Результат пошуку "F540" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 833
Мінімальне замовлення: 634
Мінімальне замовлення: 634
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 398
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF540NPBF Код товару: 3289 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: THT |
у наявності: 882 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF540NSPBF Код товару: 34259 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 33 A Rds(on), Ohm: 44 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71 Монтаж: SMD |
у наявності: 147 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF540PBF Код товару: 182036 |
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 28 A Монтаж: THT |
у наявності: 258 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF540SPBF Код товару: 123222 |
SILI |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72 Монтаж: SMD |
у наявності: 15 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF540ZPBF Код товару: 42002 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 36 A Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42 Монтаж: THT |
у наявності: 200 шт
очікується:
6 шт
|
|
|||||||||||||||||
UF5402-DIO Код товару: 121260 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-201AD Vrr, V: 200 V Iav, A: 3 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns |
у наявності: 255 шт
|
|
||||||||||||||||||
UF5402-YAN Код товару: 172077 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) |
у наявності: 3 шт
|
|
||||||||||||||||||
UF5404 PBF Код товару: 20919 |
Diodes |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-201 Vrr, V: 400 V Iav, A: 3 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns UF5408 |
у наявності: 12 шт
|
|
|||||||||||||||||
UF5408 Код товару: 27170 |
Yangjie/MIC |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі Корпус: DO-201AD Vrr, V: 1000 V Iav, A: 3 A Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns |
у наявності: 184 шт
очікується:
2000 шт
|
|
|||||||||||||||||
+2 |
Модуль із 4х MOSFET IRF540 Код товару: 193624 |
Модульні елементи > Arduino та інші модульні елементи Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В. Тип: Шилд комутуючі |
очікується:
30 шт
|
|
|||||||||||||||||
F54019-000 | TE Connectivity | Hexa Shield ADAPTER |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
F54050004 | Honeywell | Industrial Potentiometer |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
F5400 | FSC | DIP14 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
F5407T |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
F540NS | IR | TO |
на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2450DP15F5400E | Johanson Technology | Signal Conditioning 2.45/5.4GHz DIPLEXER LPF/BPF |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74F540PC | Fairchild Semiconductor |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20DIP Packaging: Tube Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm) Output Type: 3-State Mounting Type: Through Hole Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 8 Current - Output High, Low: 3mA, 64mA Supplier Device Package: 20-PDIP |
на замовлення 7292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74F540SJ | Fairchild Semiconductor |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20SOP Packaging: Tube Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 8 Current - Output High, Low: 3mA, 64mA Supplier Device Package: 20-SOP |
на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
74F540SJX | Fairchild Semiconductor |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20SOP Packaging: Bulk Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 1 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 8 Current - Output High, Low: 3mA, 64mA Supplier Device Package: 20-SOP |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF540Z | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 92W Technology: HEXFET® On-state resistance: 26.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF540Z | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 92W Technology: HEXFET® On-state resistance: 26.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF540Z | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
на замовлення 2924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF540Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C274ACF5400LF0J | KEMET |
Category: Motor capacitors Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 470VAC; Ø50x120mm; -25÷85°C; ±5% Capacitance: 40µF Operating temperature: -25...85°C Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø50x120mm Mounting: M8 screw Type of capacitor: polypropylene Leads: leads 40mm Operating voltage: 470V AC Service life: 10000h Capacitors series: C27 Climate class: 25/085/21 Capacitor application: motors, run |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C274ACF5400LF0J | KEMET |
Category: Motor capacitors Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 470VAC; Ø50x120mm; -25÷85°C; ±5% Capacitance: 40µF Operating temperature: -25...85°C Tolerance: ±5% Body dimensions: Ø50x120mm Mounting: M8 screw Type of capacitor: polypropylene Leads: leads 40mm Operating voltage: 470V AC Service life: 10000h Capacitors series: C27 Climate class: 25/085/21 Capacitor application: motors, run кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C274ACF5400WA0J | KEMET | Motor Start Capacitors & Motor Run Capacitors 470VAC 40uF 5% With M8 Bolt 10K Hrs |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C274ACF5400WA0J | KEMET |
Description: CAP FILM 40UF 5% 470VAC RADIAL Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: Radial, Can Mounting Type: Chassis, Stud Mount Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Applications: Motor Run Termination: Wire Leads Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized Voltage Rating - AC: 470V Height - Seated (Max): 4.862" (123.50mm) Part Status: Active Capacitance: 40 µF Size / Dimension: 1.969" Dia (50.00mm) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C276CCF5400LG0J | KEMET |
Category: Motor capacitors Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 420VAC; Ø45x95mm; -25÷85°C; ±5% Capacitance: 40µF Climate class: 25/085/21 Capacitor application: motors, run Leads: leads 40mm Body dimensions: Ø45x95mm Type of capacitor: polypropylene Mounting: M8 screw Capacitors series: C27 Operating voltage: 420V AC Tolerance: ±5% Service life: 10000h Operating temperature: -25...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
C276CCF5400LG0J | KEMET |
Description: CAP FILM 40UF 5% 470VAC RADIAL Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: Radial, Can Mounting Type: Chassis, Stud Mount Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Applications: Motor Run Termination: Wire Leads Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized Voltage Rating - AC: 470V Height - Seated (Max): 3.839" (97.50mm) Part Status: Active Capacitance: 40 µF Size / Dimension: 1.772" Dia (45.00mm) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540 | Siliconix |
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540N | International Rectifier |
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 805 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540N | International Rectifier |
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 5154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 140W Technology: HEXFET® On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 47.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A |
на замовлення 7531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm |
на замовлення 941 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 140W Technology: HEXFET® On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 47.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7531 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
на замовлення 10033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 146708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NPBF; 27A; 100V; 140W; 0,044R; N-канальный; корпус: ТО220; I*R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF540NS | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NSPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm |
на замовлення 111 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NSTRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NSTRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 18250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 18259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
на замовлення 18261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 34554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET |
на замовлення 12228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V N-CH HEXFET |
на замовлення 10176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540S | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: D2PAK; TO263 Power dissipation: 150W On-state resistance: 77mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 872 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF540SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK |
на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRF540NPBF Код товару: 3289 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 882 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
100+ | 27.9 грн |
IRF540NSPBF Код товару: 34259 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 44 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
Монтаж: SMD
у наявності: 147 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 88.5 грн |
10+ | 79.2 грн |
IRF540PBF Код товару: 182036 |
у наявності: 258 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 54.5 грн |
100+ | 49.9 грн |
IRF540SPBF Код товару: 123222 |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/72
Монтаж: SMD
у наявності: 15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 49.5 грн |
10+ | 44.6 грн |
IRF540ZPBF Код товару: 42002 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 36 A
Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1770/42
Монтаж: THT
у наявності: 200 шт
очікується:
6 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 31 грн |
10+ | 28.1 грн |
100+ | 25.2 грн |
UF5402-DIO Код товару: 121260 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
у наявності: 255 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
UF5402-YAN Код товару: 172077 |
у наявності: 3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
UF5404 PBF Код товару: 20919 |
Виробник: Diodes
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201
Vrr, V: 400 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
UF5408
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201
Vrr, V: 400 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 50 ns
UF5408
у наявності: 12 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.5 грн |
UF5408 Код товару: 27170 |
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності: 184 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.5 грн |
100+ | 3.1 грн |
1000+ | 2.4 грн |
Модуль із 4х MOSFET IRF540 Код товару: 193624 |
Модульні елементи > Arduino та інші модульні елементи
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
Опис: Шилд для керування навантаженням. Модуль складається із 4х MOSFET IRF540. Також на платі встановлена мікросхема PS8201 (оптопара) для ізоляції контролера від навантаження. Може використовуватись тільки для керування ланцюгом постійного струму. Навантаження максимум: 9...100VDC (25А). Управління сигналом від МК: 5В.
Тип: Шилд комутуючі
очікується:
30 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 115 грн |
10+ | 108 грн |
F54019-000 |
Виробник: TE Connectivity
Hexa Shield ADAPTER
Hexa Shield ADAPTER
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35324.61 грн |
2+ | 33215.7 грн |
F54050004 |
Виробник: Honeywell
Industrial Potentiometer
Industrial Potentiometer
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24661.88 грн |
2+ | 22835.08 грн |
2450DP15F5400E |
Виробник: Johanson Technology
Signal Conditioning 2.45/5.4GHz DIPLEXER LPF/BPF
Signal Conditioning 2.45/5.4GHz DIPLEXER LPF/BPF
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.73 грн |
10+ | 84.96 грн |
100+ | 40.1 грн |
250+ | 35.95 грн |
500+ | 35.22 грн |
1000+ | 25.46 грн |
2500+ | 21.24 грн |
74F540PC |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 3mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 3mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
833+ | 23.72 грн |
74F540SJ |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 3mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-SOP
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 3mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-SOP
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
634+ | 30.97 грн |
74F540SJX |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 3mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-SOP
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 20SOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 3mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-SOP
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
634+ | 30.97 грн |
AUIRF540Z |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.24 грн |
9+ | 98.94 грн |
23+ | 93.44 грн |
AUIRF540Z |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 92W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 175.81 грн |
3+ | 149.84 грн |
9+ | 118.73 грн |
23+ | 112.13 грн |
AUIRF540Z |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 167.68 грн |
50+ | 130.16 грн |
100+ | 107.1 грн |
500+ | 85.05 грн |
1000+ | 72.16 грн |
2000+ | 68.55 грн |
AUIRF540Z |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 181.61 грн |
10+ | 145.64 грн |
100+ | 70.58 грн |
250+ | 68.6 грн |
C274ACF5400LF0J |
Виробник: KEMET
Category: Motor capacitors
Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 470VAC; Ø50x120mm; -25÷85°C; ±5%
Capacitance: 40µF
Operating temperature: -25...85°C
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø50x120mm
Mounting: M8 screw
Type of capacitor: polypropylene
Leads: leads 40mm
Operating voltage: 470V AC
Service life: 10000h
Capacitors series: C27
Climate class: 25/085/21
Capacitor application: motors, run
Category: Motor capacitors
Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 470VAC; Ø50x120mm; -25÷85°C; ±5%
Capacitance: 40µF
Operating temperature: -25...85°C
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø50x120mm
Mounting: M8 screw
Type of capacitor: polypropylene
Leads: leads 40mm
Operating voltage: 470V AC
Service life: 10000h
Capacitors series: C27
Climate class: 25/085/21
Capacitor application: motors, run
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1339.3 грн |
2+ | 775.73 грн |
3+ | 733.81 грн |
C274ACF5400LF0J |
Виробник: KEMET
Category: Motor capacitors
Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 470VAC; Ø50x120mm; -25÷85°C; ±5%
Capacitance: 40µF
Operating temperature: -25...85°C
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø50x120mm
Mounting: M8 screw
Type of capacitor: polypropylene
Leads: leads 40mm
Operating voltage: 470V AC
Service life: 10000h
Capacitors series: C27
Climate class: 25/085/21
Capacitor application: motors, run
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor capacitors
Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 470VAC; Ø50x120mm; -25÷85°C; ±5%
Capacitance: 40µF
Operating temperature: -25...85°C
Tolerance: ±5%
Body dimensions: Ø50x120mm
Mounting: M8 screw
Type of capacitor: polypropylene
Leads: leads 40mm
Operating voltage: 470V AC
Service life: 10000h
Capacitors series: C27
Climate class: 25/085/21
Capacitor application: motors, run
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1607.16 грн |
2+ | 966.68 грн |
3+ | 880.58 грн |
C274ACF5400WA0J |
Виробник: KEMET
Motor Start Capacitors & Motor Run Capacitors 470VAC 40uF 5% With M8 Bolt 10K Hrs
Motor Start Capacitors & Motor Run Capacitors 470VAC 40uF 5% With M8 Bolt 10K Hrs
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1420.58 грн |
10+ | 1349.46 грн |
25+ | 1085.06 грн |
40+ | 1022.39 грн |
120+ | 963.03 грн |
280+ | 942.58 грн |
520+ | 907.62 грн |
C274ACF5400WA0J |
Виробник: KEMET
Description: CAP FILM 40UF 5% 470VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: Radial, Can
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Motor Run
Termination: Wire Leads
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 470V
Height - Seated (Max): 4.862" (123.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 40 µF
Size / Dimension: 1.969" Dia (50.00mm)
Description: CAP FILM 40UF 5% 470VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: Radial, Can
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Motor Run
Termination: Wire Leads
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 470V
Height - Seated (Max): 4.862" (123.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 40 µF
Size / Dimension: 1.969" Dia (50.00mm)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1425.61 грн |
C276CCF5400LG0J |
Виробник: KEMET
Category: Motor capacitors
Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 420VAC; Ø45x95mm; -25÷85°C; ±5%
Capacitance: 40µF
Climate class: 25/085/21
Capacitor application: motors, run
Leads: leads 40mm
Body dimensions: Ø45x95mm
Type of capacitor: polypropylene
Mounting: M8 screw
Capacitors series: C27
Operating voltage: 420V AC
Tolerance: ±5%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor capacitors
Description: Capacitor: motors, run; 40uF; 420VAC; Ø45x95mm; -25÷85°C; ±5%
Capacitance: 40µF
Climate class: 25/085/21
Capacitor application: motors, run
Leads: leads 40mm
Body dimensions: Ø45x95mm
Type of capacitor: polypropylene
Mounting: M8 screw
Capacitors series: C27
Operating voltage: 420V AC
Tolerance: ±5%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...85°C
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C276CCF5400LG0J |
Виробник: KEMET
Description: CAP FILM 40UF 5% 470VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: Radial, Can
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Motor Run
Termination: Wire Leads
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 470V
Height - Seated (Max): 3.839" (97.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 40 µF
Size / Dimension: 1.772" Dia (45.00mm)
Description: CAP FILM 40UF 5% 470VAC RADIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: Radial, Can
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Applications: Motor Run
Termination: Wire Leads
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - AC: 470V
Height - Seated (Max): 3.839" (97.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 40 µF
Size / Dimension: 1.772" Dia (45.00mm)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1124.51 грн |
50+ | 866.66 грн |
IRF540 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
398+ | 49.41 грн |
IRF540 |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 27A 100V 125W 0.052Ω Replacement: STP30NF10 IRF540 TIRF540
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 41.73 грн |
IRF540N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 27.65 грн |
IRF540N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 27.65 грн |
IRF540NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 52.28 грн |
IRF540NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 47.76 грн |
IRF540NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 47.76 грн |
IRF540NLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 102.03 грн |
50+ | 79.08 грн |
100+ | 65.06 грн |
500+ | 51.67 грн |
1000+ | 43.84 грн |
2000+ | 41.65 грн |
5000+ | 39.42 грн |
IRF540NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 60.75 грн |
9+ | 41.02 грн |
10+ | 35.04 грн |
27+ | 30.51 грн |
72+ | 28.86 грн |
IRF540NPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 40.38 грн |
10+ | 34.08 грн |
IRF540NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.9 грн |
6+ | 51.12 грн |
10+ | 42.05 грн |
27+ | 36.61 грн |
72+ | 34.63 грн |
IRF540NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 10033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.72 грн |
10+ | 61.67 грн |
100+ | 44.72 грн |
500+ | 40.04 грн |
1000+ | 35.09 грн |
2000+ | 33.18 грн |
5000+ | 31.99 грн |
IRF540NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 146708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.76 грн |
50+ | 67.97 грн |
100+ | 53.85 грн |
500+ | 42.84 грн |
1000+ | 34.9 грн |
2000+ | 32.85 грн |
5000+ | 30.77 грн |
10000+ | 29.35 грн |
IRF540NPBF; 27A; 100V; 140W; 0,044R; N-канальный; корпус: ТО220; I*R |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 653.52 грн |
IRF540NS |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS JSMICRO TIRF540ns JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 21.62 грн |
IRF540NSPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-PAK Udss=100V; Id=33A; Pdmax=140W; Rds=0,052 Ohm
на замовлення 111 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 20.23 грн |
IRF540NSTRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 26.64 грн |
IRF540NSTRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 26.64 грн |
IRF540NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 18250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 53.31 грн |
1600+ | 41.82 грн |
2400+ | 39.37 грн |
5600+ | 35.19 грн |
IRF540NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 18259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 99.18 грн |
10+ | 77.85 грн |
100+ | 60.57 грн |
IRF540NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
на замовлення 18261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.2 грн |
10+ | 86.47 грн |
100+ | 58.18 грн |
500+ | 57.45 грн |
800+ | 40.43 грн |
2400+ | 37.33 грн |
4800+ | 36.21 грн |
IRF540PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 50.16 грн |
10+ | 46.72 грн |
21+ | 39.16 грн |
56+ | 37.1 грн |
IRF540PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.15 грн |
5+ | 62.5 грн |
10+ | 56.07 грн |
21+ | 47 грн |
56+ | 44.52 грн |
IRF540PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 34554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.28 грн |
50+ | 105.29 грн |
100+ | 86.64 грн |
500+ | 68.79 грн |
1000+ | 58.37 грн |
2000+ | 55.45 грн |
5000+ | 52.49 грн |
10000+ | 50.75 грн |
IRF540PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET
MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 12228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.36 грн |
10+ | 109.23 грн |
100+ | 75.86 грн |
250+ | 70.58 грн |
500+ | 63.78 грн |
1000+ | 48.94 грн |
2000+ | 47.1 грн |
IRF540PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V N-CH HEXFET
MOSFET 100V N-CH HEXFET
на замовлення 10176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.75 грн |
10+ | 96.34 грн |
100+ | 73.22 грн |
250+ | 67.28 грн |
500+ | 63.19 грн |
1000+ | 61.34 грн |
2000+ | 58.31 грн |
IRF540PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.28 грн |
50+ | 105.29 грн |
100+ | 86.64 грн |
IRF540S |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 28A 3.7W 0,077Ω IRF540S TIRF540s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.05 грн |
IRF540SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.9 грн |
7+ | 52.91 грн |
10+ | 47.41 грн |
21+ | 38.48 грн |
57+ | 36.42 грн |
IRF540SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
Power dissipation: 150W
On-state resistance: 77mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 110A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 872 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 65.93 грн |
10+ | 56.89 грн |
21+ | 46.17 грн |
57+ | 43.7 грн |
IRF540SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
MOSFET 100V N-CH HEXFET D2-PAK
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.44 грн |
10+ | 95.58 грн |
100+ | 73.88 грн |
1000+ | 69.26 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]