Результат пошуку "RQ5C060BCTCL" : 6
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 329
Мінімальне замовлення: 201
Мінімальне замовлення: 6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RQ5C060BCTCL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET |
на замовлення 15815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
329+ | 35.49 грн |
342+ | 34.07 грн |
500+ | 32.83 грн |
1000+ | 30.63 грн |
2500+ | 27.52 грн |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
201+ | 58.12 грн |
411+ | 28.33 грн |
450+ | 25.91 грн |
452+ | 24.89 грн |
556+ | 18.71 грн |
1000+ | 16.8 грн |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
на замовлення 15815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.52 грн |
10+ | 41.95 грн |
100+ | 27.34 грн |
500+ | 23.26 грн |
1000+ | 19.78 грн |
3000+ | 17.68 грн |
6000+ | 16.69 грн |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ5C060BCTCL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній