Результат пошуку "FF300R12KS4" : 19
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF300R12KS4 | Infineon Technologies |
 IGBT Modules ELECTRONIC COMPONENT |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R12KS4HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V Dauer-Kollektorstrom: 370A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95kW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950000mW 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1950W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 370 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1950 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 300A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF300R12KS4, | EUPEC IGBT | 300A1200V2U |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
FF300R12KS4 Код товару: 46572 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||
|
|
FF300R12KS4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.95kW Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FF300R12KS4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.95kW Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
| FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товар відсутній |
||||||||
|
|
FF300R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||
| FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies |
FF300R12KS4PHOSA1 |
товар відсутній |
||||||||
 |
FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies |
Dual IGBT Module with Fast IGBT2 |
товар відсутній |
|||||||
 |
FF300R12KS4PHOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товар відсутній |
|||||||
| SP000100774 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товар відсутній |
| FF300R12KS4 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules ELECTRONIC COMPONENT
IGBT Modules ELECTRONIC COMPONENT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14713.42 грн |
| 10+ | 13583.46 грн |
| 20+ | 11431.19 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 370A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95kW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - FF300R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 370 A, 3.2 V, 1.95 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2V
Dauer-Kollektorstrom: 370A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95kW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14174.06 грн |
| 5+ | 13512.03 грн |
| 10+ | 12849.99 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13034.65 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11121.32 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14056.8 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 16299.36 грн |
| 5+ | 14455.98 грн |
| 10+ | 13485.78 грн |
| FF300R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1950W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1950 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 370A 1950W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 370 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1950 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 13544.86 грн |
| 10+ | 12216.71 грн |
| FF300R12KS4PHOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 300A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14016.19 грн |
| FF300R12KS4 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
| FF300R12KS4 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| FF300R12KS4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 370A 1950W 7-Pin 62MM-1 Tray
товар відсутній