Результат пошуку "NVD5C648NL" : 10

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ONSEMI 2907469.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.8 грн
500+ 112.27 грн
2500+ 97.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi nvd5c648nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.52 грн
10+ 152.11 грн
100+ 121.03 грн
500+ 96.12 грн
1000+ 81.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi NVD5C648NL_D-2319518.pdf MOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.02 грн
10+ 149.64 грн
100+ 117.64 грн
250+ 111.07 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 84.12 грн
2500+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 113
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ONSEMI 2907469.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.54 грн
10+ 148.92 грн
100+ 126.8 грн
500+ 112.27 грн
2500+ 97.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVD5C648NL onsemi onsemi T6 60V LL DPAK
товар відсутній
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi nvd5c648nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVD5C648NLT4G 2907469.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+126.8 грн
500+ 112.27 грн
2500+ 97.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.52 грн
10+ 152.11 грн
100+ 121.03 грн
500+ 96.12 грн
1000+ 81.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G NVD5C648NL_D-2319518.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
MOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.02 грн
10+ 149.64 грн
100+ 117.64 грн
250+ 111.07 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 84.12 грн
2500+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 113
NVD5C648NLT4G 2907469.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+228.54 грн
10+ 148.92 грн
100+ 126.8 грн
500+ 112.27 грн
2500+ 97.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVD5C648NL
Виробник: onsemi
onsemi T6 60V LL DPAK
товар відсутній
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній