Результат пошуку "IRF624" : 29

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF624PBF IRF624PBF Vishay Semiconductors irf624.pdf description MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.24 грн
10+ 64.39 грн
100+ 47.65 грн
500+ 42.19 грн
1000+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF624PBF-BE3 IRF624PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf624.pdf MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.24 грн
10+ 58.8 грн
2000+ 46.07 грн
5000+ 46 грн
10000+ 45.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF624SPBF IRF624SPBF Vishay Siliconix sihf624s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.94 грн
50+ 102.91 грн
100+ 84.66 грн
500+ 67.23 грн
1000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF624SPBF IRF624SPBF Vishay Semiconductors sihf624s.pdf MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.91 грн
10+ 114.88 грн
100+ 82.15 грн
250+ 78.86 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 58.75 грн
2000+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF624 IR irf624.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF624S IR sihf624s.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF624S IR sihf624s.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON INFN-S-A0012838177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.83 грн
10+ 191.68 грн
100+ 154.82 грн
500+ 131.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF624 IRF624
Код товару: 7924 		IR IRF624B.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF624SPBF
Код товару: 165360 		sihf624s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF624 IRF624 Vishay / Siliconix irf624.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRF624PBF
товар відсутній
IRF624 IRF624 Vishay Siliconix irf624.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624L IRF624L Vishay Siliconix irf624.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624PBF VISHAY irf624.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF624PBF VISHAY irf624.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF624PBF IRF624PBF Vishay 91029.pdf description Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF624PBF IRF624PBF Vishay irf624.pdf description Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF624PBF IRF624PBF Vishay Siliconix irf624.pdf description Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624PBF-BE3 IRF624PBF-BE3 Vishay Siliconix irf624.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624PBF-BE3 IRF624PBF-BE3 Vishay irf624.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A
товар відсутній
IRF624S IRF624S Vishay Siliconix sihf624s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624SPBF VISHAY sihf624s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF624SPBF VISHAY sihf624s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF624SPBF IRF624SPBF Vishay doc91030.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF624SPBF IRF624SPBF Vishay doc91030.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF624SPBF IRF624SPBF Vishay sihf624s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF624STRL IRF624STRL Vishay Siliconix sihf624s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624STRR IRF624STRR Vishay Siliconix sihf624s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
NTE67 NTE67 NTE Electronics nte67.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF624PBF description irf624.pdf
IRF624PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.24 грн
10+ 64.39 грн
100+ 47.65 грн
500+ 42.19 грн
1000+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF624PBF-BE3 irf624.pdf
IRF624PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.24 грн
10+ 58.8 грн
2000+ 46.07 грн
5000+ 46 грн
10000+ 45.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF624SPBF sihf624s.pdf
IRF624SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.94 грн
50+ 102.91 грн
100+ 84.66 грн
500+ 67.23 грн
1000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF624SPBF sihf624s.pdf
IRF624SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.91 грн
10+ 114.88 грн
100+ 82.15 грн
250+ 78.86 грн
500+ 69.01 грн
1000+ 58.75 грн
2000+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF624 irf624.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF624S sihf624s.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF624S sihf624s.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFB4229PBF INFN-S-A0012838177-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+269.83 грн
10+ 191.68 грн
100+ 154.82 грн
500+ 131.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF624
Код товару: 7924		 IRF624B.pdf
IRF624
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF624SPBF
Код товару: 165360		 sihf624s.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF624 irf624.pdf
IRF624
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF624PBF
товар відсутній
IRF624 irf624.pdf
IRF624
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624L irf624.pdf
IRF624L
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624PBF description irf624.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF624PBF description irf624.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF624PBF description 91029.pdf
IRF624PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF624PBF description irf624.pdf
IRF624PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF624PBF description irf624.pdf
IRF624PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624PBF-BE3 irf624.pdf
IRF624PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624PBF-BE3 irf624.pdf
IRF624PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A
товар відсутній
IRF624S sihf624s.pdf
IRF624S
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624SPBF sihf624s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF624SPBF sihf624s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF624SPBF doc91030.pdf
IRF624SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF624SPBF doc91030.pdf
IRF624SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF624SPBF sihf624s.pdf
IRF624SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF624STRL sihf624s.pdf
IRF624STRL
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF624STRR sihf624s.pdf
IRF624STRR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
NTE67 nte67.pdf
NTE67
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній