Результат пошуку "SQM40" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm40010el.pdf MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.84 грн
10+ 165.1 грн
25+ 135.04 грн
100+ 116.03 грн
250+ 109.47 грн
500+ 102.92 грн
800+ 88.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00121 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00121ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.46 грн
10+ 151.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00121 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00121ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 VISHAY 2340280.pdf Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.44 грн
10+ 161.05 грн
100+ 156.63 грн
500+ 142.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 VISHAY 2340280.pdf Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.63 грн
500+ 142.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40016EM_GE3 SQM40016EM_GE3 Vishay / Siliconix sqm40016em.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)
на замовлення 15281 шт:
термін постачання 424-433 дні (днів)
2+211.85 грн
10+ 174.14 грн
100+ 119.96 грн
500+ 101.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40020el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.11 грн
10+ 112.4 грн
100+ 89.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm40020el.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+152.96 грн
10+ 122.13 грн
100+ 86.53 грн
250+ 82.6 грн
500+ 68.18 грн
800+ 58.93 грн
5600+ 57.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40020el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00178ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQM40020E_GE3 SQM40020E_GE3 Vishay Semiconductors sqm40020e.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.49 грн
10+ 130.42 грн
100+ 95.05 грн
250+ 87.84 грн
500+ 71.45 грн
800+ 64.64 грн
2400+ 64.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40022EM_GE3 SQM40022EM_GE3 Vishay / Siliconix sqm40022em.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.19 грн
10+ 125.14 грн
100+ 86.53 грн
250+ 79.97 грн
500+ 65.23 грн
800+ 59.52 грн
2400+ 57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+101.99 грн
126+ 92.68 грн
127+ 91.75 грн
128+ 87.59 грн
142+ 73.42 грн
250+ 68.23 грн
500+ 58.2 грн
Мінімальне замовлення: 114
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.64 грн
10+ 101.95 грн
100+ 81.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Vishay / Siliconix sqm40022e.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.95 грн
10+ 105.54 грн
100+ 74.73 грн
250+ 72.11 грн
500+ 60.24 грн
800+ 53.49 грн
4800+ 51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+94.71 грн
10+ 86.06 грн
25+ 85.2 грн
50+ 81.34 грн
100+ 68.18 грн
250+ 63.36 грн
500+ 54.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.6 грн
10+ 90.45 грн
100+ 65.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Vishay sq40031el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+213.91 грн
66+ 178.45 грн
70+ 167.07 грн
100+ 136.84 грн
250+ 118.9 грн
500+ 93.5 грн
Мінімальне замовлення: 55
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Vishay sq40031el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+198.63 грн
10+ 165.71 грн
25+ 155.14 грн
100+ 127.07 грн
250+ 110.4 грн
500+ 86.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 Vishay Semiconductors sq40031el.pdf MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.2 грн
10+ 168.87 грн
25+ 135.04 грн
100+ 118.65 грн
500+ 109.47 грн
800+ 91.12 грн
2400+ 87.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40031EL_GE3 SQM40031EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.46 грн
10+ 151.49 грн
100+ 123.54 грн
500+ 114.04 грн
1000+ 104.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40041el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 VISHAY 2795475.pdf Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00283 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 157W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00283ohm
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.48 грн
500+ 88.09 грн
1000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 VISHAY 2795475.pdf Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00283 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00283ohm
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.11 грн
10+ 155.16 грн
100+ 126.48 грн
500+ 88.09 грн
1000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 Vishay sqm40041el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+181.94 грн
76+ 152.9 грн
100+ 144.19 грн
200+ 138.11 грн
500+ 115.78 грн
1600+ 104.52 грн
Мінімальне замовлення: 64
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40041el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.57 грн
10+ 142.99 грн
100+ 115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40041EL_GE3 SQM40041EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm40041el.pdf MOSFET Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.96 грн
10+ 164.34 грн
25+ 138.32 грн
100+ 116.68 грн
250+ 112.75 грн
500+ 100.95 грн
800+ 84.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm40061el.pdf MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
на замовлення 19926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.19 грн
10+ 103.28 грн
100+ 71.45 грн
250+ 65.55 грн
500+ 60.37 грн
800+ 49.89 грн
2400+ 48.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 VISHAY 2687559.pdf Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.51 грн
10+ 103.69 грн
100+ 73.54 грн
500+ 65.55 грн
1000+ 57.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 VISHAY 2687559.pdf Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.54 грн
500+ 65.55 грн
1000+ 57.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40061EL_GE3 SQM40061EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40061el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.58 грн
10+ 92.66 грн
100+ 73.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay / Siliconix sqm40081el.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.31 грн
10+ 89.71 грн
100+ 64.64 грн
250+ 63.39 грн
500+ 58.28 грн
800+ 47.85 грн
2400+ 47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.02 грн
1600+ 51.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay sqm40081el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.42 грн
10+ 78.66 грн
100+ 69.29 грн
250+ 65.07 грн
500+ 55.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40081el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.75 грн
10+ 90.14 грн
