грн
200+ 130.04 грн
500+ 110.01 грн
1000+ 98.96 грн
2000+ 96.47 грн
5000+ 93.97 грн
Мінімальне замовлення: 68
BSC011N03LS Infineon technologies
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LSI Infineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LS E8186 BSC011N03LS E8186 Infineon Technologies MOSFET
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1 BSC011N03LSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LS Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf
BSC011N03LS
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 39508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.04 грн
10+ 105.81 грн
100+ 72.95 грн
250+ 67.03 грн
500+ 61.12 грн
1000+ 53.04 грн
10000+ 52.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LS infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LS
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+108.79 грн
113+ 103.93 грн
250+ 99.76 грн
500+ 92.72 грн
1000+ 83.06 грн
2500+ 77.38 грн
5000+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 108
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
188+62.09 грн
190+ 61.46 грн
212+ 55.13 грн
250+ 52.63 грн
500+ 46.48 грн
1000+ 43.97 грн
Мінімальне замовлення: 188
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.07 грн
10000+ 48.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 Infineon_BSC011N03LS_DataSheet_v02_05_EN-3360801.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 53416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.57 грн
10+ 72.4 грн
100+ 51.39 грн
500+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+106.16 грн
10+ 86.26 грн
100+ 66.79 грн
500+ 54.9 грн
1000+ 49.04 грн
5000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.93 грн
10000+ 51.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.87 грн
11+ 57.65 грн
25+ 57.07 грн
100+ 49.36 грн
250+ 45.25 грн
500+ 41.43 грн
1000+ 40.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS_Rev+1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012cbb2c20ff02a0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 41540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.18 грн
10+ 66.75 грн
100+ 53.14 грн
500+ 45.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSATMA1 INFNS27881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.79 грн
500+ 54.9 грн
1000+ 49.04 грн
5000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+74.03 грн
163+ 71.6 грн
177+ 66.07 грн
200+ 61.93 грн
500+ 57.17 грн
1000+ 52.14 грн
2000+ 50.81 грн
Мінімальне замовлення: 158
BSC011N03LSI Infineon_BSC011N03LSI_DataSheet_v02_05_EN-3360749.pdf
BSC011N03LSI
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
на замовлення 12912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.74 грн
10+ 103.54 грн
100+ 72.95 грн
250+ 70.98 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 51.06 грн
5000+ 49.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+85.77 грн
148+ 79.01 грн
153+ 76.21 грн
166+ 67.83 грн
250+ 62.18 грн
500+ 55.23 грн
1000+ 54 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+53.03 грн
10000+ 49.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+106.72 грн
117+ 99.93 грн
133+ 87.61 грн
200+ 80.55 грн
500+ 74.41 грн
1000+ 65.62 грн
5000+ 60.96 грн
Мінімальне замовлення: 110
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 59330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.28 грн
10+ 97.76 грн
100+ 77.8 грн
500+ 61.78 грн
1000+ 52.42 грн
2000+ 49.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC011N03LSIATMA1 INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.5 грн
10+ 108.37 грн
100+ 80.36 грн
500+ 66.2 грн
1000+ 49.29 грн
5000+ 47.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.65 грн
10+ 73.36 грн
25+ 70.77 грн
100+ 62.99 грн
250+ 57.73 грн
500+ 51.29 грн
1000+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC011N03LSIATMA1 INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+56.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSIATMA1 infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSTATMA1 Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.15 грн
10+ 143.14 грн
100+ 113.93 грн
500+ 90.47 грн
1000+ 76.76 грн
2000+ 72.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC011N03LSTATMA1 2718677.pdf
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+211.59 грн
10+ 152.61 грн
100+ 114.27 грн
500+ 95.84 грн
1000+ 72.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSC011N03LSTATMA1 Infineon_BSC011N03LST_DataSheet_v02_03_EN-3360954.pdf
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.75 грн
10+ 156.44 грн
100+ 110.41 грн
250+ 101.86 грн
500+ 92.01 грн
1000+ 74.92 грн
5000+ 72.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC011N03LSTATMA1 2718677.pdf
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC011N03LSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 4877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+114.27 грн
500+ 95.84 грн
1000+ 72.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC011N03LSTATMA1 Infineon-BSC011N03LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605467a7822cad
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC011N03LSTATMA1 infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+171.73 грн
81+ 144.56 грн
100+ 135.83 грн
200+ 130.04 грн
500+ 110.01 грн
1000+ 98.96 грн
2000+ 96.47 грн
5000+ 93.97 грн
Мінімальне замовлення: 68
BSC011N03LS
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LSI
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSC011N03LS E8186
BSC011N03LS E8186
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS-DTE.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 infineon-bsc011n03ls-datasheet-v02_05-en.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI-DTE.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1 infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSTATMA1 infineon-bsc011n03lst-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC011N03LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LS-DTE.pdf
BSC011N03LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSI-DTE.pdf
BSC011N03LSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній