Результат пошуку "IRLH6224" : 10
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 146
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V |
на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable |
на замовлення 8752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLH6224TRPBF |
IRLH6224TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRLH6224 | Infineon Technologies |
Infineon |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRLH6224TR2PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRLH6224TR2PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRLH6224TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
| IRLH6224TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
на замовлення 3915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.28 грн |
| 10+ | 70.65 грн |
| 100+ | 54.96 грн |
| 500+ | 43.72 грн |
| 1000+ | 35.61 грн |
| 2000+ | 33.52 грн |
| IRLH6224TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 146+ | 80.14 грн |
| 160+ | 72.96 грн |
| 197+ | 59.38 грн |
| 210+ | 53.51 грн |
| 500+ | 49.46 грн |
| 1000+ | 42.17 грн |
| 4000+ | 38.34 грн |
| IRLH6224TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.61 грн |
| 10+ | 78.6 грн |
| 100+ | 53.1 грн |
| 500+ | 44.95 грн |
| 1000+ | 36.67 грн |
| 2000+ | 34.5 грн |
| 4000+ | 32.53 грн |
| IRLH6224TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 42.68 грн |
| IRLH6224TR2PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
товар відсутній
| IRLH6224TR2PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
Description: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
товар відсутній
| IRLH6224TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3710 pF @ 10 V
товар відсутній
| IRLH6224TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 28A 8-Pin QFN EP T/R
товар відсутній