Результат пошуку "IRF610" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF610 Siliconix packaging.pdf description N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF610B ONSEMI FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF610B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 1069
IRF610B IRF610B Fairchild Semiconductor FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+22.4 грн
Мінімальне замовлення: 888
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.83 грн
17+ 21.09 грн
50+ 16.19 грн
136+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF Vishay/IR packaging.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+156 грн
10+ 80.03 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.8 грн
10+ 26.29 грн
50+ 19.43 грн
136+ 18.38 грн
1000+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY VISH-S-A0013187853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.26 грн
15+ 50.17 грн
100+ 36.85 грн
500+ 28.72 грн
1000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 235
IRF610PBF IRF610PBF Vishay Siliconix packaging.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 23851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.22 грн
50+ 47.13 грн
100+ 34.22 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 22.83 грн
2000+ 20.34 грн
5000+ 18.95 грн
10000+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.12 грн
20+ 29.53 грн
100+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+22.48 грн
712+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 509
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.34 грн
13+ 45.38 грн
100+ 21.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.62 грн
26+ 22.61 грн
100+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+66.47 грн
181+ 63.5 грн
250+ 60.95 грн
500+ 56.65 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.22 грн
50+ 47.13 грн
100+ 34.22 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 22.83 грн
2000+ 20.34 грн
5000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001305004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.38 грн
13+ 57.72 грн
25+ 54.02 грн
50+ 47.41 грн
100+ 40.59 грн
500+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF610S Siliconix sih610s.pdf N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF610S2497 IRF610S2497 Harris Corporation HRISSA14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 1567
IRF610SPBF IRF610SPBF VISHAY VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.22 грн
500+ 58.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.86 грн
10+ 61.37 грн
100+ 57.01 грн
250+ 54.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF610SPBF IRF610SPBF VISHAY VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.75 грн
10+ 96.19 грн
100+ 70.22 грн
500+ 58.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+70.93 грн
174+ 66.09 грн
187+ 61.39 грн
250+ 58.29 грн
Мінімальне замовлення: 162
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.88 грн
50+ 84.9 грн
100+ 69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.88 грн
10+ 87.74 грн
100+ 69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6100 IOR irf6100.pdf
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF IOR irf6100pbf.pdf 2004
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF IR irf6100pbf.pdf BGA-4 05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610L sih610s.pdf
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610PBF Vishay/IR packaging.pdf MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF610ZTSTU
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+157.54 грн
IRF610PBF (TO-220, IR) IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443
IR Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF610 IRF610 Vishay sih610s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF610 IRF610 Vishay Siliconix packaging.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF6100 Infineon Technologies irf6100.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6100PBF Infineon Technologies irf6100pbf.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6100PBF IRF6100PBF Infineon Technologies irf6100pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.1A 4-Pin FlipFET T/R
товар відсутній
IRF610L IRF610L Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610LPBF IRF610LPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товар відсутній
IRF610S IRF610S Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610S IRF610S Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293
irf610pbf-datasheet.pdf
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF610 description packaging.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF610B FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF610B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1069+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 1069
IRF610B FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF610B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
888+22.4 грн
Мінімальне замовлення: 888
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.83 грн
17+ 21.09 грн
50+ 16.19 грн
136+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF packaging.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156 грн
10+ 80.03 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.8 грн
10+ 26.29 грн
50+ 19.43 грн
136+ 18.38 грн
1000+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF610PBF VISH-S-A0013187853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.26 грн
15+ 50.17 грн
100+ 36.85 грн
500+ 28.72 грн
1000+ 20.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
235+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 235
IRF610PBF packaging.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 23851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.22 грн
50+ 47.13 грн
100+ 34.22 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 22.83 грн
2000+ 20.34 грн
5000+ 18.95 грн
10000+ 17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.12 грн
20+ 29.53 грн
100+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
509+22.48 грн
712+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 509
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.34 грн
13+ 45.38 грн
100+ 21.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.62 грн
26+ 22.61 грн
100+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+66.47 грн
181+ 63.5 грн
250+ 60.95 грн
500+ 56.65 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF610PBF-BE3
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 7455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.22 грн
50+ 47.13 грн
100+ 34.22 грн
500+ 26.83 грн
1000+ 22.83 грн
2000+ 20.34 грн
5000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF610PBF-BE3 VISH-S-A0001305004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+64.38 грн
13+ 57.72 грн
25+ 54.02 грн
50+ 47.41 грн
100+ 40.59 грн
500+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF610S sih610s.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF610S2497 HRISSA14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF610S2497
Виробник: Harris Corporation
Description: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1567+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 1567
IRF610SPBF VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.22 грн
500+ 58.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+65.86 грн
10+ 61.37 грн
100+ 57.01 грн
250+ 54.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF610SPBF VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.75 грн
10+ 96.19 грн
100+ 70.22 грн
500+ 58.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
162+70.93 грн
174+ 66.09 грн
187+ 61.39 грн
250+ 58.29 грн
Мінімальне замовлення: 162
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.88 грн
50+ 84.9 грн
100+ 69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.88 грн
10+ 87.74 грн
100+ 69.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6100 irf6100.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: IOR
2004
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: IR
BGA-4 05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610L sih610s.pdf
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610PBF packaging.pdf
Виробник: Vishay/IR
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF610ZTSTU
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+157.54 грн
IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443
IRF610PBF (TO-220, IR)
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF610 description sih610s.pdf
IRF610
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF610 description packaging.pdf
IRF610
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF6100 irf6100.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
IRF6100PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 5.1A 4-Pin FlipFET T/R
товар відсутній
IRF610L sih610s.pdf
IRF610L
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610LPBF sih610s.pdf
IRF610LPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товар відсутній
IRF610S sih610s.pdf
IRF610S
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610S sih610s.pdf
IRF610S
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]