Результат пошуку "QFET" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G Agilent 0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3008-TR1 AGILENT 2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2532 FDB2532 onsemi / Fairchild FDI2532_D-2312233.pdf MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.32 грн
10+ 250.16 грн
100+ 176.13 грн
500+ 170.87 грн
800+ 138.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD2670 FDD2670 onsemi / Fairchild FDD2670_D-2311941.pdf MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.51 грн
10+ 103.54 грн
100+ 71.63 грн
250+ 70.32 грн
500+ 59.87 грн
1000+ 51.26 грн
2500+ 48.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.26 грн
5+ 84.2 грн
13+ 64.35 грн
34+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI FQB55N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.86 грн
5+ 116.38 грн
9+ 88.31 грн
25+ 83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N90TM FQB5N90TM ONSEMI FQB5N90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.15 грн
5+ 147.18 грн
7+ 112.95 грн
20+ 106.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N90TM FQB5N90TM onsemi / Fairchild FQB5N90_D-2313613.pdf MOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.55 грн
10+ 173.07 грн
25+ 145.9 грн
100+ 121.58 грн
250+ 117.64 грн
500+ 114.35 грн
800+ 92.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQD11P06TM FQD11P06TM ONSEMI FQD11P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.05 грн
7+ 50.25 грн
22+ 37.65 грн
58+ 35.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTM FQD12N20LTM ONSEMI FQD12N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.19 грн
11+ 32.59 грн
25+ 28.82 грн
32+ 24.99 грн
88+ 23.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 onsemi / Fairchild fairchild_semiconductor_fqd12n20lt_f085-1191370.pdf MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 13347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.64 грн
10+ 70.06 грн
100+ 47.45 грн
500+ 40.22 грн
1000+ 32.73 грн
2500+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD13N06LTM FQD13N06LTM ONSEMI FQD13N06L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.18 грн
25+ 25.95 грн
39+ 20.4 грн
107+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQD13N10LTM FQD13N10LTM onsemi / Fairchild FQU13N10L_D-2314003.pdf MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 327291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.06 грн
10+ 42.93 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
2500+ 16.76 грн
5000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD16N25CTM FQD16N25CTM ONSEMI FQD16N25C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.56 грн
8+ 46.14 грн
23+ 35.8 грн
61+ 33.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD17P06TM FQD17P06TM ONSEMI FQD17P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.98 грн
8+ 44.91 грн
24+ 34.23 грн
64+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD17P06TM FQD17P06TM onsemi / Fairchild FQU17P06_D-2313845.pdf MOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 44530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72 грн
10+ 58.35 грн
100+ 39.43 грн
500+ 33.45 грн
1000+ 27.27 грн
2500+ 25.17 грн
5000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTM FQD19N10LTM ONSEMI FQD19N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.21 грн
8+ 46.96 грн
24+ 32.93 грн
66+ 31.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTM FQD19N10LTM onsemi / Fairchild FQD19N10L_D-2313550.pdf MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 56357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.76 грн
10+ 58.5 грн
100+ 39.63 грн
500+ 34.24 грн
1000+ 27.86 грн
2500+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD3P50TM FQD3P50TM ONSEMI FQD3P50.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.14 грн
7+ 54.08 грн
19+ 43.81 грн
50+ 41.76 грн
500+ 40.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD7N20LTM FQD7N20LTM onsemi / Fairchild FQD7N20L_D-2313648.pdf MOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.88 грн
10+ 46.93 грн
100+ 30.95 грн
500+ 25.83 грн
1000+ 22.02 грн
2500+ 19.58 грн
5000+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP9N90C FQP9N90C onsemi / Fairchild FQPF9N90C_D-2313782.pdf MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.62 грн
10+ 269.81 грн
50+ 190.59 грн
100+ 162.98 грн
250+ 160.35 грн
500+ 148.53 грн
1000+ 119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF8N60CFT ONS fqpf8n60cf-d.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+332.64 грн
FQT4N20LTF FQT4N20LTF onsemi / Fairchild FQT4N20L_D-2314063.pdf MOSFET 200V Single
на замовлення 64846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.59 грн
10+ 43.99 грн
100+ 28.39 грн
500+ 23.99 грн
1000+ 20.5 грн
2000+ 18.27 грн
4000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQA24N60 FQA24N60 ONSEMI FQA24N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA70N10 FQA70N10 ONSEMI FQA70N10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQAF16N50 FQAF16N50 ONSEMI FQAF16N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Technology: QFET®
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
товар відсутній
FQB12P20TM FQB12P20TM ONSEMI FQB12P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB19N20CTM FQB19N20CTM ONSEMI FQB19N20C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB19N20TM FQB19N20TM ONSEMI FQB19N20.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB22P10TM FQB22P10TM ONSEMI FQB22P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB27P06TM FQB27P06TM ONSEMI FQB27P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB33N10LTM FQB33N10LTM ONSEMI fqb33n10l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB33N10TM FQB33N10TM ONSEMI FQB33N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB34N20LTM FQB34N20LTM ONSEMI FQB34N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB34P10TM FQB34P10TM ONSEMI FQB34P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB44N10TM ONSEMI FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06TM-AM002 ONSEMI FQB47P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB4N80TM ONSEMI fqi4n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB50N06TM FQB50N06TM ONSEMI FAIRS45719-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB5N50CTM FQB5N50CTM ONSEMI FQB5N50C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 73W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 73W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB7P20TM FQB7P20TM ONSEMI FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; -4.6A; Idm: -29.2A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -29.2A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB8N60CTM FQB8N60CTM ONSEMI fqi8n60c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB8N90CTM FQB8N90CTM ONSEMI fqb8n90ctm-d.pdf ONSM-S-A0003590779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD10N20CTM FQD10N20CTM ONSEMI FQD10N20C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085 FQD12N20LTM-F085 ONSEMI fqd12n20l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
FQD12N20TM FQD12N20TM ONSEMI fqu12n20-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD13N10LTM FQD13N10LTM ONSEMI FQD13N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD13N10TM FQD13N10TM ONSEMI FQD13N10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD17N08LTM FQD17N08LTM ONSEMI fqd17n08l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 8.2A; Idm: 51.6A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 51.6A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2TM ONSEMI FQD18N20V2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD19N10TM FQD19N10TM ONSEMI fqd19n10-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5N15TM ONSEMI fqd5n15-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.72A
Pulsed drain current: 17.2A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5P20TM FQD5P20TM ONSEMI FQD5P20.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
QFET-3000
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3000-TR1G
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3002-TR1
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3003-TR1
на замовлення 3081 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006-TR1G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3006TR1G
Виробник: Agilent
0539+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
QFET-3008-TR1
Виробник: AGILENT
2005 TO23-4
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB2532 FDI2532_D-2312233.pdf
FDB2532
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 150V N-Channel QFET Trench
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+301.32 грн
10+ 250.16 грн
100+ 176.13 грн
500+ 170.87 грн
800+ 138.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD2670 FDD2670_D-2311941.pdf
FDD2670
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH 200V 18A Q-FET
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.51 грн
10+ 103.54 грн
100+ 71.63 грн
250+ 70.32 грн
500+ 59.87 грн
1000+ 51.26 грн
2500+ 48.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20L.pdf
FQB19N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.26 грн
5+ 84.2 грн
13+ 64.35 грн
34+ 60.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQB55N10TM FQB55N10.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.86 грн
5+ 116.38 грн
9+ 88.31 грн
25+ 83.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N90TM FQB5N90.pdf
FQB5N90TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.42A; 158W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.42A
Power dissipation: 158W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+179.15 грн
5+ 147.18 грн
7+ 112.95 грн
20+ 106.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N90TM FQB5N90_D-2313613.pdf
FQB5N90TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V N-Channel QFET
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.55 грн
10+ 173.07 грн
25+ 145.9 грн
100+ 121.58 грн
250+ 117.64 грн
500+ 114.35 грн
800+ 92.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQD11P06TM FQD11P06.pdf
FQD11P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.05 грн
7+ 50.25 грн
22+ 37.65 грн
58+ 35.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD12N20LTM FQD12N20L.pdf
FQD12N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.19 грн
11+ 32.59 грн
25+ 28.82 грн
32+ 24.99 грн
88+ 23.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD12N20LTM-F085 fairchild_semiconductor_fqd12n20lt_f085-1191370.pdf
FQD12N20LTM-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 9A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 13347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.64 грн
10+ 70.06 грн
100+ 47.45 грн
500+ 40.22 грн
1000+ 32.73 грн
2500+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQD13N06LTM FQD13N06L.pdf
FQD13N06LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.18 грн
25+ 25.95 грн
39+ 20.4 грн
107+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQD13N10LTM FQU13N10L_D-2314003.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 327291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.06 грн
10+ 42.93 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
2500+ 16.76 грн
5000+ 15.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD16N25CTM FQD16N25C.pdf
FQD16N25CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.56 грн
8+ 46.14 грн
23+ 35.8 грн
61+ 33.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD17P06TM FQD17P06.pdf
FQD17P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.98 грн
8+ 44.91 грн
24+ 34.23 грн
64+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQD17P06TM FQU17P06_D-2313845.pdf
FQD17P06TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 44530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72 грн
10+ 58.35 грн
100+ 39.43 грн
500+ 33.45 грн
1000+ 27.27 грн
2500+ 25.17 грн
5000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTM FQD19N10L.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+89.21 грн
8+ 46.96 грн
24+ 32.93 грн
66+ 31.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD19N10LTM FQD19N10L_D-2313550.pdf
FQD19N10LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 56357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.76 грн
10+ 58.5 грн
100+ 39.63 грн
500+ 34.24 грн
1000+ 27.86 грн
2500+ 26.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD3P50TM FQD3P50.pdf
FQD3P50TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -1.33A; 50W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -1.33A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.14 грн
7+ 54.08 грн
19+ 43.81 грн
50+ 41.76 грн
500+ 40.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD7N20LTM FQD7N20L_D-2313648.pdf
FQD7N20LTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.88 грн
10+ 46.93 грн
100+ 30.95 грн
500+ 25.83 грн
1000+ 22.02 грн
2500+ 19.58 грн
5000+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP9N90C FQPF9N90C_D-2313782.pdf
FQP9N90C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 900V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.62 грн
10+ 269.81 грн
50+ 190.59 грн
100+ 162.98 грн
250+ 160.35 грн
500+ 148.53 грн
1000+ 119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF8N60CFT fqpf8n60cf-d.pdf
Виробник: ONS
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+332.64 грн
FQT4N20LTF FQT4N20L_D-2314063.pdf
FQT4N20LTF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V Single
на замовлення 64846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.59 грн
10+ 43.99 грн
100+ 28.39 грн
500+ 23.99 грн
1000+ 20.5 грн
2000+ 18.27 грн
4000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQA24N60 FQA24N60.pdf
FQA24N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA70N10 FQA70N10.pdf
FQA70N10
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQAF16N50 FQAF16N50.pdf
FQAF16N50
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Technology: QFET®
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
товар відсутній
FQB12P20TM FQB12P20.pdf
FQB12P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.27A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB19N20CTM FQB19N20C.pdf
FQB19N20CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 139W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB19N20TM FQB19N20.pdf
FQB19N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.3A
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB22P10TM FQB22P10.pdf
FQB22P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB27P06TM FQB27P06.pdf
FQB27P06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19.1A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB33N10LTM fqb33n10l-d.pdf
FQB33N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB33N10TM FQB33N10.pdf
FQB33N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 127W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB34N20LTM FQB34N20L.pdf
FQB34N20LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB34P10TM FQB34P10.pdf
FQB34P10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB44N10TM FAIR-S-A0000097551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 146W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB47P06TM-AM002 FQB47P06.pdf
FQB47P06TM-AM002
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -33.2A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB4N80TM fqi4n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.47A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.47A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB50N06TM FAIRS45719-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB50N06TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35.4A; Idm: 200A; 120W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 120W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB5N50CTM FQB5N50C.pdf
FQB5N50CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 73W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 73W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB7P20TM FAIR-S-A0000011863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB7P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; -4.6A; Idm: -29.2A; 90W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -29.2A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB8N60CTM fqi8n60c-d.pdf
FQB8N60CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.6A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQB8N90CTM fqb8n90ctm-d.pdf ONSM-S-A0003590779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB8N90CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.8A; Idm: 25A; 171W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 171W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD10N20CTM FQD10N20C.pdf
FQD10N20CTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD12N20LTM-F085 fqd12n20l-d.pdf
FQD12N20LTM-F085
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
FQD12N20TM fqu12n20-d.pdf
FQD12N20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD13N10LTM FQD13N10L.pdf
FQD13N10LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD13N10TM FQD13N10.pdf
FQD13N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.3A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
FQD17N08LTM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 8.2A; Idm: 51.6A; 40W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 51.6A
Power dissipation: 40W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD18N20V2TM FQD18N20V2.pdf
FQD18N20V2TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.75A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.75A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD19N10TM fqd19n10-d.pdf
FQD19N10TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; Idm: 62.4A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 62.4A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5N15TM fqd5n15-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.72A; Idm: 17.2A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.72A
Pulsed drain current: 17.2A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQD5P20TM FQD5P20.pdf
FQD5P20TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]