Результат пошуку "IRF7855PbF" : 6

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7855PBF International Rectifier/Infineon irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b IRSDS08103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25; Qg, нКл = 26; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7855PBF International Rectifier Corporation irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b IRSDS08103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7855PBF (транзистор) IRF7855PBF (транзистор)
Код товару: 49589 		Infineon irf7855pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1560/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7855PBF IRF7855PBF Infineon (IRF) irf7855pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7855PBF IRF7855PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN-3166211.pdf MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC
товар відсутній
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7855pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7855PBF irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b IRSDS08103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 12; Ciss, пФ @ Uds, В = 1560 @ 25; Qg, нКл = 26; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.4 грн
100+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7855PBF irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b IRSDS08103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N-CH 100V 8.3A SOIC-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7855PBF (транзистор)
Код товару: 49589		 irf7855pbf.pdf
IRF7855PBF (транзистор)
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 12 А
Rds(on), Ohm: 9,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1560/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7855PBF irf7855pbf.pdf
IRF7855PBF
Виробник: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7855PBF Infineon_IRF7855_DataSheet_v01_01_EN-3166211.pdf
IRF7855PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC
товар відсутній
IRF7855TRPBF irf7855pbf.pdf
IRF7855TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній