Результат пошуку "FDN" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDN302P FDN302P ONSEMI FDN302P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+19.55 грн
25+ 17.06 грн
79+ 11.97 грн
216+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN302P .302.. ON-Semicoductor Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.5 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN304P FDN304P ONSEMI FDN304P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+53.97 грн
25+ 25.93 грн
51+ 18.73 грн
140+ 17.66 грн
3000+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN304P UMW FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN304PZ FDN304PZ ONSEMI FDN304PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+43.35 грн
25+ 28.49 грн
50+ 19.14 грн
137+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+35.56 грн
10+ 26.45 грн
25+ 21.36 грн
66+ 14.54 грн
180+ 13.8 грн
3000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN306P VBsemi FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 150
FDN306P ON-Semicoductor FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN306P TECH PUBLIC FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN327N Fairchild/ON Semiconductor fdn327n-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
75+8.35 грн
81+ 7.78 грн
100+ 7.22 грн
Мінімальне замовлення: 75
FDN327N FDN327N ONSEMI FDN327N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+17.87 грн
25+ 15.61 грн
85+ 11.11 грн
235+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN335N FDN335N ONSEMI FDN335N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+32.64 грн
25+ 19.28 грн
72+ 13.43 грн
196+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN335N ON-Semicoductor UMW%20FDN335N.pdf FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN336P FDN336P ONSEMI FDN336P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+42.64 грн
25+ 21.33 грн
70+ 13.55 грн
191+ 12.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN336P ON-Semicoductor fdn336p-d.pdf P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN337N FDN337N ONSEMI FDN337N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.82 грн
25+ 19.62 грн
70+ 13.9 грн
190+ 13.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN337N Fairchild fdn337n-d.pdf N-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN338P FDN338P ONSEMI FDN338P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN338P MSKSEMI UMW%20FDN338P.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN338P HUASHUO UMW%20FDN338P.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDN338P UMW UMW%20FDN338P.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 250
FDN338P JSMicro Semiconductor UMW%20FDN338P.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
260+2 грн
Мінімальне замовлення: 260
FDN338P JSMicro Semiconductor UMW%20FDN338P.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
370+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 370
FDN338P HUASHUO UMW%20FDN338P.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDN339AN FDN339AN ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+42.11 грн
25+ 24.23 грн
56+ 16.95 грн
153+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN339AN ON-Semicoductor ONSM-S-A0003699943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN340P FDN340P ONSEMI FDN340P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 605 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+35.39 грн
11+ 25.17 грн
25+ 18.48 грн
92+ 10.43 грн
250+ 10.35 грн
252+ 9.86 грн
3000+ 9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN352AP FDN352AP ONSEMI FDN352AP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+18.58 грн
25+ 16.12 грн
85+ 11.64 грн
225+ 11.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN357N FDN357N ONSEMI FDN357N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+34.68 грн
25+ 28.49 грн
50+ 19.22 грн
137+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN358P FDN358P ONSEMI FDN358P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN358P ON-Semicoductor FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN359AN FDN359AN ONSEMI FDN359AN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.65 грн
25+ 19.71 грн
70+ 13.88 грн
190+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN359AN Fairchild fdn359an-d.pdf N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN360P FDN360P ONSEMI FDN360P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+29.02 грн
25+ 18.77 грн
80+ 12.34 грн
215+ 11.67 грн
3000+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN360P ON-Semicoductor fdn360p-d.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN537N FDN537N ONSEMI fdn537n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.49 грн
7+ 42.06 грн
25+ 30.56 грн
40+ 23.64 грн
110+ 22.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN5618P 618. ON-Semicoductor Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
FDN5630 FDN5630 ONSEMI FDN5630.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+20.88 грн
25+ 15.53 грн
85+ 11.5 грн
230+ 10.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN5632N-F085 ONSEMI fdn5632n-f085-d.pdf FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+36.54 грн
41+ 23.49 грн
113+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDNM020.0025 PNEUMAT FDNM020.0025 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2703.58 грн
10+ 2169.4 грн
FDNM020.0080 PNEUMAT FDNM020.0080 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2951.3 грн
10+ 2407.41 грн
FDNM025.0010 PNEUMAT FDNM025.0010 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2843.36 грн
10+ 2303.33 грн
FDNM025.0050 PNEUMAT FDNM025.0050 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3097.27 грн
10+ 2533.66 грн
FDNM025.0080 PNEUMAT FDNM025.0080 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3327.28 грн
10+ 2697.46 грн
FDNM025.0100 PNEUMAT FDNM025.0100 Actuators
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3446.72 грн
10+ 2791.29 грн
FDN103
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN103A MOTOROLA 09+ SOP24
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN143 ROHM 96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN143 ROHM 99+ QFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147 ROHM 97+ QFP
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147 ROHM 96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147-626
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147B 97 TQFP
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301N-NL Fairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P\302 FAIRCHIL SOT-23
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P_NL Fairchild
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P_NL FAIRCHILD 05+06+
на замовлення 2394000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P FDN302P.pdf
FDN302P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+19.55 грн
25+ 17.06 грн
79+ 11.97 грн
216+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN302P .302..
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN302P TFDN302p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.5 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN304P FDN304P.pdf
FDN304P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+53.97 грн
25+ 25.93 грн
51+ 18.73 грн
140+ 17.66 грн
3000+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN304P FAIRS17271-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN304P Onsemi; FDN304P UMW TFDN304p UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDN304PZ FDN304PZ.pdf
FDN304PZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.35 грн
25+ 28.49 грн
50+ 19.14 грн
137+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN306P FDN306P.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.56 грн
10+ 26.45 грн
25+ 21.36 грн
66+ 14.54 грн
180+ 13.8 грн
3000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN306P FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 150
FDN306P FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN306P FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN327N fdn327n-d.pdf
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 423 @ 10; Qg, нКл = 6,3; Rds = 70 мОм; Ugs(th) = 1,5 В; Р, Вт = 0,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SSOT-3
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+8.35 грн
81+ 7.78 грн
100+ 7.22 грн
Мінімальне замовлення: 75
FDN327N FDN327N.pdf
FDN327N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+17.87 грн
25+ 15.61 грн
85+ 11.11 грн
235+ 10.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN335N FDN335N-DTE.pdf
FDN335N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.7A; 500mW; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.64 грн
25+ 19.28 грн
72+ 13.43 грн
196+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN335N UMW%20FDN335N.pdf FAIRS15854-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 1.7A 20V 0.5W 0.07Ω FDN335N TFDN335n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN336P FDN336P.pdf
FDN336P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.64 грн
25+ 21.33 грн
70+ 13.55 грн
191+ 12.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN336P fdn336p-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
P-MOSFET -1.3A -20V 0.5W 0.122Ω FDN336P TFDN336p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN337N FDN337N.pdf
FDN337N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.82 грн
25+ 19.62 грн
70+ 13.9 грн
190+ 13.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN337N fdn337n-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 30V 2.2A FDN337N TFDN337n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN338P FDN338P.pdf
FDN338P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN338P UMW%20FDN338P.pdf
Виробник: MSKSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23 MSKSEMI TFDN338p MSK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN338P UMW%20FDN338P.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2191 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDN338P UMW%20FDN338P.pdf
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P UMW TFDN338p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 250
FDN338P UMW%20FDN338P.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 260 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
260+2 грн
Мінімальне замовлення: 260
FDN338P UMW%20FDN338P.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDN338P Onsemi; FDN338P JSMICRO TFDN338p JSM
кількість в упаковці: 370 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
370+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 370
FDN338P UMW%20FDN338P.pdf
Виробник: HUASHUO
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; FDN338P SOT23-3 HUASHUO TFDN338p HUA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 809 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDN339AN FDN339AN-DTE.pdf
FDN339AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.11 грн
25+ 24.23 грн
56+ 16.95 грн
153+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN339AN ONSM-S-A0003699943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN340P FDN340P.pdf
FDN340P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -10A; 0.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 605 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.39 грн
11+ 25.17 грн
25+ 18.48 грн
92+ 10.43 грн
250+ 10.35 грн
252+ 9.86 грн
3000+ 9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN352AP FDN352AP.pdf
FDN352AP
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+18.58 грн
25+ 16.12 грн
85+ 11.64 грн
225+ 11.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN357N FDN357N.pdf
FDN357N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.9nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+34.68 грн
25+ 28.49 грн
50+ 19.22 грн
137+ 18.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN358P FDN358P.pdf
FDN358P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
P-MOSFET 1.5A 30V 0.5W 0.125Ω FDN358P TFDN358p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN359AN FDN359AN.pdf
FDN359AN
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-3
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 2.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 485 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+22.65 грн
25+ 19.71 грн
70+ 13.88 грн
190+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN359AN fdn359an-d.pdf
Виробник: Fairchild
N-MOSFET 2.7A 30V 0.5W 0.046Ω FDN359AN TFDN359an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN360P FDN360P.pdf
FDN360P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4504 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.02 грн
25+ 18.77 грн
80+ 12.34 грн
215+ 11.67 грн
3000+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN360P fdn360p-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN360P TFDN360P
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN537N fdn537n-d.pdf
FDN537N
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.49 грн
7+ 42.06 грн
25+ 30.56 грн
40+ 23.64 грн
110+ 22.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDN5618P 618.
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P TFDN5618p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 40
FDN5630 FDN5630.pdf
FDN5630
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 0.5W; SuperSOT-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 10nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SuperSOT-3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.88 грн
25+ 15.53 грн
85+ 11.5 грн
230+ 10.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDN5632N-F085 fdn5632n-f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
FDN5632N-F085 SMD N channel transistors
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.54 грн
41+ 23.49 грн
113+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDNM020.0025
Виробник: PNEUMAT
FDNM020.0025 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2703.58 грн
10+ 2169.4 грн
FDNM020.0080
Виробник: PNEUMAT
FDNM020.0080 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2951.3 грн
10+ 2407.41 грн
FDNM025.0010
Виробник: PNEUMAT
FDNM025.0010 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2843.36 грн
10+ 2303.33 грн
FDNM025.0050
Виробник: PNEUMAT
FDNM025.0050 Actuators
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3097.27 грн
10+ 2533.66 грн
FDNM025.0080
Виробник: PNEUMAT
FDNM025.0080 Actuators
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3327.28 грн
10+ 2697.46 грн
FDNM025.0100
Виробник: PNEUMAT
FDNM025.0100 Actuators
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3446.72 грн
10+ 2791.29 грн
FDN103
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN103A
Виробник: MOTOROLA
09+ SOP24
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN143
Виробник: ROHM
96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN143
Виробник: ROHM
99+ QFP
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147
Виробник: ROHM
97+ QFP
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147
Виробник: ROHM
96+ QFP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147-626
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN147B
97 TQFP
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301A
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN301N-NL
Виробник: Fairchild
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P\302
Виробник: FAIRCHIL
SOT-23
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P_NL
Виробник: Fairchild
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDN302P_NL
Виробник: FAIRCHILD
05+06+
на замовлення 2394000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]