Результат пошуку "RV2C002UN" : 11

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+19.23 грн
629+ 18.53 грн
1000+ 17.92 грн
2500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 606
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1784+6.53 грн
1892+ 6.15 грн
1936+ 6.02 грн
2000+ 5.64 грн
8000+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 1784
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 40646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 23.28 грн
100+ 11.44 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 4.99 грн
8000+ 4.01 грн
24000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM rv2c002un-e.pdf Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.65 грн
37+ 20.42 грн
100+ 10.25 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 27
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor rv2c002un-e.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+19.23 грн
629+ 18.53 грн
1000+ 17.92 грн
2500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 606
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L ROHM rv2c002un-e.pdf Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.25 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
RV2C002UNT2L RV2C002UNT2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 21526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 19.72 грн
100+ 9.95 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 5.65 грн
2000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
RV2C002UNT2L ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RV2C002UNT2L ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+19.23 грн
629+ 18.53 грн
1000+ 17.92 грн
2500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 606
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1784+6.53 грн
1892+ 6.15 грн
1936+ 6.02 грн
2000+ 5.64 грн
8000+ 5.08 грн
Мінімальне замовлення: 1784
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 40646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.36 грн
13+ 23.28 грн
100+ 11.44 грн
1000+ 5.78 грн
2500+ 4.99 грн
8000+ 4.01 грн
24000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+27.65 грн
37+ 20.42 грн
100+ 10.25 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 27
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+19.23 грн
629+ 18.53 грн
1000+ 17.92 грн
2500+ 16.77 грн
Мінімальне замовлення: 606
RV2C002UNT2L rv2c002un-e.pdf
RV2C002UNT2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV2C002UNT2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 1.4 ohm, VML1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: VML1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.25 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 3.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RV2C002UNT2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: VML1006
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 21526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
14+ 19.72 грн
100+ 9.95 грн
500+ 7.62 грн
1000+ 5.65 грн
2000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RV2C002UNT2L datasheet?p=RV2C002UN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній