Результат пошуку "IRFR48ZPbF" : 4
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 2000
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFR48ZTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRFR48ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRFR48ZPBF | Infineon (IRF) |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 62A; 91W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 62A Power dissipation: 91W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||
| IRFR48ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 44A; Idm: 250A; 91W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 44A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 91W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
| IRFR48ZTRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.22 грн |
| IRFR48ZTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 21.22 грн |
| IRFR48ZPBF | |
|
Виробник: Infineon (IRF)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 62A; 91W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 62A
Power dissipation: 91W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 62A; 91W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 62A
Power dissipation: 91W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRFR48ZTRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 44A; Idm: 250A; 91W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 91W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 44A; Idm: 250A; 91W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 91W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній