Результат пошуку "IRF2805" : 31
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 123
Мінімальне замовлення: 72
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 133
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2805 | IR | 09+ SMD |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
IRF2805PBF | International Rectifier Corporation | N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
IRF2805S | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
IRF2805S | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
IRF2805 Код товару: 4025 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
IRF2805PBF Код товару: 186509 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
IRF2805LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 175A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805SPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 135A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRF2805STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 135A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
IRF2805 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 70.58 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
123+ | 93.5 грн |
138+ | 83.65 грн |
150+ | 76.94 грн |
500+ | 70.2 грн |
1000+ | 63.09 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
72+ | 161.89 грн |
77+ | 150.4 грн |
100+ | 140.82 грн |
200+ | 134.87 грн |
500+ | 114.61 грн |
1000+ | 103.46 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.91 грн |
10+ | 100.64 грн |
100+ | 75.58 грн |
500+ | 68.29 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 87.93 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 86.82 грн |
10+ | 77.67 грн |
100+ | 71.45 грн |
500+ | 65.18 грн |
1000+ | 58.58 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.16 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 87.05 грн |
10+ | 76.65 грн |
100+ | 69.76 грн |
500+ | 63.23 грн |
1000+ | 56.64 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
133+ | 86.59 грн |
151+ | 76.25 грн |
166+ | 69.39 грн |
500+ | 62.9 грн |
1000+ | 56.34 грн |
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 185.64 грн |
10+ | 148.68 грн |
100+ | 106.74 грн |
250+ | 105.42 грн |
500+ | 98.79 грн |
800+ | 76.91 грн |
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 67.68 грн |
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 74.19 грн |
1600+ | 72.72 грн |
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 73.8 грн |
1600+ | 72.34 грн |
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 98.89 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
N-кан. MOSFET 55V, 75A, 4.7мОм, 230Вт, TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF2805LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF2805PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF2805PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 175A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF2805SPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IRF2805STRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF2805STRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 135A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній