Результат пошуку "MMBTH10" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G
Код товару: 175304 		ON datasheet-mmbth10lt1g.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 650 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Монтаж: SMD
у наявності: 253 шт
2+3 грн
10+ 2.5 грн
100+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
MMBTH10 MMBTH10 ONSEMI ONSM-S-A0003546829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10 - TRANSISTOR, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MMBTH10 MMBTH10 ON Semiconductor mpsh10jp-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 419
MMBTH10 MMBTH10 Fairchild Semiconductor FAIRS01850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MMBTH10 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 4809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8876
MMBTH10 MMBTH10 onsemi DS_261_MPSH10.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8876+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8876
MMBTH10 MMBTH10 ON Semiconductor mpsh10jp-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7854+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 7854
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 232469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.71 грн
36+ 8.61 грн
100+ 4.7 грн
1000+ 3.18 грн
3000+ 2.39 грн
9000+ 2.19 грн
24000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 55774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.92 грн
20+ 14.22 грн
25+ 11.87 грн
100+ 7.06 грн
250+ 5.45 грн
500+ 4.64 грн
1000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.91 грн
63+ 9.27 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
6000+ 2.64 грн
15000+ 2.24 грн
30000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10-4LT1G MMBTH10-4LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.66 грн
73+ 10.18 грн
130+ 5.74 грн
500+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 36
MMBTH10-7 MMBTH10-7 Diodes Incorporated ds31031.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.82 грн
12+ 24.23 грн
25+ 22.14 грн
100+ 15.47 грн
250+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F DIODES INC. DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.91 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Zetex ds31031.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+8.35 грн
124+ 4.65 грн
259+ 2.23 грн
1000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 69
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Zetex ds31031.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Zetex ds31031.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Incorporated ds31031.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.07 грн
6000+ 2.58 грн
15000+ 2.19 грн
30000+ 1.93 грн
75000+ 1.81 грн
150000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Incorporated ds31031.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.4 грн
27+ 11.66 грн
100+ 4.64 грн
1000+ 3.11 грн
3000+ 2.45 грн
9000+ 2.12 грн
24000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Zetex ds31031.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1183+9.82 грн
1230+ 9.45 грн
1279+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 1183
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Incorporated ds31031.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 172583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.92 грн
20+ 13.8 грн
25+ 11.57 грн
100+ 6.89 грн
250+ 5.32 грн
500+ 4.53 грн
1000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F Diodes Zetex ds31031.pdf Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.69 грн
57+ 10.14 грн
59+ 9.8 грн
100+ 9.12 грн
250+ 8.14 грн
500+ 7.52 грн
1000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10-7-F MMBTH10-7-F DIODES INC. DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.41 грн
55+ 13.68 грн
132+ 5.66 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10-TP MMBTH10-TP Micro Commercial Co MMBTH10(SOT-23).pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.77 грн
23+ 12.42 грн
27+ 10.44 грн
100+ 6.2 грн
250+ 4.79 грн
500+ 4.08 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
MMBTH10LT1 MMBTH10LT1 onsemi NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf Description: TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 193066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MMBTH10LT1 ONSEMI ONSMD00052-1048.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10LT1 - MMBTH10L - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 193066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
107+3.49 грн
122+ 2.85 грн
371+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 107
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI mmbth10lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
64+4.19 грн
100+ 3.55 грн
371+ 2.61 грн
1020+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 64
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.89 грн
61+ 9.48 грн
100+ 5.61 грн
250+ 4.91 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 2.77 грн
3000+ 2.64 грн
6000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 122588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.92 грн
20+ 14.01 грн
25+ 11.76 грн
100+ 6.99 грн
250+ 5.39 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.41 грн
60+ 12.41 грн
109+ 6.88 грн
500+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3927
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ONSEMI 1747968.pdf Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4179+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 4179
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1855+6.26 грн
1961+ 5.92 грн
2243+ 5.18 грн
3334+ 3.36 грн
3505+ 2.96 грн
6000+ 2.7 грн
15000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 1855
MMBTH10LT1G ONSEMI ONSM-S-A0002809649-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1032719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
6000+ 2.61 грн
15000+ 2.22 грн
30000+ 1.96 грн
75000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.4 грн
27+ 11.43 грн
100+ 4.77 грн
1000+ 3.25 грн
3000+ 2.52 грн
9000+ 2.12 грн
24000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1G ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.92 грн
20+ 14.01 грн
25+ 11.76 грн
100+ 6.99 грн
250+ 5.39 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.08 грн
2500+ 2.77 грн
5000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.31 грн
30000+ 2.09 грн
50000+ 1.96 грн
100000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G onsemi MMBTH10LT1_D-2315986.pdf Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 262-271 дні (днів)
