Результат пошуку "BUZ350" : 5
Вид перегляду :
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUZ350 | INFINEON |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BUZ350 | SEMINES | SSOP30 |
на замовлення 101000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
NTE2376 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
BUZ350 Код товару: 29268 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||
BUZ350 | Infineon Technologies | MOSFET |
товар відсутній |
NTE2376 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 804.74 грн |
2+ | 526.26 грн |
5+ | 497.25 грн |