Результат пошуку "IPL60R105P7" : 12

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+214.37 грн
59+ 201.22 грн
61+ 192.12 грн
100+ 177.83 грн
250+ 160.28 грн
500+ 151.13 грн
1000+ 148.4 грн
Мінімальне замовлення: 55
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+199.06 грн
10+ 186.85 грн
25+ 178.4 грн
100+ 165.13 грн
250+ 148.83 грн
500+ 140.34 грн
1000+ 137.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+162.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.35 грн
10+ 218.97 грн
25+ 187.77 грн
100+ 163.4 грн
250+ 162.08 грн
500+ 150.88 грн
1000+ 138.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+246.08 грн
53+ 220.79 грн
100+ 219.82 грн
200+ 207.28 грн
500+ 182.37 грн
Мінімальне замовлення: 48
IPL60R105P7 IPL60R105P7 Infineon Technologies Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R105P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R105P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+134.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+214.37 грн
59+ 201.22 грн
61+ 192.12 грн
100+ 177.83 грн
250+ 160.28 грн
500+ 151.13 грн
1000+ 148.4 грн
Мінімальне замовлення: 55
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+199.06 грн
10+ 186.85 грн
25+ 178.4 грн
100+ 165.13 грн
250+ 148.83 грн
500+ 140.34 грн
1000+ 137.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+162.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.35 грн
10+ 218.97 грн
25+ 187.77 грн
100+ 163.4 грн
250+ 162.08 грн
500+ 150.88 грн
1000+ 138.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+246.08 грн
53+ 220.79 грн
100+ 219.82 грн
200+ 207.28 грн
500+ 182.37 грн
Мінімальне замовлення: 48
IPL60R105P7 Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf
IPL60R105P7
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній