Результат пошуку "SI1012CRT1" : 7
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 12
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 396mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A |
на замовлення 174533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R |
товар відсутній |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 10.19 грн |
| 45+ | 8.55 грн |
| 100+ | 7.51 грн |
| 120+ | 6.75 грн |
| 330+ | 6.4 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 10.66 грн |
| 100+ | 9.01 грн |
| 120+ | 8.09 грн |
| 330+ | 7.68 грн |
| 3000+ | 7.51 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
на замовлення 174533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.27 грн |
| 15+ | 20.73 грн |
| 100+ | 8.88 грн |
| 1000+ | 6.68 грн |
| 3000+ | 5.47 грн |
| 9000+ | 5.34 грн |
| 24000+ | 4.81 грн |