16+19.4 грн
24+ 13.11 грн
100+ 6.1 грн
1000+ 3.25 грн
2500+ 2.78 грн
10000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G ON Semiconductor mmbth10m3-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.41 грн
16000+ 3.27 грн
24000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G onsemi mmbth10m3-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.22 грн
16+ 17.6 грн
25+ 14.71 грн
100+ 8.74 грн
250+ 6.75 грн
500+ 5.75 грн
1000+ 3.85 грн
2500+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G onsemi mmbth10m3-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 8000
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G onsemi MMBTH10M3_D-2316021.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT723 VHF NPN TRANS
на замовлення 23935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.43 грн
19+ 16.38 грн
100+ 5.9 грн
1000+ 4.04 грн
2500+ 3.64 грн
8000+ 2.45 грн
24000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G ON Semiconductor mmbth10m3-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.16 грн
16000+ 3.04 грн
24000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 8000
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3T5G ON Semiconductor mmbth10m3d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 16000
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189330_1-2543124.pdf Bipolar Transistors - BJT RF Transistor
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.45 грн
14+ 23.16 грн
100+ 12.85 грн
1000+ 7.75 грн
3000+ 7.02 грн
9000+ 5.7 грн
45000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.48 грн
30+ 25.35 грн
100+ 14.42 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 23
MMBTH10Q-7-F Diodes Zetex mmbth10q.pdf NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.2 грн
6000+ 6.64 грн
9000+ 5.98 грн
30000+ 5.53 грн
75000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.42 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated MMBTH10Q.pdf Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.52 грн
14+ 19.95 грн
100+ 11.95 грн
500+ 10.39 грн
1000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
MMBTH10RG MMBTH10RG Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002364165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 135330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4438+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 4438
MMBTH10RG MMBTH10RG ONSEMI ONSM-S-A0003546783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTH10RG - MMBTH10RG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 135330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MMBTH10(3E)
на замовлення 30545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10(3EM)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10LT1G
Код товару: 175304		 datasheet-mmbth10lt1g.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 650 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Монтаж: SMD
у наявності: 253 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3 грн
10+ 2.5 грн
100+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
MMBTH10 ONSM-S-A0003546829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10 - TRANSISTOR, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 12000
MMBTH10 mpsh10jp-d.pdf
MMBTH10
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
419+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 419
MMBTH10 FAIRS01850-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBTH10
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MMBTH10 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 4809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8876+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8876
MMBTH10 DS_261_MPSH10.pdf
MMBTH10
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8876+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 8876
MMBTH10 mpsh10jp-d.pdf
MMBTH10
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7854+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 7854
MMBTH10-4LT1G ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10-4LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTH10-4LT1G MMBTH10LT1_D-2315986.pdf
MMBTH10-4LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 232469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.71 грн
36+ 8.61 грн
100+ 4.7 грн
1000+ 3.18 грн
3000+ 2.39 грн
9000+ 2.19 грн
24000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 17
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10-4LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 55774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.92 грн
20+ 14.22 грн
25+ 11.87 грн
100+ 7.06 грн
250+ 5.45 грн
500+ 4.64 грн
1000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10-4LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+16.91 грн
63+ 9.27 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10-4LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10-4LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.15 грн
6000+ 2.64 грн
15000+ 2.24 грн
30000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10-4LT1G ONSM-S-A0002809649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10-4LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+20.66 грн
73+ 10.18 грн
130+ 5.74 грн
500+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 36
MMBTH10-7 ds31031.pdf
MMBTH10-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.82 грн
12+ 24.23 грн
25+ 22.14 грн
100+ 15.47 грн
250+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
MMBTH10-7-F DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.91 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+8.35 грн
124+ 4.65 грн
259+ 2.23 грн
1000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 69
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.07 грн
6000+ 2.58 грн
15000+ 2.19 грн
30000+ 1.93 грн
75000+ 1.81 грн
150000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
на замовлення 6377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.4 грн
27+ 11.66 грн
100+ 4.64 грн
1000+ 3.11 грн
3000+ 2.45 грн
9000+ 2.12 грн
24000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1183+9.82 грн
1230+ 9.45 грн
1279+ 9.08 грн
Мінімальне замовлення: 1183
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 172583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.92 грн
20+ 13.8 грн
25+ 11.57 грн
100+ 6.89 грн
250+ 5.32 грн
500+ 4.53 грн
1000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10-7-F ds31031.pdf
MMBTH10-7-F
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+16.69 грн
57+ 10.14 грн
59+ 9.8 грн
100+ 9.12 грн
250+ 8.14 грн
500+ 7.52 грн
1000+ 7.23 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10-7-F DIODS10603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+21.41 грн
55+ 13.68 грн
132+ 5.66 грн
500+ 3.91 грн
1000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10-TP MMBTH10(SOT-23).pdf
MMBTH10-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+15.77 грн
23+ 12.42 грн
27+ 10.44 грн
100+ 6.2 грн
250+ 4.79 грн
500+ 4.08 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
MMBTH10LT1 NSV%2CS%2CMMBTH10L%284L%29.pdf
MMBTH10LT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 193066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 6662
MMBTH10LT1 ONSMD00052-1048.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1 - MMBTH10L - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 193066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
107+3.49 грн
122+ 2.85 грн
371+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 107
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+4.19 грн
100+ 3.55 грн
371+ 2.61 грн
1020+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 64
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+16.89 грн
61+ 9.48 грн
100+ 5.61 грн
250+ 4.91 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 2.77 грн
3000+ 2.64 грн
6000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 122588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.92 грн
20+ 14.01 грн
25+ 11.76 грн
100+ 6.99 грн
250+ 5.39 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G 1747968.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+21.41 грн
60+ 12.41 грн
109+ 6.88 грн
500+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 35
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3927+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3927
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G 1747968.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4179+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 4179
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1855+6.26 грн
1961+ 5.92 грн
2243+ 5.18 грн
3334+ 3.36 грн
3505+ 2.96 грн
6000+ 2.7 грн
15000+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 1855
MMBTH10LT1G ONSM-S-A0002809649-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1032719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.12 грн
6000+ 2.61 грн
15000+ 2.22 грн
30000+ 1.96 грн
75000+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT1G MMBTH10LT1_D-2315986.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.4 грн
27+ 11.43 грн
100+ 4.77 грн
1000+ 3.25 грн
3000+ 2.52 грн
9000+ 2.12 грн
24000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10LT1G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10LT3G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT3G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.92 грн
20+ 14.01 грн
25+ 11.76 грн
100+ 6.99 грн
250+ 5.39 грн
500+ 4.6 грн
1000+ 3.08 грн
2500+ 2.77 грн
5000+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10LT3G mmbth10lt1-d.pdf
MMBTH10LT3G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.31 грн
30000+ 2.09 грн
50000+ 1.96 грн
100000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBTH10LT3G MMBTH10LT1_D-2315986.pdf
MMBTH10LT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 262-271 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.4 грн
24+ 13.11 грн
100+ 6.1 грн
1000+ 3.25 грн
2500+ 2.78 грн
10000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
MMBTH10M3T5G mmbth10m3-d.pdf
MMBTH10M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.41 грн
16000+ 3.27 грн
24000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 8000
MMBTH10M3T5G mmbth10m3-d.pdf
MMBTH10M3T5G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.22 грн
16+ 17.6 грн
25+ 14.71 грн
100+ 8.74 грн
250+ 6.75 грн
500+ 5.75 грн
1000+ 3.85 грн
2500+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
MMBTH10M3T5G mmbth10m3-d.pdf
MMBTH10M3T5G
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 8000
MMBTH10M3T5G MMBTH10M3_D-2316021.pdf
MMBTH10M3T5G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SOT723 VHF NPN TRANS
на замовлення 23935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.43 грн
19+ 16.38 грн
100+ 5.9 грн
1000+ 4.04 грн
2500+ 3.64 грн
8000+ 2.45 грн
24000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
MMBTH10M3T5G mmbth10m3-d.pdf
MMBTH10M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+3.16 грн
16000+ 3.04 грн
24000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 8000
MMBTH10M3T5G mmbth10m3d.pdf
MMBTH10M3T5G
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 16000
MMBTH10Q-7-F DIOD_S_A0009189330_1-2543124.pdf
MMBTH10Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT RF Transistor
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.45 грн
14+ 23.16 грн
100+ 12.85 грн
1000+ 7.75 грн
3000+ 7.02 грн
9000+ 5.7 грн
45000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
MMBTH10Q-7-F DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10Q-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.48 грн
30+ 25.35 грн
100+ 14.42 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 23
MMBTH10Q-7-F mmbth10q.pdf
Виробник: Diodes Zetex
NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q.pdf
MMBTH10Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.2 грн
6000+ 6.64 грн
9000+ 5.98 грн
30000+ 5.53 грн
75000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBTH10Q-7-F DIOD-S-A0009189330-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10Q-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.42 грн
500+ 10.35 грн
1000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
MMBTH10Q-7-F MMBTH10Q.pdf
MMBTH10Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.52 грн
14+ 19.95 грн
100+ 11.95 грн
500+ 10.39 грн
1000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
MMBTH10RG FAIR-S-A0002364165-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBTH10RG
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 135330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4438+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 4438
MMBTH10RG ONSM-S-A0003546783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTH10RG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10RG - MMBTH10RG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 135330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 6000
MMBTH10(3E)
на замовлення 30545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMBTH10(3EM)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]