Результат пошуку "BSC0906NS" : 14
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 452
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC0906NS | Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 4332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3031 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3031 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC0906NS E8189 | Infineon Technologies | MOSFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товар відсутній |
| BSC0906NS |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
MOSFET N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.58 грн |
| 10+ | 37.35 грн |
| 100+ | 23.19 грн |
| 500+ | 19.7 грн |
| 1000+ | 15.35 грн |
| 5000+ | 14.76 грн |
| 10000+ | 14.17 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 48.78 грн |
| 25+ | 29.85 грн |
| 39+ | 20.79 грн |
| 105+ | 19.7 грн |
| 1000+ | 19.35 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3031 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 58.54 грн |
| 25+ | 37.2 грн |
| 39+ | 24.95 грн |
| 105+ | 23.64 грн |
| 1000+ | 23.22 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 14.18 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 10.45 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 24.88 грн |
| 25+ | 23.61 грн |
| 27+ | 21.63 грн |
| 100+ | 19.28 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 13.2 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 452+ | 25.87 грн |
| 473+ | 24.71 грн |
| 475+ | 24.61 грн |
| 531+ | 21.2 грн |
| 1000+ | 18.85 грн |
| 2000+ | 18.01 грн |
| 5000+ | 16.84 грн |
| 10000+ | 16.09 грн |
| BSC0906NSATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній