Результат пошуку "IXA60IF1200NA" : 7

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS IXA60IF1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1559.99 грн
2+ 1369.83 грн
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 290 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2012.57 грн
10+ 1722.39 грн
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS media-3319601.pdf IGBT Modules XPT IGBT Copack
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2185.93 грн
10+ 1986.16 грн
20+ 1692.93 грн
50+ 1569.37 грн
IXA60IF1200NA
Код товару: 116936 		littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA IXYS IXA60IF1200NA.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1871.98 грн
2+ 1707.02 грн
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V
товар відсутній
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1559.99 грн
2+ 1369.83 грн
IXA60IF1200NA littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 1200V 88A 290W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 88 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 290 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2012.57 грн
10+ 1722.39 грн
IXA60IF1200NA media-3319601.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: IXYS
IGBT Modules XPT IGBT Copack
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2185.93 грн
10+ 1986.16 грн
20+ 1692.93 грн
50+ 1569.37 грн
IXA60IF1200NA
Код товару: 116936		 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixa60if1200na_datasheet.pdf.pdf
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXA60IF1200NA IXA60IF1200NA.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 56A; SOT227B
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 290W
Technology: XPT™
Features of semiconductor devices: high voltage
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1871.98 грн
2+ 1707.02 грн
IXA60IF1200NA media.pdf
IXA60IF1200NA
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V
товар відсутній