Результат пошуку "E13009" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 912
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJE13009F (транзистор біполярный NPN) Код товару: 104845 |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220ISO fT: 4 MHz Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 12 A |
у наявності: 22 шт
|
|
||||||||||||||||
E13009 |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
E13009-1 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
E13009-2 | FSC | 09+ |
на замовлення 9818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
E13009-2 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
E13009-2 | FAIRCHILD | 2002 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
E13009F2 | FAIRCHILD | 2002 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
E13009L | FAIRCHILD | 2002 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
KSE13009FTU | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 |
на замовлення 13687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSE13009FTU | onsemi |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 |
на замовлення 82328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE13009 | JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE13009 | OTOMO |
Transistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 12A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 12A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Current gain: 8...40 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PHE13009,127 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS |
на замовлення 5863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PHE13009/DG,127 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PHE13009/DG,127 | NXP USA Inc. |
Description: NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSE13009 | FSC | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
KSE13009 | FSC | TO-220 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
KSE13009 | FSC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
KSE13009-2 | FSC |
на замовлення 45888 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
KSE13009F | Samsung |
на замовлення 67000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
KSE13009H2 | FSC |
на замовлення 45888 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
KSE13009H2TU | FAIRCHILD | TO-220 04+ |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MJE13009-1 |
на замовлення 4580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009-2 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009A |
на замовлення 539 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009AR |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009F |
на замовлення 814 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009G |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009H3 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009H3(25-32) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MJE13009L |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MLE13009L |
на замовлення 3981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PHE13009 | NXP | TO-220 08+ |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
TE13009 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FJP13009H2TU | ON-Semicoductor |
NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 fai кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTE379 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 700V Collector current: 12A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Current gain: 6...40 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 4MHz |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ST13009L | ST |
NPN 12A 400V 2W 4MHz ST13009 MJE13009 TMJE13009 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ST13009 | ST | NPN 12A 400V 2W 4MHz ST13009 MJE13009 TMJE13009 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
YFW13009AT | YFW | NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil |
на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
YFW13009AT | YFW | NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
YFW13009AT | YFW | NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
YFW13009AT | YFW | NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
YFW13009AT | YFW | NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
E13009L (транзистор биролярный) Код товару: 100550 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
KSE13009 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30179 |
Motorola |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 Uceo,V: 700 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 12 A |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
KSE13009L Код товару: 116676 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
MJE13009 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30312 |
Fairchild |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 4 MHz Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 700 V Ic,A: 12 A h21: 40 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
MJE13009G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 1141 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
KSE13009FTU | onsemi |
Description: KSE13009FTU Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 100 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSE13009FTU | ON Semiconductor | NPN Silicon GP BJT Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSE13009LTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSE13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJE13009 | onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJE13009G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MJE13009G | onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PHE13009,127 | Ween | Trans GP BJT NPN 400V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
MJE13009F (транзистор біполярный NPN) Код товару: 104845 |
у наявності: 22 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
KSE13009FTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
на замовлення 13687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 20.74 грн |
KSE13009FTU |
Виробник: onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 12A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
на замовлення 82328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 20.74 грн |
MJE13009 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 JSMICRO TMJE13009 JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 26.78 грн |
MJE13009 |
Виробник: OTOMO
Transistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor NPN; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU; MJE13009 OTOMO TMJE13009 OTO
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.04 грн |
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; 4Mhz; -65°+150°C; ON Semi.(FAIRCHILD) |
на замовлення 46 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 26.82 грн |
MJE13009; біполярний; NPN; 400V; 12A; 110W; Корпус: TO-220AB; NXP |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 32.84 грн |
PHE13009,127 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 48.04 грн |
11+ | 31.5 грн |
25+ | 27.58 грн |
30+ | 26.29 грн |
PHE13009,127 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 12A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 8...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 57.65 грн |
7+ | 39.25 грн |
25+ | 33.09 грн |
30+ | 31.55 грн |
82+ | 29.85 грн |
250+ | 28.71 грн |
PHE13009,127 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.32 грн |
10+ | 49.7 грн |
100+ | 29.46 грн |
500+ | 24.59 грн |
1000+ | 20.96 грн |
2000+ | 18.95 грн |
5000+ | 17.65 грн |
PHE13009/DG,127 |
Виробник: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.56 грн |
10+ | 52.68 грн |
100+ | 31.28 грн |
500+ | 26.15 грн |
1000+ | 22.13 грн |
2000+ | 20.12 грн |
5000+ | 18.62 грн |
PHE13009/DG,127 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
Description: NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
912+ | 21.39 грн |
FJP13009H2TU |
на замовлення 89 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 57.94 грн |
NTE379 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Current gain: 6...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 12A; 100W; TO220-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO220-3
Current gain: 6...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 636.21 грн |
2+ | 459.63 грн |
5+ | 434.62 грн |
ST13009L |
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 67.21 грн |
ST13009 |
Виробник: ST
NPN 12A 400V 2W 4MHz ST13009 MJE13009 TMJE13009
NPN 12A 400V 2W 4MHz ST13009 MJE13009 TMJE13009
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)YFW13009AT |
Виробник: YFW
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)YFW13009AT |
Виробник: YFW
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)YFW13009AT |
Виробник: YFW
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)YFW13009AT |
Виробник: YFW
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)YFW13009AT |
Виробник: YFW
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
NPN 400V 12A ST13009=MJE13009 TO220-3 CDIL TMJE13009 cdil
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)E13009L (транзистор биролярный) Код товару: 100550 |
товар відсутній
KSE13009 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30179 |
товар відсутній
MJE13009 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 30312 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
h21: 40
товар відсутній
KSE13009FTU |
Виробник: onsemi
Description: KSE13009FTU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
Description: KSE13009FTU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
KSE13009LTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
KSE13009TU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
MJE13009 |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
MJE13009G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
MJE13009G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 400V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
PHE13009,127 |
Виробник: Ween
Trans GP BJT NPN 400V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans GP BJT NPN 400V 12A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]