Результат пошуку "FDS8884" : 14
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 325
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS8884 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8884 | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 651 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDS8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8884 | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET |
на замовлення 12974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8884 | Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS8884-NL | FAIRCHILD | 09+ SOP-8 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDS8884NL | FAIRCHILD |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDS8884 Код товару: 34721 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDS8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS8884 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
FDS8884 |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 30.35 грн |
25+ | 23.79 грн |
47+ | 16.9 грн |
129+ | 15.55 грн |
FDS8884 |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 651 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.43 грн |
25+ | 29.65 грн |
47+ | 20.28 грн |
129+ | 18.66 грн |
FDS8884 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
325+ | 35.45 грн |
418+ | 27.57 грн |
434+ | 26.49 грн |
500+ | 25.26 грн |
1000+ | 23.11 грн |
3000+ | 21.93 грн |
FDS8884 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FDS8884 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 40.33 грн |
18+ | 33.26 грн |
25+ | 32.92 грн |
100+ | 24.68 грн |
250+ | 21.96 грн |
500+ | 20.85 грн |
1000+ | 20.6 грн |
3000+ | 20.37 грн |
FDS8884 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
MOSFET 30V N-Channel PwrTrench MOSFET
на замовлення 12974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.44 грн |
10+ | 31.79 грн |
100+ | 22 грн |
500+ | 18.36 грн |
1000+ | 15.64 грн |
2500+ | 13.89 грн |
5000+ | 13.82 грн |