Результат пошуку "P10F" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 117
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 400
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 79W |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
P10F50HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 500V Drain current: 10A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 79W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
P10F60HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 23nC Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 85W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 348 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
P10F60HP2-5600 | Shindengen Electric Manufacturing Co. | P10F60HP2-5600 |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ASSP-10-F-A-C-SA | Amphenol LTW | Standard Circular Contacts 10A,1.60,GP03 SCATTER 50PCS |
на замовлення 1 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ASSP-10-F-A-C-SB | AMPHENOL LTW |
Category: AMPHENOL connectors Description: Contact; female; 18AWG÷16AWG; X-Lok; bulk; crimped; for cable; 10A Type of connector: circular Connector: contact Kind of connector: female Wire size: 18AWG...16AWG Connector series: X-Lok Kind of package: bulk Electrical mounting: crimped Mechanical mounting: for cable Current rating: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 429 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ASSP-10-F-A-C-SB | Amphenol LTW | Standard Circular Contacts Female, X-Lok, 10A crimped, circular |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGP10F | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1A Rectifier UF Recovery |
на замовлення 3123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EN3P10F26SX | Switchcraft | Standard Circular Connector 10P FEMALE PANEL |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EN3P10FRAPCBW | Switchcraft | Standard Circular Connector FEML 10 PIN RA PCB WIDE IP68 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GTCR37-351M-P10-FS | Raychem/TE Connectivity | Газорозрядник трьохелектродний стандартний; I(10 х1000 мкс), А = 10; Uр,100 В/мкС = 600; Тексп, °C = -20...+65; Точн., % = 20; d=7.5 мм |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
P166P10F3CB10K | BI Technologies / TT Electronics | Precision Potentiometers |
на замовлення 4597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 50W |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 50W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | ROHM - Japan |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL128P10FFI010 | Infineon Technologies | NOR Flash 128Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL128P10FFI020 | Cypress |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA S29GL128P10FFI020A S29GL128P10FFI020 PEE29gl128p10ffi020 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL128P10FFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash 128MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL128P10FFI022 | Infineon Technologies | NOR Flash Nor |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL256P10FFI010 | Infineon Technologies | NOR Flash 256MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL256P10FFI012 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL256P10FFI012 | Infineon Technologies | NOR Flash Nor |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL256P10FFI020 | Cypress Semiconductor | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256P10FFI020 | Infineon Technologies | NOR Flash 256MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S29GL256P10FFI022 | Infineon Technologies | NOR Flash 256M, 3V, 110ns Parallel NOR Flash |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD10P10F6 | STMicroelectronics | MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ 10 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 10210 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DP10F1200T | EUPEC |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DP10F1200T | SAMREX | MODULE |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DP10F1200T | Danfuss | 10A/1200V/IGBT |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DP10F1200T101610 | SAMREX | MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DP10F1200T101625 | SAMREX | MODULE |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DP10F1200TO | Danfuss | 10A/1200V/IGBT |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DP10F600T | Danfuss | 10A/600V/IGBT |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DP10F600TO | Danfuss | 10A/600V/IGBT |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GL128P10FFI01 | SPANSION | 08+ |
на замовлення 587 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GL128P10FFIS1 | SPANSION | 08+ |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GL256P10FAI01 | SPANSION | O5 |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GL512P10FFIR1 | SPANSION | BGA |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MT48LC8M8A2P-10F | MICRON | 06+ TSOP54 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
OP10FY | PMI |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
OP10FY | AD | 04+ DIP |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
OP10FY | AD | CDIP14 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL128P10FAI01 | SPANSION | O8 |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL128P10FFI01 | SPANSION | 08+ |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL128P10FFI010 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL128P10FFIS20 | SPANSION | 09+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL256P10FFI020 |
на замовлення 610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL256P10FFIS1 |
на замовлення 327 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL512P10F101 | SPANSION SOP |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
S29GL512P10FFI010 | spansion |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
S29GL512P10FFIR1 |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL512P10FFIR1 | BGA |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
S29GL512P10FFIR10 | spansion |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
S29GL512P10FFIR10A | SPANSION | BGA |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
S29GL512P10FFIR12A |
на замовлення 205 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S29GL512P10FFIR20 | spansion |
на замовлення 2132 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SMP10FY | INTERSIL | 03+ CDIP |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SMP10FY | INTERSIL | CDIP |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
P10F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.87 грн |
17+ | 47.24 грн |
P10F50HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 79W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.93 грн |
5+ | 73.37 грн |
17+ | 56.68 грн |
47+ | 53.4 грн |
P10F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 60.24 грн |
17+ | 48.6 грн |
45+ | 45.87 грн |
P10F60HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 85W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.7 грн |
5+ | 75.07 грн |
17+ | 58.33 грн |
45+ | 55.04 грн |
P10F60HP2-5600 |
Виробник: Shindengen Electric Manufacturing Co.
P10F60HP2-5600
P10F60HP2-5600
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
117+ | 99.6 грн |
133+ | 87.63 грн |
250+ | 84.9 грн |
ASSP-10-F-A-C-SA |
Виробник: Amphenol LTW
Standard Circular Contacts 10A,1.60,GP03 SCATTER 50PCS
Standard Circular Contacts 10A,1.60,GP03 SCATTER 50PCS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1682.96 грн |
10+ | 1452.59 грн |
25+ | 1247.35 грн |
50+ | 1169.14 грн |
100+ | 1131.03 грн |
250+ | 1068.59 грн |
500+ | 1037.05 грн |
ASSP-10-F-A-C-SB |
Виробник: AMPHENOL LTW
Category: AMPHENOL connectors
Description: Contact; female; 18AWG÷16AWG; X-Lok; bulk; crimped; for cable; 10A
Type of connector: circular
Connector: contact
Kind of connector: female
Wire size: 18AWG...16AWG
Connector series: X-Lok
Kind of package: bulk
Electrical mounting: crimped
Mechanical mounting: for cable
Current rating: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: AMPHENOL connectors
Description: Contact; female; 18AWG÷16AWG; X-Lok; bulk; crimped; for cable; 10A
Type of connector: circular
Connector: contact
Kind of connector: female
Wire size: 18AWG...16AWG
Connector series: X-Lok
Kind of package: bulk
Electrical mounting: crimped
Mechanical mounting: for cable
Current rating: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2930.06 грн |
ASSP-10-F-A-C-SB |
Виробник: Amphenol LTW
Standard Circular Contacts Female, X-Lok, 10A crimped, circular
Standard Circular Contacts Female, X-Lok, 10A crimped, circular
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3079.16 грн |
10+ | 2784.26 грн |
25+ | 2405.32 грн |
50+ | 2250.22 грн |
100+ | 2126.01 грн |
250+ | 2064.9 грн |
500+ | 2018.24 грн |
EGP10F |
Виробник: onsemi / Fairchild
Rectifiers 1A Rectifier UF Recovery
Rectifiers 1A Rectifier UF Recovery
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.67 грн |
12+ | 25.62 грн |
100+ | 15.51 грн |
500+ | 12.09 грн |
1000+ | 11.9 грн |
5000+ | 9.13 грн |
10000+ | 7.95 грн |
EN3P10F26SX |
Виробник: Switchcraft
Standard Circular Connector 10P FEMALE PANEL
Standard Circular Connector 10P FEMALE PANEL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1699.83 грн |
10+ | 1411.02 грн |
50+ | 1138.91 грн |
100+ | 1097.51 грн |
EN3P10FRAPCBW |
Виробник: Switchcraft
Standard Circular Connector FEML 10 PIN RA PCB WIDE IP68
Standard Circular Connector FEML 10 PIN RA PCB WIDE IP68
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1488.98 грн |
10+ | 1338.47 грн |
GTCR37-351M-P10-FS |
Виробник: Raychem/TE Connectivity
Газорозрядник трьохелектродний стандартний; I(10 х1000 мкс), А = 10; Uр,100 В/мкС = 600; Тексп, °C = -20...+65; Точн., % = 20; d=7.5 мм
Газорозрядник трьохелектродний стандартний; I(10 х1000 мкс), А = 10; Uр,100 В/мкС = 600; Тексп, °C = -20...+65; Точн., % = 20; d=7.5 мм
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 41.61 грн |
100+ | 7.64 грн |
P166P10F3CB10K |
Виробник: BI Technologies / TT Electronics
Precision Potentiometers
Precision Potentiometers
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 161.78 грн |
10+ | 140.57 грн |
100+ | 100.55 грн |
500+ | 77.55 грн |
1000+ | 74.92 грн |
2500+ | 64.8 грн |
5000+ | 62.96 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.15 грн |
5+ | 76.67 грн |
12+ | 67.09 грн |
33+ | 63.67 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
On-state resistance: 63mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.59 грн |
5+ | 95.55 грн |
12+ | 80.51 грн |
33+ | 76.4 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.81 грн |
10+ | 105.81 грн |
100+ | 73.61 грн |
250+ | 72.29 грн |
500+ | 61.71 грн |
1000+ | 52.44 грн |
2000+ | 49.88 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.44 грн |
S29GL128P10FFI010 |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 128Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 128Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 649.41 грн |
10+ | 588.74 грн |
25+ | 500.12 грн |
100+ | 442.95 грн |
250+ | 431.12 грн |
500+ | 411.4 грн |
900+ | 398.26 грн |
S29GL128P10FFI020 |
Виробник: Cypress
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA S29GL128P10FFI020A S29GL128P10FFI020 PEE29gl128p10ffi020
кількість в упаковці: 2 шт
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128M-bit 16M x 8/8M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA S29GL128P10FFI020A S29GL128P10FFI020 PEE29gl128p10ffi020
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 212.72 грн |
S29GL128P10FFI020 |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 128MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 128MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 491.47 грн |
10+ | 389.22 грн |
100+ | 328.6 грн |
250+ | 327.28 грн |
500+ | 325.97 грн |
900+ | 310.19 грн |
S29GL128P10FFI022 |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 480.74 грн |
10+ | 432.3 грн |
100+ | 327.94 грн |
250+ | 327.28 грн |
400+ | 299.68 грн |
800+ | 283.91 грн |
2400+ | 283.25 грн |
S29GL256P10FFI010 |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 256MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 256MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 613.38 грн |
10+ | 577.41 грн |
25+ | 473.84 грн |
100+ | 454.12 грн |
250+ | 445.58 грн |
500+ | 443.6 грн |
900+ | 437.03 грн |
S29GL256P10FFI012 |
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
400+ | 509.1 грн |
S29GL256P10FFI012 |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash Nor
NOR Flash Nor
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 700.02 грн |
10+ | 639.38 грн |
25+ | 540.87 грн |
100+ | 475.81 грн |
250+ | 452.15 грн |
400+ | 433.75 грн |
800+ | 432.43 грн |
S29GL256P10FFI020 |
Виробник: Cypress Semiconductor
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8/16M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)S29GL256P10FFI020 |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 256MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 256MB 2.7-3.6V 100ns Parallel NOR Flash
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 742.95 грн |
10+ | 677.93 грн |
25+ | 573.07 грн |
100+ | 538.9 грн |
250+ | 467.92 грн |
360+ | 458.72 грн |
S29GL256P10FFI022 |
Виробник: Infineon Technologies
NOR Flash 256M, 3V, 110ns Parallel NOR Flash
NOR Flash 256M, 3V, 110ns Parallel NOR Flash
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 699.25 грн |
10+ | 638.63 грн |
25+ | 543.5 грн |
100+ | 498.15 грн |
400+ | 457.41 грн |
800+ | 453.46 грн |
2400+ | 439 грн |
STD10P10F6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ 10 A STripFET F6 Power MOSFET
MOSFET P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ 10 A STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.29 грн |
10+ | 62.73 грн |
100+ | 42.65 грн |
500+ | 36.01 грн |
1000+ | 29.25 грн |
2500+ | 27.34 грн |
MT48LC8M8A2P-10F |
Виробник: MICRON
06+ TSOP54
06+ TSOP54
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]