Результат пошуку "FU9024" : 33
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 21
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFU9024PBF Код товару: 49504 |
SILI |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 60 V Id,A: 8,8 A Rds(on),Om: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 570/19 Монтаж: THT |
у наявності: 223 шт
|
|
|||||||||||||||
FU9024 | IR |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FU9024N | IR |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFU9024 | Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024N | International Rectifier |
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024NPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
на замовлення 21 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC |
на замовлення 8259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 12390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp |
на замовлення 4371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFU9024AOU413 | AO |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFU9024N | IR | TO251 10+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFU9024N | IR |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFU9024PBF | IRFU9024PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SFU9024 |
на замовлення 4543 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SFU9024TU | FSC |
на замовлення 10080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFU9024N Код товару: 28049 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFU9024NPBF Код товару: 31708 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: I-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 11 А Rds(on),Om: 0,175 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/19 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRFU9024PBF Код товару: 195135 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 60 V Id,A: 8,8 A Rds(on),Om: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 570/19 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
660-083-NFU902-4 | Glenair | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFU9024 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFU9024N | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SFU9024TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHFU9024-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SIHFU9024-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA |
товар відсутній |
IRFU9024PBF Код товару: 49504 |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 223 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |
IRFU9024 |
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU9024 TIRFU9024
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 19.62 грн |
IRFU9024N |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.47 грн |
IRFU9024NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.09 грн |
12+ | 31.08 грн |
25+ | 25.33 грн |
38+ | 21.02 грн |
104+ | 19.92 грн |
IRFU9024NPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 11 А; Ptot, Вт = 38; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25; Qg, нКл = 19 @ 10 В; Rds = 175 мОм @ 6,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 21 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 57.64 грн |
100+ | 53.52 грн |
IRFU9024NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
7+ | 38.73 грн |
25+ | 30.4 грн |
38+ | 25.22 грн |
104+ | 23.91 грн |
IRFU9024NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 56.87 грн |
75+ | 44.22 грн |
150+ | 35.05 грн |
525+ | 27.88 грн |
IRFU9024NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
MOSFET MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.34 грн |
10+ | 47.69 грн |
100+ | 34.57 грн |
500+ | 27.93 грн |
1000+ | 22.08 грн |
3000+ | 20.96 грн |
6000+ | 20.9 грн |
IRFU9024NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 12390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.5 грн |
IRFU9024PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 48.88 грн |
25+ | 25.74 грн |
40+ | 20.28 грн |
108+ | 19.17 грн |
750+ | 18.42 грн |
IRFU9024PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.65 грн |
25+ | 32.08 грн |
40+ | 24.34 грн |
108+ | 23.01 грн |
750+ | 22.1 грн |
IRFU9024PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 102.37 грн |
75+ | 79.34 грн |
150+ | 62.87 грн |
525+ | 50.01 грн |
1050+ | 40.74 грн |
2025+ | 38.35 грн |
IRFU9024PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp
MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.67 грн |
10+ | 80.87 грн |
100+ | 55.34 грн |
500+ | 47.84 грн |
1000+ | 45.15 грн |
3000+ | 45.08 грн |
6000+ | 43.9 грн |
IRFU9024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET P-CH 60V 8.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.26 грн |
IRFU9024NPBF Код товару: 31708 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 11 А
Rds(on),Om: 0,175 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFU9024PBF Код товару: 195135 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
товар відсутній
660-083-NFU902-4 |
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC
Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC
товар відсутній
IRFU9024 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFU9024N |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
SFU9024TU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Trans MOSFET P-CH 60V 7.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній