Результат пошуку "IRFBC30" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFBC30PBF IRFBC30PBF
Код товару: 133046 		Vishay irfbc30pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
1+21 грн
10+ 19 грн
IRFBC30 Siliconix 91110.pdf description N-MOSFET 3.6A 600V 74W 2.2Ω IRFBC30 TIRFBC30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFBC30ALPBF IRFBC30ALPBF Vishay Semiconductors Hexfet%20TO262_1.jpg MOSFET 600V N-CH HEXFET TO-26
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.45 грн
10+ 100.01 грн
100+ 69.18 грн
250+ 63.71 грн
500+ 57.65 грн
1000+ 49.35 грн
2000+ 48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 199
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Vishay Semiconductors 91108.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.37 грн
10+ 95.47 грн
100+ 75.77 грн
1000+ 71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFBC30APBF-BE3 IRFBC30APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91108.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.3 грн
10+ 94.71 грн
100+ 71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF Vishay Semiconductors 91108.pdf MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.59 грн
10+ 113.65 грн
100+ 79.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFBC30PBF IRFBC30PBF VISHAY IRFBC30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51 грн
9+ 41.66 грн
10+ 37.13 грн
24+ 33.63 грн
50+ 33.22 грн
66+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBC30PBF IRFBC30PBF VISHAY IRFBC30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+51.91 грн
10+ 44.55 грн
24+ 40.35 грн
50+ 39.86 грн
66+ 37.88 грн
250+ 37.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+70.63 грн
174+ 67.29 грн
241+ 48.56 грн
243+ 46.36 грн
Мінімальне замовлення: 166
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay Semiconductors 91110.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.09 грн
10+ 83.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.21 грн
10+ 65.77 грн
25+ 62.67 грн
50+ 43.61 грн
100+ 39.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFBC30PBF-BE3 IRFBC30PBF-BE3 Vishay / Siliconix MOSFET 600V N-CH
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.92 грн
10+ 175.02 грн
100+ 120.57 грн
250+ 111.35 грн
500+ 100.8 грн
1000+ 79.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC30SPBF IRFBC30SPBF Vishay Semiconductors IRF9Z34S_1.jpg MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.61 грн
10+ 174.27 грн
25+ 143.63 грн
100+ 122.55 грн
250+ 115.96 грн
500+ 109.37 грн
1000+ 92.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC30STRLPBF IRFBC30STRLPBF Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.84 грн
10+ 174.27 грн
25+ 143.63 грн
100+ 122.55 грн
250+ 115.96 грн
500+ 99.49 грн
800+ 87.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC30(94-4966)
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30AS IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30AS IR 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30L IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30S IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30S IR 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30S IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTE2379 NTE2379 NTE Electronics nte2379.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.42 грн
3+ 288.93 грн
4+ 234.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHFBC30A-E3 Vishay Siliconix IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFBC30 IRFBC30
Код товару: 18143 		IR 91110.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBC30A IRFBC30A
Код товару: 106982 		91108.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFBC30 IRFBC30 Vishay / Siliconix 91110.pdf description MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBC30PBF
товар відсутній
IRFBC30 IRFBC30 Vishay 91110.pdf description Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30 IRFBC30 STMicroelectronics 91110.pdf description MOSFET
товар відсутній
IRFBC30A IRFBC30A Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30ALPBF VISHAY Hexfet%20TO262_1.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30ALPBF VISHAY Hexfet%20TO262_1.jpg Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ALPBF IRFBC30ALPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRFBC30APBF VISHAY 91108.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30APBF VISHAY 91108.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Vishay 91108.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30APBF-BE3 Vishay 91108.pdf Power MOSFET
товар відсутній
IRFBC30APBF-BE3 IRFBC30APBF-BE3 Vishay 91108.pdf Power MOSFET
товар відсутній
IRFBC30ASPBF VISHAY 91108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30ASPBF VISHAY 91108.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30ASPBF IRFBC30ASPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF IRFBC30ASTRLPBF Vishay 91109.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF IRFBC30ASTRLPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF IRFBC30ASTRLPBF Vishay Semiconductors MOSFET 600V N-CH HEXFET D2-PA
товар відсутній
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30PBF IRFBC30PBF Vishay 91110.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30PBF-BE3 IRFBC30PBF-BE3 Vishay 91110.pdf Power MOSFET
товар відсутній
IRFBC30SPBF VISHAY IRF9Z34S_1.jpg Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30SPBF VISHAY IRF9Z34S_1.jpg Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30SPBF IRFBC30SPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30SPBF IRFBC30SPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30STRLPBF IRFBC30STRLPBF Vishay sihfbc30.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFBC30PBF
Код товару: 133046		 irfbc30pbf-datasheet.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 660/31
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+21 грн
10+ 19 грн
