Результат пошуку "IRFBG30" : 25
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 117
Мінімальне замовлення: 169
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 67
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 95
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFBG30PBF Код товару: 29889 |
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 1000 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 |
у наявності: 30 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFBG30 | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 1000V N-CH HEXFET |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 1000V N-CH |
на замовлення 9995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30PBF | IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STP5NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH |
на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBG30 Код товару: 18004 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 1000 V Idd,A: 3,1 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRFBG30 (Транзистор) Код товару: 51783 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFBG30 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBG30 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBG30PBF |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBG30PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NTE2399 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
IRFBG30PBF Код товару: 29889 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
у наявності: 30 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46 грн |
10+ | 41.4 грн |
IRFBG30 |
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 51.01 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.19 грн |
17+ | 47.92 грн |
46+ | 45.18 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.74 грн |
5+ | 72.51 грн |
17+ | 57.5 грн |
46+ | 54.22 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 1000V N-CH HEXFET
MOSFET 1000V N-CH HEXFET
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.08 грн |
10+ | 115.63 грн |
100+ | 87.41 грн |
250+ | 85.43 грн |
500+ | 77.55 грн |
1000+ | 70.98 грн |
2000+ | 67.69 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 106.29 грн |
10+ | 86.44 грн |
100+ | 77.37 грн |
250+ | 73.18 грн |
500+ | 61.8 грн |
1000+ | 56.65 грн |
2000+ | 51.09 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.81 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
117+ | 99.51 грн |
450+ | 90.93 грн |
900+ | 84.6 грн |
1350+ | 76.94 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
169+ | 69.23 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 100.35 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
67+ | 174.18 грн |
93+ | 126.16 грн |
IRFBG30PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 161.74 грн |
10+ | 117.15 грн |
IRFBG30PBF-BE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 122.83 грн |
99+ | 118.15 грн |
102+ | 114.14 грн |
250+ | 106.73 грн |
500+ | 96.13 грн |
IRFBG30PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 1000V N-CH
MOSFET 1000V N-CH
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 174.05 грн |
10+ | 136.79 грн |
100+ | 99.89 грн |
500+ | 84.12 грн |
1000+ | 71.63 грн |
2000+ | 70.98 грн |
IRFBG30PBF-BE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 92.88 грн |
STP5NK100Z |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 260.69 грн |
10+ | 219.17 грн |
25+ | 179.41 грн |
100+ | 155.75 грн |
250+ | 147.21 грн |
500+ | 139.98 грн |
1000+ | 118.29 грн |
IRFBG30 Код товару: 18004 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
товар відсутній
NTE2399 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній