Результат пошуку "IRLB" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 49
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 111
Мінімальне замовлення: 89
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 71
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 46
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 155
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 145
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 46
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 162
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 194
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 237
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 15
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLB3034PBF Код товару: 36195 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 124 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF Код товару: 113437 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 190 A Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 57 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF Код товару: 86447 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 150 A Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 243 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB8743PBF Код товару: 190955 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171 Монтаж: THT |
у наявності: 14 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB8748PBF Код товару: 100095 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 78 A Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 110 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRLB3034 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 142 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 44 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3036PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
на замовлення 3257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030 кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 195 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRLB3034PBF Код товару: 36195 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 124 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 116 грн |
10+ | 105.6 грн |
IRLB3813PBF Код товару: 113437 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 57 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
10+ | 60.5 грн |
IRLB4132PBF Код товару: 86447 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 150 A
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 243 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 28.5 грн |
IRLB8743PBF Код товару: 190955 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6201/171
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46 грн |
10+ | 41.5 грн |
IRLB8748PBF Код товару: 100095 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 78 A
Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2139pF/15V
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 110 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34 грн |
10+ | 30.6 грн |
IRLB3034 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLB3034 TIRLB3034
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 87.85 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.58 грн |
3+ | 162.24 грн |
6+ | 145.81 грн |
15+ | 137.6 грн |
50+ | 136.23 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 237.09 грн |
3+ | 202.18 грн |
6+ | 174.98 грн |
15+ | 165.12 грн |
50+ | 163.48 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 242.45 грн |
51+ | 230.06 грн |
58+ | 203.72 грн |
100+ | 189.72 грн |
250+ | 154.92 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 225.13 грн |
10+ | 213.63 грн |
25+ | 189.17 грн |
100+ | 176.17 грн |
250+ | 143.85 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.12 грн |
10+ | 208.59 грн |
25+ | 161.01 грн |
100+ | 155.1 грн |
250+ | 136.7 грн |
1000+ | 117.64 грн |
2000+ | 109.09 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.27 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 151.91 грн |
10+ | 147.06 грн |
25+ | 137.95 грн |
100+ | 129.47 грн |
250+ | 107.56 грн |
500+ | 101.03 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
111+ | 105.75 грн |
120+ | 97.02 грн |
124+ | 94.6 грн |
200+ | 90.94 грн |
500+ | 80.04 грн |
1000+ | 74.43 грн |
2000+ | 74.18 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
89+ | 131.09 грн |
100+ | 125.23 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 148.67 грн |
IRLB3034PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
71+ | 164.7 грн |
74+ | 159.45 грн |
78+ | 149.57 грн |
100+ | 140.38 грн |
250+ | 116.62 грн |
500+ | 109.54 грн |
IRLB3034PBF; 343A; 40V; 375W; 1,7mOm; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 206.24 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.18 грн |
3+ | 193.05 грн |
5+ | 167.72 грн |
13+ | 158.14 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 282.21 грн |
3+ | 240.57 грн |
5+ | 201.26 грн |
13+ | 189.76 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 254.43 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 292.11 грн |
10+ | 272.29 грн |
25+ | 224.58 грн |
100+ | 178.89 грн |
250+ | 164.03 грн |
500+ | 143.81 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.21 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 265.24 грн |
46+ | 253.84 грн |
50+ | 244.17 грн |
100+ | 227.47 грн |
250+ | 204.23 грн |
500+ | 190.72 грн |
1000+ | 186.06 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 409.42 грн |
45+ | 260.98 грн |
56+ | 211.5 грн |
100+ | 190.85 грн |
200+ | 175.85 грн |
500+ | 150.52 грн |
1000+ | 139.71 грн |
2000+ | 136.38 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 314.58 грн |
40+ | 293.23 грн |
49+ | 241.85 грн |
100+ | 192.65 грн |
250+ | 176.65 грн |
500+ | 154.88 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 244.4 грн |
10+ | 230.82 грн |
25+ | 198.29 грн |
100+ | 163.83 грн |
250+ | 150.21 грн |
500+ | 133.67 грн |
1000+ | 122.96 грн |
2000+ | 110.81 грн |
IRLB3036PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 294.42 грн |
10+ | 281.15 грн |
25+ | 194.53 грн |
100+ | 166.93 грн |
250+ | 165.61 грн |
500+ | 149.18 грн |
1000+ | 128.81 грн |
IRLB3813 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 72.5 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.05 грн |
10+ | 80.78 грн |
12+ | 69.83 грн |
32+ | 65.72 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.46 грн |
10+ | 96.94 грн |
12+ | 83.79 грн |
32+ | 78.86 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
155+ | 75.29 грн |
160+ | 72.87 грн |
174+ | 67.14 грн |
200+ | 62.97 грн |
500+ | 58.21 грн |
1000+ | 51.65 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 120.74 грн |
101+ | 115.34 грн |
250+ | 110.71 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 130.79 грн |
110+ | 106.11 грн |
129+ | 90.48 грн |
500+ | 75.67 грн |
1000+ | 62.79 грн |
2000+ | 57.32 грн |
5000+ | 56.56 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
145+ | 80.49 грн |
159+ | 73.24 грн |
176+ | 66.31 грн |
500+ | 59.64 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.48 грн |
10+ | 90.69 грн |
100+ | 67.03 грн |
500+ | 58.29 грн |
1000+ | 52.25 грн |
2000+ | 49.68 грн |
5000+ | 48.11 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 120.74 грн |
101+ | 115.34 грн |
250+ | 110.71 грн |
500+ | 102.9 грн |
1000+ | 92.18 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.32 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 122.05 грн |
10+ | 99.03 грн |
100+ | 84.44 грн |
500+ | 70.62 грн |
1000+ | 58.6 грн |
2000+ | 53.5 грн |
5000+ | 52.78 грн |
IRLB3813PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 113.64 грн |
10+ | 93.51 грн |
100+ | 79.12 грн |
500+ | 66.17 грн |
IRLB4030 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 139.71 грн |
IRLB4030 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 139.71 грн |
IRLB4030 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 3 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; IRLB4030 TIRLB4030
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 177.63 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 249.92 грн |
3+ | 205.37 грн |
5+ | 177.99 грн |
13+ | 168.41 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 299.91 грн |
3+ | 255.93 грн |
5+ | 213.59 грн |
13+ | 202.09 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 294.42 грн |
10+ | 250.16 грн |
25+ | 196.5 грн |
100+ | 167.58 грн |
250+ | 165.61 грн |
500+ | 150.5 грн |
1000+ | 136.04 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 236.38 грн |
10+ | 211.23 грн |
25+ | 192.88 грн |
50+ | 177.84 грн |
100+ | 150.02 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 331.81 грн |
42+ | 281.36 грн |
55+ | 213.44 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.64 грн |
IRLB4030PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 256.29 грн |
51+ | 229.02 грн |
56+ | 209.12 грн |
59+ | 192.81 грн |
100+ | 162.65 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.77 грн |
10+ | 35.6 грн |
25+ | 31.7 грн |
29+ | 27.31 грн |
80+ | 25.81 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 68.12 грн |
6+ | 44.36 грн |
25+ | 38.03 грн |
29+ | 32.78 грн |
80+ | 30.97 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
162+ | 71.99 грн |
190+ | 61.32 грн |
194+ | 60.05 грн |
205+ | 54.82 грн |
500+ | 47.47 грн |
1000+ | 42.83 грн |
2000+ | 34.02 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 52.48 грн |
13+ | 45.39 грн |
100+ | 37.41 грн |
500+ | 26.55 грн |
1000+ | 23.35 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
194+ | 60.13 грн |
250+ | 46.69 грн |
500+ | 31.88 грн |
1000+ | 28.95 грн |
2000+ | 26.31 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 67.94 грн |
11+ | 55.83 грн |
100+ | 43.36 грн |
500+ | 28.54 грн |
1000+ | 24.89 грн |
2000+ | 23.45 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
237+ | 49.21 грн |
288+ | 40.56 грн |
500+ | 29.84 грн |
1000+ | 27.34 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.47 грн |
10+ | 54.34 грн |
100+ | 37.13 грн |
500+ | 30.95 грн |
1000+ | 25.76 грн |
2000+ | 24.45 грн |
5000+ | 23.53 грн |
IRLB4132PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.39 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]