Результат пошуку "IRFPE50" : 15
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFPE50 | Siliconix |
 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 463 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFET 800V N-CH HEXFET |
на замовлення 3909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
STW10NK80Z | STMicroelectronics |
 MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFPE50 Код товару: 4823 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 800 V Idd,A: 7,8 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
IRFPE50PBF Код товару: 47698 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
IRFPE50 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFPE50 | Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFPE50PBF |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
NTE2377 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
| IRFPE50 |
|
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 119.54 грн |
| IRFPE50PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.25 грн |
| 5+ | 152.36 грн |
| 6+ | 134.52 грн |
| 17+ | 126.97 грн |
| IRFPE50PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.5 грн |
| 5+ | 189.86 грн |
| 6+ | 161.42 грн |
| 17+ | 152.36 грн |
| IRFPE50PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 234.18 грн |
| IRFPE50PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V N-CH HEXFET
MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 332.83 грн |
| 10+ | 276.55 грн |
| 100+ | 194.36 грн |
| 500+ | 172.62 грн |
| 1000+ | 166.69 грн |
| IRFPE50PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STW10NK80Z | |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 358.2 грн |
| 10+ | 297.01 грн |
| 25+ | 182.5 грн |
| 100+ | 174.6 грн |
| 250+ | 166.69 грн |
| 600+ | 148.9 грн |
| IRFPE50 Код товару: 4823 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 7,8 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 7,8 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200
Монтаж: THT
товар відсутній
| NTE2377 |
|
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній