Результат пошуку "DACSB400120CTDCO" : 3
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DACSB400120CT | DACO Semiconductor |
 Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; If: 200Ax2; Ifsm: 2kA Type of module: diode Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 200A x2 Case: Twin tower B Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 2kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||
|
|
DACSB400120CT | DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; If: 200Ax2; Ifsm: 2kA Type of module: diode Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 200A x2 Case: Twin tower B Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 2kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| DACSB400120CT |
|
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; If: 200Ax2; Ifsm: 2kA
Type of module: diode
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 200A x2
Case: Twin tower B
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; If: 200Ax2; Ifsm: 2kA
Type of module: diode
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 200A x2
Case: Twin tower B
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13753.84 грн |
| DACSB400120CT |
|
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; If: 200Ax2; Ifsm: 2kA
Type of module: diode
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 200A x2
Case: Twin tower B
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; If: 200Ax2; Ifsm: 2kA
Type of module: diode
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 200A x2
Case: Twin tower B
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 16504.61 грн |