Результат пошуку "K9K8" : 59
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| K9K8G08U0B-PCB0 | Samsung |
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, 0?70°C Replacement for: K9K8G08U0B-PCB0. K9K8G08U0D-SCB0 PEFNAND08G08-025 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| K9K8G08U0A | SAMSUNG |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0A-PCB0T00 | Samsung |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0A-PIB0 | SAMSUNG |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0A-PIBO | SAMSUNG |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0APCB | SAMSUNG |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0APCB0 | SAMSUNG |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0APIB |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08U0APIB0 | SAMSUNG |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0APIBO | SAMSUNG |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0B-PIB0 | SAMSUNG |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0B-PIBO | samsung | 10+ |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| K9K8G08U0BPIB0 | SAMSUNG |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0D-SCB0000 |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08U0E-SCB | Samsung |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0E-SCB0000 | Samsung |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0F-SIB0 | Samsung |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U0M-PCB0 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08U0M-PCB0 | SAMSUNG 0901+ TSSOP48 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U1A-IIBO | SAMSUNG | 07+ |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| K9K8G08U1A-IIBO | SAMSUNG | 07+ |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| K9K8G08U1A-PCB0 |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08U1A-PIB0 | SAMSUNG |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U1APCB0 | SAMSUNG |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08U1APIB0 | SAMSUNG |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOA-PIBO |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOAPCB0 | SAMSUNG |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOAPIBO | SAMSUNG |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOB-PCB0 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOB-PCBO |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOB-PIBO |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOB-PIBO | SUMSUNG |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOB/PCBO |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOBPIBO | SAMSUNG |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOM | SAMSUNG | 03+ TSOP48 |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| K9K8G08UOM-PCBO | SAM |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOM-PCBO | SAMSU | 09+ |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| K9K8G08UOM-PIBO | SAM |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOM-YCBO |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOM-YIBO |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| K9K8G08UOMPCBO | SAMSUNG |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOMPIBO | SAM |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOMYCBO | SAMSUNG |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| K9K8G08UOMYIBO | SAMSUNG |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BUK9K89-100E,115 | Nexperia |
 MOSFET BUK9K89-100E/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 2459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BUK9K8R7-40EX | Nexperia |
MOSFET BUK9K8R7-40E/SOT1205/LFPAK56D |
на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S34ML08G101TFI200 | SPANSION |
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| TH58NVG3S0HTA00_TRAY | Toshiba |
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
K9K8G08U0B-PCB0 Код товару: 149247 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
K9K8G08U0B-PIB (K9K8G08U0B-PIB00) Код товару: 106521 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
K9K8G08U0D-SIB0 (K9K8G08U0D-SIB0T00) Код товару: 103166 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
K9K8G08U0E-SIB0000 Код товару: 104985 |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
| BUK9K89-100E,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.9A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |
||||||||||||||
| BUK9K89-100E,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.9A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| BUK9K8R7-40EX | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 211A Power dissipation: 53W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |
||||||||||||||
| BUK9K8R7-40EX | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 211A Power dissipation: 53W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 18.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
| K9K8G08U0B-PCB0 |
Виробник: Samsung
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, 0?70°C Replacement for: K9K8G08U0B-PCB0. K9K8G08U0D-SCB0 PEFNAND08G08-025
кількість в упаковці: 2 шт
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, 0?70°C Replacement for: K9K8G08U0B-PCB0. K9K8G08U0D-SCB0 PEFNAND08G08-025
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 409.23 грн |
| BUK9K89-100E,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET BUK9K89-100E/SOT1205/LFPAK56D
MOSFET BUK9K89-100E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.14 грн |
| 10+ | 59.71 грн |
| 100+ | 40.42 грн |
| 500+ | 34.24 грн |
| 1000+ | 31.09 грн |
| 1500+ | 26.42 грн |
| BUK9K8R7-40EX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET BUK9K8R7-40E/SOT1205/LFPAK56D
MOSFET BUK9K8R7-40E/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.72 грн |
| 10+ | 54.04 грн |
| 100+ | 41.34 грн |
| 500+ | 37.92 грн |
| 1000+ | 36.01 грн |
| 1500+ | 30.56 грн |
| S34ML08G101TFI200 |
|
Виробник: SPANSION
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
кількість в упаковці: 5 шт
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 519.77 грн |
| TH58NVG3S0HTA00_TRAY |
Виробник: Toshiba
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
кількість в упаковці: 2 шт
Parallel NAND Flash, 8Gbit (512K Pages, 2kB+64B/Page), 25ns, 2.7?3.6V, -40?85°C NAND08GW3C2BN6E, S34ML08G101TFI000, S34ML08G101TFI200, S34ML08G101TFI203 K9K8G08U0B-PIB0 PEFNAND08G08-025t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 487.87 грн |
| BUK9K89-100E,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
| BUK9K89-100E,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| BUK9K8R7-40EX |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
| BUK9K8R7-40EX |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній