Результат пошуку "RV2C002UN" : 11
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 8000
Мінімальне замовлення: 1784
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 14228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM Semiconductor | MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 40646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM |
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM |
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: VML1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
на замовлення 3789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 100mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Supplier Device Package: VML1006 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V |
на замовлення 21526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.1W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 11.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.1W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 11.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 19.23 грн |
629+ | 18.53 грн |
1000+ | 17.92 грн |
2500+ | 16.77 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 5.03 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1784+ | 6.53 грн |
1892+ | 6.15 грн |
1936+ | 6.02 грн |
2000+ | 5.64 грн |
8000+ | 5.08 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 40646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.36 грн |
13+ | 23.28 грн |
100+ | 11.44 грн |
1000+ | 5.78 грн |
2500+ | 4.99 грн |
8000+ | 4.01 грн |
24000+ | 3.81 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 27.65 грн |
37+ | 20.42 грн |
100+ | 10.25 грн |
500+ | 6.85 грн |
1000+ | 3.85 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 19.23 грн |
629+ | 18.53 грн |
1000+ | 17.92 грн |
2500+ | 16.77 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.25 грн |
500+ | 6.85 грн |
1000+ | 3.85 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 21526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.86 грн |
14+ | 19.72 грн |
100+ | 9.95 грн |
500+ | 7.62 грн |
1000+ | 5.65 грн |
2000+ | 4.75 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній