Результат пошуку "IPL60R105P7" : 12
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 55
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 48
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 3402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPL60R105P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 137W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 137W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 134.52 грн |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 214.37 грн |
59+ | 201.22 грн |
61+ | 192.12 грн |
100+ | 177.83 грн |
250+ | 160.28 грн |
500+ | 151.13 грн |
1000+ | 148.4 грн |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 199.06 грн |
10+ | 186.85 грн |
25+ | 178.4 грн |
100+ | 165.13 грн |
250+ | 148.83 грн |
500+ | 140.34 грн |
1000+ | 137.8 грн |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 151.61 грн |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 162.8 грн |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 251.35 грн |
10+ | 218.97 грн |
25+ | 187.77 грн |
100+ | 163.4 грн |
250+ | 162.08 грн |
500+ | 150.88 грн |
1000+ | 138.36 грн |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
48+ | 246.08 грн |
53+ | 220.79 грн |
100+ | 219.82 грн |
200+ | 207.28 грн |
500+ | 182.37 грн |
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній