Результат пошуку "IRF14" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF1404PBF IRF1404PBF
Код товару: 31360 		IR irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 834 шт
очікується: 3 шт
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF
Код товару: 26520 		IR IRF1404ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 187 шт
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1405PBF IRF1405PBF
Код товару: 27155 		IR IRF1405PBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
очікується: 100 шт
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
100+ 48.7 грн
IRF1407PBF IRF1407PBF
Код товару: 24062 		IR irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 158 шт
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1404 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.06 грн
9+ 88.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.09 грн
3+ 145.88 грн
9+ 106.79 грн
25+ 101.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.75 грн
10+ 154.82 грн
100+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+146.43 грн
10+ 125.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF IRF1404LPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 7652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.12 грн
50+ 142.82 грн
100+ 117.5 грн
500+ 93.31 грн
1000+ 79.17 грн
2000+ 75.21 грн
5000+ 71.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.68 грн
10+ 79.41 грн
12+ 68.46 грн
32+ 65.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+111.75 грн
10+ 95.29 грн
12+ 82.15 грн
32+ 78.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.76 грн
50+ 108.77 грн
100+ 89.49 грн
500+ 71.06 грн
1000+ 60.3 грн
2000+ 57.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+128.13 грн
119+ 98.01 грн
141+ 82.91 грн
250+ 79.16 грн
500+ 68.07 грн
1000+ 56.02 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.04 грн
10+ 113.53 грн
100+ 90.68 грн
500+ 73.93 грн
1000+ 64.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+85.52 грн
10+ 72.86 грн
100+ 65.59 грн
250+ 61.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies irf1404pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+140.45 грн
10+ 100.05 грн
100+ 82.33 грн
250+ 76.44 грн
500+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 288588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+62.97 грн
189+ 61.81 грн
198+ 58.99 грн
201+ 55.95 грн
500+ 51.72 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 288588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+161.12 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+161.12 грн
101+ 115.41 грн
123+ 95.27 грн
250+ 91.13 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRF1404PBF IRF1404PBF Infineon Technologies infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+119.73 грн
10+ 91.7 грн
100+ 78.05 грн
250+ 72.79 грн
500+ 63.75 грн
1000+ 52.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.35 грн
10+ 132.88 грн
100+ 105.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.81 грн
10+ 107.64 грн
100+ 95.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+145.68 грн
92+ 127.72 грн
93+ 126.45 грн
102+ 110.44 грн
250+ 101.23 грн
500+ 67.75 грн
Мінімальне замовлення: 80
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2 Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.92 грн
1600+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+111.57 грн
118+ 98.96 грн
122+ 95.57 грн
200+ 91.87 грн
500+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 105
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+134.1 грн
10+ 118 грн
25+ 116.82 грн
100+ 102.55 грн
250+ 94 грн
500+ 62.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Infineon Technologies irf1404l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.99 грн
10+ 67.77 грн
14+ 58.19 грн
38+ 55.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+94.69 грн
10+ 81.33 грн
14+ 69.83 грн
38+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.3 грн
10+ 94.06 грн
100+ 74.87 грн
500+ 59.45 грн
1000+ 50.44 грн
2000+ 47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.33 грн
166+ 70.49 грн
250+ 69.71 грн
500+ 60.95 грн
1000+ 52.43 грн
Мінімальне замовлення: 144
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.6 грн
11+ 56.94 грн
100+ 52.63 грн
250+ 50.18 грн
500+ 43.76 грн
1000+ 41.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+108.58 грн
135+ 86.37 грн
156+ 74.85 грн
250+ 71.39 грн
500+ 59.93 грн
1000+ 53.44 грн
2000+ 52.95 грн
10000+ 51.68 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.95 грн
10+ 76.67 грн
100+ 61.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.05 грн
12+ 52.19 грн
100+ 48.37 грн
250+ 46.13 грн
500+ 40.3 грн
1000+ 37.99 грн
2000+ 36.8 грн
10000+ 36.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+54.72 грн
217+ 51.83 грн
500+ 47.91 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 213
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+665.28 грн
IRF1404ZS International Rectifier Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+121.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZSPBF IRF1404ZSPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.34 грн
10+ 111.11 грн
100+ 88.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.4 грн
10+ 121.64 грн
50+ 109.11 грн
100+ 88.99 грн
250+ 80.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON 1718468.pdf Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.99 грн
250+ 80.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+125.16 грн
112+ 104.78 грн
117+ 99.93 грн
200+ 95.43 грн
500+ 80.39 грн
1000+ 72.68 грн
2000+ 71.02 грн
3200+ 68.69 грн
Мінімальне замовлення: 94
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.72 грн
1600+ 63.5 грн
2400+ 60.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405 International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.57 грн
10+ 75.99 грн
12+ 65.72 грн
33+ 62.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF
Код товару: 31360		 irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 834 шт
очікується: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+48 грн
10+ 44 грн
100+ 39.6 грн
IRF1404ZPBF
Код товару: 26520		 IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 187 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+58 грн
10+ 53.5 грн
100+ 48.9 грн
IRF1405PBF
Код товару: 27155		 IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
100+ 48.7 грн
IRF1407PBF
Код товару: 24062		 description irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1407PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 158 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 59.4 грн
IRF1404
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C; IRF1404 IRF1404 TIRF1404
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.06 грн
9+ 88.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.09 грн
3+ 145.88 грн
9+ 106.79 грн
25+ 101.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404LPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+216.75 грн
10+ 154.82 грн
100+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404LPBF infineon-irf1404l-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+146.43 грн
10+ 125.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 7652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.12 грн
50+ 142.82 грн
100+ 117.5 грн
500+ 93.31 грн
1000+ 79.17 грн
2000+ 75.21 грн
5000+ 71.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.68 грн
10+ 79.41 грн
12+ 68.46 грн
32+ 65.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.75 грн
10+ 95.29 грн
12+ 82.15 грн
32+ 78.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.76 грн
50+ 108.77 грн
100+ 89.49 грн
500+ 71.06 грн
1000+ 60.3 грн
2000+ 57.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+128.13 грн
119+ 98.01 грн
141+ 82.91 грн
250+ 79.16 грн
500+ 68.07 грн
1000+ 56.02 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRF1404PBF INFN-S-A0012838674-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+171.04 грн
10+ 113.53 грн
100+ 90.68 грн
500+ 73.93 грн
1000+ 64.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+85.52 грн
10+ 72.86 грн
100+ 65.59 грн
250+ 61.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF1404PBF irf1404pbf.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+140.45 грн
10+ 100.05 грн
100+ 82.33 грн
250+ 76.44 грн
500+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 288588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 254
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
185+62.97 грн
189+ 61.81 грн
198+ 58.99 грн
201+ 55.95 грн
500+ 51.72 грн
Мінімальне замовлення: 185
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 288588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+161.12 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+161.12 грн
101+ 115.41 грн
123+ 95.27 грн
250+ 91.13 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRF1404PBF infineon-irf1404-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.73 грн
10+ 91.7 грн
100+ 78.05 грн
250+ 72.79 грн
500+ 63.75 грн
1000+ 52.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 6 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRL
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.35 грн
10+ 132.88 грн
100+ 105.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+140.81 грн
10+ 107.64 грн
100+ 95.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+145.68 грн
92+ 127.72 грн
93+ 126.45 грн
102+ 110.44 грн
250+ 101.23 грн
500+ 67.75 грн
Мінімальне замовлення: 80
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+89.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF IRSDS10287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+95.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daf0f118b2
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+92.92 грн
1600+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+111.57 грн
118+ 98.96 грн
122+ 95.57 грн
200+ 91.87 грн
500+ 79.27 грн
Мінімальне замовлення: 105
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+134.1 грн
10+ 118 грн
25+ 116.82 грн
100+ 102.55 грн
250+ 94 грн
500+ 62.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404STRLPBF irf1404l.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+70.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.99 грн
10+ 67.77 грн
14+ 58.19 грн
38+ 55.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+94.69 грн
10+ 81.33 грн
14+ 69.83 грн
38+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.3 грн
10+ 94.06 грн
100+ 74.87 грн
500+ 59.45 грн
1000+ 50.44 грн
2000+ 47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+81.33 грн
166+ 70.49 грн
250+ 69.71 грн
500+ 60.95 грн
1000+ 52.43 грн
Мінімальне замовлення: 144
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.6 грн
11+ 56.94 грн
100+ 52.63 грн
250+ 50.18 грн
500+ 43.76 грн
1000+ 41.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+108.58 грн
135+ 86.37 грн
156+ 74.85 грн
250+ 71.39 грн
500+ 59.93 грн
1000+ 53.44 грн
2000+ 52.95 грн
10000+ 51.68 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRF1404ZPBF INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.95 грн
10+ 76.67 грн
100+ 61.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.05 грн
12+ 52.19 грн
100+ 48.37 грн
250+ 46.13 грн
500+ 40.3 грн
1000+ 37.99 грн
2000+ 36.8 грн
10000+ 36.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
213+54.72 грн
217+ 51.83 грн
500+ 47.91 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 213
IRF1404ZPBF; 190A; 40V; 220W; 0.0037R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+665.28 грн
IRF1404ZS
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+121.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF1404ZSPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
410+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 410
IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.34 грн
10+ 111.11 грн
100+ 88.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+164.4 грн
10+ 121.64 грн
50+ 109.11 грн
100+ 88.99 грн
250+ 80.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF1404ZSTRLPBF 1718468.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+88.99 грн
250+ 80.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF1404ZSTRLPBF infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+125.16 грн
112+ 104.78 грн
117+ 99.93 грн
200+ 95.43 грн
500+ 80.39 грн
1000+ 72.68 грн
2000+ 71.02 грн
3200+ 68.69 грн
Мінімальне замовлення: 94
IRF1404ZSTRLPBF IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+77.72 грн
1600+ 63.5 грн
2400+ 60.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF1405
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+49.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+49.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.57 грн
10+ 75.99 грн
12+ 65.72 грн
33+ 62.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]