Результат пошуку "SIA471DJ" : 10
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 565
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L |
на замовлення 167723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 4095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
на замовлення 4095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -30.3A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 19.2W On-state resistance: 24.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -30.3A Pulsed drain current: -70A Power dissipation: 19.2W On-state resistance: 24.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIA471DJ-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIA471DJGE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R |
товар відсутній |
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 250 мкА; Ciss, пФ @ Uds, В = 1170 @ 15; Qg, нКл = 27.8; Rds = 14 мОм; Ugs(th) = 10 В; Р, Вт = 19.2; Тексп, °C = -55...+150; SC70-6L
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 207.99 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 49.7 грн |
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
MOSFET Pch 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 167723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.65 грн |
11+ | 29.48 грн |
100+ | 18.65 грн |
500+ | 16.32 грн |
1000+ | 14.25 грн |
3000+ | 12.85 грн |
6000+ | 12.39 грн |
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 22.12 грн |
29+ | 20.64 грн |
31+ | 19.2 грн |
100+ | 16.68 грн |
250+ | 14.69 грн |
500+ | 13.8 грн |
1000+ | 12.76 грн |
3000+ | 11.92 грн |
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
565+ | 20.67 грн |
627+ | 18.63 грн |
659+ | 17.72 грн |
674+ | 16.72 грн |
1000+ | 14.32 грн |
3000+ | 12.83 грн |
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 19.2W
On-state resistance: 24.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 19.2W
On-state resistance: 24.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 19.2W
On-state resistance: 24.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 19.2W
On-state resistance: 24.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товар відсутній
SIA471DJ-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 12.9A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товар відсутній