IRFBC30 description 91110.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.6A 600V 74W 2.2Ω IRFBC30 TIRFBC30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFBC30ALPBF Hexfet%20TO262_1.jpg
IRFBC30ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET TO-26
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.45 грн
10+ 100.01 грн
100+ 69.18 грн
250+ 63.71 грн
500+ 57.65 грн
1000+ 49.35 грн
2000+ 48.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30APBF 91108.pdf
IRFBC30APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
199+58.69 грн
Мінімальне замовлення: 199
IRFBC30APBF 91108.pdf
IRFBC30APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.37 грн
10+ 95.47 грн
100+ 75.77 грн
1000+ 71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30APBF 91108.pdf
IRFBC30APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+54.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFBC30APBF-BE3 91108.pdf
IRFBC30APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.3 грн
10+ 94.71 грн
100+ 71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30ASPBF 91108.pdf
IRFBC30ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.59 грн
10+ 113.65 грн
100+ 79.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC30ASPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFBC30PBF IRFBC30PBF.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51 грн
9+ 41.66 грн
10+ 37.13 грн
24+ 33.63 грн
50+ 33.22 грн
66+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBC30PBF IRFBC30PBF.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+51.91 грн
10+ 44.55 грн
24+ 40.35 грн
50+ 39.86 грн
66+ 37.88 грн
250+ 37.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC30PBF 91110.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+70.63 грн
174+ 67.29 грн
241+ 48.56 грн
243+ 46.36 грн
Мінімальне замовлення: 166
IRFBC30PBF 91110.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.09 грн
10+ 83.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC30PBF 91110.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.21 грн
10+ 65.77 грн
25+ 62.67 грн
50+ 43.61 грн
100+ 39.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC30PBF 91110.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFBC30PBF-BE3
IRFBC30PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.92 грн
10+ 175.02 грн
100+ 120.57 грн
250+ 111.35 грн
500+ 100.8 грн
1000+ 79.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC30SPBF IRF9Z34S_1.jpg
IRFBC30SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.61 грн
10+ 174.27 грн
25+ 143.63 грн
100+ 122.55 грн
250+ 115.96 грн
500+ 109.37 грн
1000+ 92.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC30STRLPBF
IRFBC30STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.84 грн
10+ 174.27 грн
25+ 143.63 грн
100+ 122.55 грн
250+ 115.96 грн
500+ 99.49 грн
800+ 87.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC30(94-4966)
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30AS
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30AS
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30L
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30S
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC30S
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTE2379 nte2379.pdf
NTE2379
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+344.42 грн
3+ 288.93 грн
4+ 234.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHFBC30A-E3
Виробник: Vishay Siliconix
IRFBC30APBF TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFBC30
Код товару: 18143		 description 91110.pdf
IRFBC30
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 475/16.5
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBC30A
Код товару: 106982		 91108.pdf
IRFBC30A
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFBC30 description 91110.pdf
IRFBC30
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBC30PBF
товар відсутній
IRFBC30 description 91110.pdf
IRFBC30
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30 description 91110.pdf
IRFBC30
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET
товар відсутній
IRFBC30A 91108.pdf
IRFBC30A
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30ALPBF Hexfet%20TO262_1.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30ALPBF Hexfet%20TO262_1.jpg
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ALPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRFBC30APBF 91108.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30APBF 91108.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30APBF 91108.pdf
IRFBC30APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30APBF 91108.pdf
IRFBC30APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30APBF-BE3 91108.pdf
Виробник: Vishay
Power MOSFET
товар відсутній
IRFBC30APBF-BE3 91108.pdf
IRFBC30APBF-BE3
Виробник: Vishay
Power MOSFET
товар відсутній
IRFBC30ASPBF 91108.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30ASPBF 91108.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30ASPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30ASPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF 91109.pdf
IRFBC30ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFBC30ASTRLPBF
IRFBC30ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET D2-PA
товар відсутній
IRFBC30PBF 91110.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30PBF 91110.pdf
IRFBC30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRFBC30PBF-BE3 91110.pdf
IRFBC30PBF-BE3
Виробник: Vishay
Power MOSFET
товар відсутній
IRFBC30SPBF IRF9Z34S_1.jpg
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30SPBF IRF9Z34S_1.jpg
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFBC30SPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30SPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRFBC30STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFBC30STRLPBF sihfbc30.pdf
IRFBC30STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]