Результат пошуку "SI49" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 239
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 199
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 211
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 193
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 224
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 124
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI490 | ALUTRONIC |
Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; TO218,TOP3; Thk: 0.18mm; 900mW/mK Type of heat transfer pad: silicone Application: TO218; TOP3 Material: glass fiber reinforced silicone Thickness: 0.18mm Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...200°C Dielectric strength: 2.5kV Dimensions: 19x24mm Mounting: screw |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI490 | Alutronic | Insulation Wafers - Silicone (Standard Shapes) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4900DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 5.3A 3.1W |
на замовлення 36603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4900DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4900DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4900DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V |
на замовлення 7467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Si4904DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8 |
на замовлення 18413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4904DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8 |
на замовлення 18601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 10570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4909DY-VB | VBsemi |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY TSI4909dy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI491 | Alutronic | Silicone Wafers, Glass Fiber Reinforced |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI492 | ALUTRONIC |
Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; Multiwatt; Thk: 0.18mm; 900mW/mK Type of heat transfer pad: silicone Application: Multiwatt Material: glass fiber reinforced silicone Thickness: 0.18mm Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...200°C Dielectric strength: 5kV Dimensions: 20x22mm Mounting: screw |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI492 | Alutronic | Silicone Wafers, Glass Fiber Reinforced |
на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
Si4922BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S) |
на замовлення 34171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4922BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V |
на замовлення 13995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W |
на замовлення 21073 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V |
на замовлення 49850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.9A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.9A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4569 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 51749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4931DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4931DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8 |
на замовлення 37486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4931DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8 |
на замовлення 4101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4932DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936ADY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 5.9A 2W |
на замовлення 15896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W |
на замовлення 23736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 13294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4936CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4943BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 8.4A 2W |
на замовлення 42667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4943CDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
SI490 |
Виробник: ALUTRONIC
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO218,TOP3; Thk: 0.18mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: TO218; TOP3
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 2.5kV
Dimensions: 19x24mm
Mounting: screw
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO218,TOP3; Thk: 0.18mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: TO218; TOP3
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 2.5kV
Dimensions: 19x24mm
Mounting: screw
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101 грн |
9+ | 93.1 грн |
24+ | 88.31 грн |
SI490 |
Виробник: Alutronic
Insulation Wafers - Silicone (Standard Shapes)
Insulation Wafers - Silicone (Standard Shapes)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4900DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 5.3A 3.1W
MOSFET 60V 5.3A 3.1W
на замовлення 36603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.76 грн |
10+ | 59.78 грн |
100+ | 42.19 грн |
500+ | 35.49 грн |
1000+ | 30.82 грн |
2500+ | 28.98 грн |
SI4900DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 49.68 грн |
13+ | 45.25 грн |
25+ | 44.79 грн |
50+ | 42.76 грн |
100+ | 36.08 грн |
250+ | 34.29 грн |
500+ | 28.52 грн |
SI4900DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
239+ | 48.73 грн |
242+ | 48.24 грн |
244+ | 47.76 грн |
268+ | 41.97 грн |
271+ | 38.47 грн |
500+ | 30.71 грн |
SI4900DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
MOSFET 60V 5.3A 3.1W 58mohm @ 10V
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.87 грн |
10+ | 68.93 грн |
100+ | 46.73 грн |
500+ | 39.63 грн |
1000+ | 32.27 грн |
2500+ | 29.71 грн |
5000+ | 28.85 грн |
Si4904DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 18413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 153.34 грн |
10+ | 125.46 грн |
100+ | 86.75 грн |
250+ | 82.81 грн |
500+ | 73.61 грн |
1000+ | 62.37 грн |
2500+ | 59.08 грн |
SI4904DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
на замовлення 18601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 153.34 грн |
10+ | 125.46 грн |
100+ | 86.75 грн |
250+ | 80.18 грн |
500+ | 72.95 грн |
1000+ | 62.37 грн |
2500+ | 60.46 грн |
SI4909DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 45.72 грн |
14+ | 41.33 грн |
25+ | 41.17 грн |
100+ | 27.99 грн |
SI4909DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4909DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 29.29 грн |
SI4909DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 10570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.31 грн |
10+ | 57.51 грн |
100+ | 37.66 грн |
500+ | 32.99 грн |
1000+ | 27.93 грн |
SI4909DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 31.46 грн |
SI4909DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 29.02 грн |
SI4909DY-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY TSI4909dy
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 8A; 27mOhm; 3,2W; -55°C~150°C; SI4909DY-T1-GE3; SI4909DY TSI4909dy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.66 грн |
SI491 |
Виробник: Alutronic
Silicone Wafers, Glass Fiber Reinforced
Silicone Wafers, Glass Fiber Reinforced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI492 |
Виробник: ALUTRONIC
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Multiwatt; Thk: 0.18mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: Multiwatt
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 20x22mm
Mounting: screw
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; Multiwatt; Thk: 0.18mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: Multiwatt
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.18mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 20x22mm
Mounting: screw
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.67 грн |
12+ | 70.51 грн |
31+ | 67.09 грн |
SI492 |
Виробник: Alutronic
Silicone Wafers, Glass Fiber Reinforced
Silicone Wafers, Glass Fiber Reinforced
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Si4922BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
MOSFET DUAL N-CH 30V(D-S)
на замовлення 34171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.64 грн |
10+ | 89.94 грн |
100+ | 62.37 грн |
250+ | 58.95 грн |
500+ | 52.64 грн |
1000+ | 50.14 грн |
SI4922BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V
на замовлення 13995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.71 грн |
10+ | 92.2 грн |
100+ | 64.21 грн |
250+ | 58.95 грн |
500+ | 53.5 грн |
1000+ | 45.87 грн |
2500+ | 43.44 грн |
SI4925BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 43.83 грн |
SI4925BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
на замовлення 21073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.71 грн |
10+ | 91.45 грн |
100+ | 61.71 грн |
500+ | 52.38 грн |
1000+ | 43.77 грн |
5000+ | 43.37 грн |
SI4925BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 45.39 грн |
SI4925BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.52 грн |
SI4925BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V
MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V
на замовлення 49850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.71 грн |
10+ | 91.45 грн |
100+ | 61.71 грн |
500+ | 52.38 грн |
1000+ | 42.65 грн |
2500+ | 40.09 грн |
5000+ | 39.63 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 61.93 грн |
11+ | 33.82 грн |
25+ | 29.3 грн |
32+ | 25.33 грн |
86+ | 23.96 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 74.31 грн |
7+ | 42.14 грн |
25+ | 35.16 грн |
32+ | 30.4 грн |
86+ | 28.75 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 35.25 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 37.96 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 41.13 грн |
5000+ | 37.58 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 66.95 грн |
11+ | 54.53 грн |
25+ | 53.47 грн |
100+ | 41.57 грн |
250+ | 38.1 грн |
500+ | 29.91 грн |
1000+ | 21.94 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
199+ | 58.72 грн |
203+ | 57.58 грн |
251+ | 46.42 грн |
254+ | 44.32 грн |
500+ | 33.56 грн |
1000+ | 23.63 грн |
SI4925DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 51749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.78 грн |
10+ | 54.64 грн |
100+ | 37 грн |
500+ | 31.35 грн |
1000+ | 24.97 грн |
2500+ | 23.46 грн |
5000+ | 22.87 грн |
SI4931DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4931DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 37486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.74 грн |
10+ | 66.81 грн |
100+ | 56.98 грн |
SI4931DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
211+ | 55.2 грн |
212+ | 55.11 грн |
213+ | 54.91 грн |
216+ | 52.02 грн |
500+ | 48.08 грн |
1000+ | 46.07 грн |
2000+ | 45.82 грн |
SI4931DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 63.02 грн |
11+ | 56.2 грн |
25+ | 55.88 грн |
50+ | 53.56 грн |
100+ | 43.43 грн |
250+ | 41.45 грн |
500+ | 40.53 грн |
1000+ | 39.61 грн |
SI4931DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
193+ | 60.52 грн |
194+ | 60.18 грн |
195+ | 59.82 грн |
223+ | 50.51 грн |
250+ | 46.49 грн |
500+ | 43.65 грн |
1000+ | 42.66 грн |
SI4931DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 4101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.34 грн |
10+ | 67.87 грн |
100+ | 51.2 грн |
500+ | 48.24 грн |
SI4931DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 66.34 грн |
SI4932DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 96.61 грн |
10+ | 77.84 грн |
100+ | 52.51 грн |
500+ | 44.56 грн |
1000+ | 36.28 грн |
2500+ | 34.11 грн |
5000+ | 32.47 грн |
SI4936ADY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 5.9A 2W
MOSFET 30V 5.9A 2W
на замовлення 15896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.34 грн |
10+ | 88.43 грн |
100+ | 61.05 грн |
250+ | 56.32 грн |
500+ | 51.13 грн |
1000+ | 46 грн |
SI4936BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
224+ | 52 грн |
235+ | 49.67 грн |
263+ | 44.34 грн |
274+ | 41.07 грн |
500+ | 37.94 грн |
1000+ | 33.93 грн |
SI4936BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W
на замовлення 23736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.63 грн |
10+ | 52.75 грн |
100+ | 35.69 грн |
500+ | 30.23 грн |
1000+ | 29.9 грн |
5000+ | 29.31 грн |
10000+ | 28.19 грн |
SI4936BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V
MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.81 грн |
10+ | 66.66 грн |
100+ | 45.08 грн |
500+ | 38.25 грн |
1000+ | 31.15 грн |
2500+ | 29.71 грн |
10000+ | 29.05 грн |
SI4936CDY-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.13 грн |
SI4936CDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.47 грн |
10+ | 37.49 грн |
100+ | 22.28 грн |
500+ | 18.6 грн |
1000+ | 15.84 грн |
2500+ | 14.39 грн |
5000+ | 13.28 грн |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 32.22 грн |
25+ | 27.31 грн |
37+ | 21.84 грн |
100+ | 20.61 грн |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 38.66 грн |
25+ | 34.04 грн |
37+ | 26.21 грн |
100+ | 24.73 грн |
2500+ | 24.23 грн |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.01 грн |
5000+ | 15.1 грн |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 13294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.47 грн |
10+ | 36.88 грн |
100+ | 22.28 грн |
500+ | 18.6 грн |
1000+ | 15.84 грн |
2500+ | 14.13 грн |
5000+ | 14.06 грн |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.69 грн |
5000+ | 13.92 грн |
SI4936CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.42 грн |
SI4943BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 8.4A 2W
MOSFET 20V 8.4A 2W
на замовлення 42667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.61 грн |
10+ | 116.39 грн |
100+ | 80.83 грн |
250+ | 74.26 грн |
500+ | 67.69 грн |
1000+ | 57.96 грн |
2500+ | 53.89 грн |
SI4943CDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.31 грн |
10+ | 95.98 грн |
100+ | 66.38 грн |
250+ | 62.96 грн |
500+ | 55.47 грн |
1000+ | 48.63 грн |
5000+ | 48.17 грн |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
124+ | 94.49 грн |
139+ | 84.24 грн |
140+ | 83.39 грн |
161+ | 69.81 грн |
250+ | 62.41 грн |
500+ | 54.77 грн |
1000+ | 46.92 грн |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 87.74 грн |
10+ | 78.22 грн |
25+ | 77.43 грн |
100+ | 64.82 грн |
250+ | 57.95 грн |
500+ | 50.86 грн |
1000+ | 43.57 грн |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 52.56 грн |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.31 грн |
10+ | 95.98 грн |
100+ | 66.38 грн |
250+ | 62.96 грн |
500+ | 55.47 грн |
1000+ | 47.58 грн |
2500+ | 45.15 грн |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 48.48 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]