Результат пошуку "Mun2211" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN) MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28336 		ON MMUN2211LT1-D.PDF Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 2251 шт
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.95 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
mun2211jt1 mun2211jt1 onsemi Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211JT1 MUN2211JT1 ONSEMI Description: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G ONSEMI ONSMS26118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G MUN2211JT1G onsemi Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T1 ONSEMI ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2211T1 MUN2211T1 onsemi MUN2211T1%20Series.pdf Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.48 грн
200+ 1.73 грн
500+ 1.52 грн
625+ 1.32 грн
1675+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.81 грн
6000+ 1.65 грн
9000+ 1.4 грн
30000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6025+1.93 грн
6098+ 1.91 грн
6123+ 1.9 грн
6148+ 1.83 грн
6173+ 1.68 грн
15000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 6025
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
9000+ 1.44 грн
24000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
9000+ 1.38 грн
24000+ 1.25 грн
45000+ 0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+12.31 грн
98+ 7.59 грн
193+ 3.83 грн
500+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G MUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 50299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.66 грн
39+ 7.12 грн
100+ 3.86 грн
500+ 2.85 грн
1000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+1.87 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 6225
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+5.83 грн
158+ 3.66 грн
161+ 3.58 грн
317+ 1.76 грн
322+ 1.6 грн
500+ 1.52 грн
1000+ 1.48 грн
3000+ 1.43 грн
6000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 99
MUN2211T1G MUN2211T1G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G MUN2211T1G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6250+1.86 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.55 грн
45000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 6250
MUN2211T1G ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 818282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T3 MUN2211T3 onsemi MUN2211T1%20Series.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T3 ONSEMI ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3G ONSEMI ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3G MUN2211T3G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
30000+ 1.75 грн
60000+ 1.64 грн
90000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G MUN2211T3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G MUN2211T3G ON Semiconductor dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3G MUN2211T3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 28261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+10.66 грн
39+ 7.12 грн
100+ 3.86 грн
500+ 2.85 грн
1000+ 1.98 грн
2000+ 1.64 грн
5000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211 MOT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211 MOT SOT-23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
mun2211jt1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 ON MUN2211T1%20Series.pdf 04+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 ON MUN2211T1%20Series.pdf SOT23
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1/8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1B ON SOT23/SOT323
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211LT1 MMUN2211LT1 onsemi MMUN2211LT1-D.pdf description Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 79764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.06 грн
250+ 1.49 грн
500+ 1.2 грн
750+ 1.07 грн
2025+ 1.02 грн
3000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 200
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.48 грн
150+ 1.86 грн
500+ 1.44 грн
750+ 1.29 грн
2025+ 1.22 грн
3000+ 1.2 грн
12000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 125
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 157172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+8.53 грн
49+ 5.68 грн
100+ 3.05 грн
500+ 2.25 грн
1000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.43 грн
6000+ 1.31 грн
9000+ 1.11 грн
30000+ 0.96 грн
75000+ 0.83 грн
150000+ 0.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMUN2211LT3 MMUN2211LT3 onsemi MMUN2211LT1-D.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 515000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 51159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+9.73 грн
106+ 6.97 грн
250+ 2.95 грн
500+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 76
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+8.53 грн
49+ 5.68 грн
100+ 3.05 грн
500+ 2.25 грн
1000+ 1.56 грн
2000+ 1.3 грн
5000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT3G MMUN2211LT3G ONSEMI 2255300.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 51159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.73 грн
90+ 3.83 грн
100+ 3.44 грн
300+ 2.64 грн
825+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 40
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.68 грн
55+ 4.78 грн
100+ 4.13 грн
300+ 3.16 грн
825+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.8 грн
32+ 8.76 грн
100+ 4.74 грн
500+ 3.49 грн
1000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
SMMUN2211LT1G SMMUN2211LT1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.22 грн
6000+ 2.03 грн
9000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMUN2211T1G SMUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.93 грн
28+ 9.86 грн
100+ 4.81 грн
500+ 3.76 грн
1000+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
SMUN2211T1G SMUN2211T1G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
6000+ 2.24 грн
9000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMUN2211T3G SMUN2211T3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.93 грн
28+ 9.86 грн
100+ 4.81 грн
500+ 3.76 грн
1000+ 2.61 грн
2000+ 2.26 грн
5000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
SMUN2211T3G SMUN2211T3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
30000+ 1.82 грн
50000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMUN2211T3G SMUN2211T3G onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 431174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
LMUN2211LT1G LRC SOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211 ON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211LTIG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211RLT1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211RLT1/MMUN2211LT1
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28336		 MMUN2211LT1-D.PDF
MMUN2211LT1G (транзистор біполярний NPN)
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 60
Примітка: Цифровий транзистор
Монтаж: SMD
у наявності: 2251 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1.2 грн
100+ 0.95 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
mun2211jt1
mun2211jt1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211JT1
MUN2211JT1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211JT1 - TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G ONSMS26118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211JT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211JT1G
MUN2211JT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T1 ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1 - TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 9000
MUN2211T1 MUN2211T1%20Series.pdf
MUN2211T1
Виробник: onsemi
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5323+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 5323
MUN2211T1G MUN2211.PDF
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.23W; SC59; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.23W
Case: SC59
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.48 грн
200+ 1.73 грн
500+ 1.52 грн
625+ 1.32 грн
1675+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 150
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.81 грн
6000+ 1.65 грн
9000+ 1.4 грн
30000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6025+1.93 грн
6098+ 1.91 грн
6123+ 1.9 грн
6148+ 1.83 грн
6173+ 1.68 грн
15000+ 1.61 грн
Мінімальне замовлення: 6025
MUN2211T1G 473703159066984dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.63 грн
9000+ 1.44 грн
24000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.55 грн
9000+ 1.38 грн
24000+ 1.25 грн
45000+ 0.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN2211T1G 2255300.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+12.31 грн
98+ 7.59 грн
193+ 3.83 грн
500+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 60
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 50299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.66 грн
39+ 7.12 грн
100+ 3.86 грн
500+ 2.85 грн
1000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6225+1.87 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 6225
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 29851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
99+5.83 грн
158+ 3.66 грн
161+ 3.58 грн
317+ 1.76 грн
322+ 1.6 грн
500+ 1.52 грн
1000+ 1.48 грн
3000+ 1.43 грн
6000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 99
MUN2211T1G 2255300.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN2211T1G dtc114e-d.pdf
MUN2211T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6250+1.86 грн
9000+ 1.63 грн
24000+ 1.55 грн
45000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 6250
MUN2211T1G ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 818282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MUN2211T3 MUN2211T1%20Series.pdf
MUN2211T3
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MUN2211T3 ONSMS21501-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T3 - MUN2211T3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3G ONSM-S-A0005578160-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN2211T3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 20000
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.92 грн
30000+ 1.75 грн
60000+ 1.64 грн
90000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
MUN2211T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 28261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.66 грн
39+ 7.12 грн
100+ 3.86 грн
500+ 2.85 грн
1000+ 1.98 грн
2000+ 1.64 грн
5000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 27
MUN2211
Виробник: MOT
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211
Виробник: MOT
SOT-23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
mun2211jt1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211LT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 MUN2211T1%20Series.pdf
Виробник: ON
04+ SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1 MUN2211T1%20Series.pdf
Виробник: ON
SOT23
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1/8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T1B
Виробник: ON
SOT23/SOT323
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN2211T3G dtc114e-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211LT1 description MMUN2211LT1-D.pdf
MMUN2211LT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 79764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.06 грн
250+ 1.49 грн
500+ 1.2 грн
750+ 1.07 грн
2025+ 1.02 грн
3000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 200
MMUN2211LT1G MUN2211.PDF
MMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+2.48 грн
150+ 1.86 грн
500+ 1.44 грн
750+ 1.29 грн
2025+ 1.22 грн
3000+ 1.2 грн
12000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 125
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 157172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.53 грн
49+ 5.68 грн
100+ 3.05 грн
500+ 2.25 грн
1000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.43 грн
6000+ 1.31 грн
9000+ 1.11 грн
30000+ 0.96 грн
75000+ 0.83 грн
150000+ 0.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
MMUN2211LT3 MMUN2211LT1-D.pdf
MMUN2211LT3
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 515000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 51159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+9.73 грн
106+ 6.97 грн
250+ 2.95 грн
500+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 76
MMUN2211LT3G dtc114e-d.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.53 грн
49+ 5.68 грн
100+ 3.05 грн
500+ 2.25 грн
1000+ 1.56 грн
2000+ 1.3 грн
5000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 34
MMUN2211LT3G 2255300.pdf
MMUN2211LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2211LT3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MUN2211 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 51159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
SMMUN2211LT1G MUN2211.PDF
SMMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+9.73 грн
90+ 3.83 грн
100+ 3.44 грн
300+ 2.64 грн
825+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 40
SMMUN2211LT1G MUN2211.PDF
SMMUN2211LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.68 грн
55+ 4.78 грн
100+ 4.13 грн
300+ 3.16 грн
825+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.8 грн
32+ 8.76 грн
100+ 4.74 грн
500+ 3.49 грн
1000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 23
SMMUN2211LT1G dtc114e-d.pdf
SMMUN2211LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.22 грн
6000+ 2.03 грн
9000+ 1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMUN2211T1G dtc114e-d.pdf
SMUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.93 грн
28+ 9.86 грн
100+ 4.81 грн
500+ 3.76 грн
1000+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
SMUN2211T1G dtc114e-d.pdf
SMUN2211T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.51 грн
6000+ 2.24 грн
9000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMUN2211T3G dtc114e-d.pdf
SMUN2211T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.93 грн
28+ 9.86 грн
100+ 4.81 грн
500+ 3.76 грн
1000+ 2.61 грн
2000+ 2.26 грн
5000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
SMUN2211T3G dtc114e-d.pdf
SMUN2211T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.93 грн
30000+ 1.82 грн
50000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
SMUN2211T3G dtc114e-d.pdf
SMUN2211T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 230 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 431174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
LMUN2211LT1G
Виробник: LRC
SOT23
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211
Виробник: ON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211LTIG
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211RLT1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN2211RLT1/MMUN2211LT1
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]