100+ 71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40081EL_GE3 SQM40081EL_GE3 Vishay sqm40081el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+95.22 грн
138+ 84.71 грн
156+ 74.63 грн
250+ 70.07 грн
500+ 59.3 грн
Мінімальне замовлення: 122
SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 VISHAY 3672806.pdf Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.66 грн
10+ 127.22 грн
100+ 92.66 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 60.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 Vishay Siliconix sqm40n10-30.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.11 грн
10+ 113.22 грн
100+ 90.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 VISHAY 3672806.pdf Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.66 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 60.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 Vishay Semiconductors sqm40n10-30.pdf MOSFET 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+153.72 грн
10+ 130.42 грн
100+ 90.46 грн
250+ 82.6 грн
500+ 75.39 грн
800+ 62.21 грн
2400+ 61.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Vishay / Siliconix sqm40n15-38.pdf MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.49 грн
10+ 160.57 грн
25+ 131.76 грн
100+ 112.75 грн
250+ 106.85 грн
500+ 93.09 грн
800+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+213.99 грн
10+ 159.58 грн
100+ 128.69 грн
500+ 106.52 грн
1000+ 96.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.69 грн
500+ 106.52 грн
1000+ 96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Vishay Siliconix sqm40n15-38.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.99 грн
10+ 144.01 грн
100+ 116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.55 грн
10+ 145.6 грн
100+ 116.19 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 68.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Vishay / Siliconix sqm40p10.pdf MOSFET P-Channel 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.78 грн
10+ 149.26 грн
100+ 103.57 грн
500+ 87.84 грн
800+ 72.76 грн
2400+ 70.8 грн
4800+ 68.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.19 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 68.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix sqm40p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.51 грн
10+ 131.38 грн
100+ 104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay sqm40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay sqm40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay sqm40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 SQM40010EL_GE3 Vishay Siliconix sqm40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40014em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 Vishay sqm40014em.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 Vishay Siliconix sqm40014em.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 SQM40014EM_GE3 Vishay sqm40014em.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.84 грн
10+ 165.1 грн
25+ 135.04 грн
100+ 116.03 грн
250+ 109.47 грн
500+ 102.92 грн
800+ 88.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40010EL_GE3 VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40010EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00121 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00121ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+215.46 грн
10+ 151.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40010EL_GE3 VISH-S-A0002292487-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40010EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00121 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00121ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQM40014EM_GE3 2340280.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+229.44 грн
10+ 161.05 грн
100+ 156.63 грн
500+ 142.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40014EM_GE3 2340280.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40014EM_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 840 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+156.63 грн
500+ 142.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40016EM_GE3 sqm40016em.pdf
SQM40016EM_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)
на замовлення 15281 шт:
термін постачання 424-433 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.85 грн
10+ 174.14 грн
100+ 119.96 грн
500+ 101.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40020EL_GE3 sqm40020el.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.11 грн
10+ 112.4 грн
100+ 89.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40020EL_GE3 2838127.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQM40020EL_GE3 sqm40020el.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.96 грн
10+ 122.13 грн
100+ 86.53 грн
250+ 82.6 грн
500+ 68.18 грн
800+ 58.93 грн
5600+ 57.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40020EL_GE3 sqm40020el.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+78.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40020EL_GE3 2838127.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00178ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQM40020E_GE3 sqm40020e.pdf
SQM40020E_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.49 грн
10+ 130.42 грн
100+ 95.05 грн
250+ 87.84 грн
500+ 71.45 грн
800+ 64.64 грн
2400+ 64.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40022EM_GE3 sqm40022em.pdf
SQM40022EM_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263-7L)
на замовлення 6623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+152.19 грн
10+ 125.14 грн
100+ 86.53 грн
250+ 79.97 грн
500+ 65.23 грн
800+ 59.52 грн
2400+ 57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 2687557.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+65.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40022E_GE3 sqm40022e.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+71.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40022E_GE3 sqm40022e.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+101.99 грн
126+ 92.68 грн
127+ 91.75 грн
128+ 87.59 грн
142+ 73.42 грн
250+ 68.23 грн
500+ 58.2 грн
Мінімальне замовлення: 114
SQM40022E_GE3 sqm40022e.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.64 грн
10+ 101.95 грн
100+ 81.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 sqm40022e.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.95 грн
10+ 105.54 грн
100+ 74.73 грн
250+ 72.11 грн
500+ 60.24 грн
800+ 53.49 грн
4800+ 51.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 sqm40022e.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+94.71 грн
10+ 86.06 грн
25+ 85.2 грн
50+ 81.34 грн
100+ 68.18 грн
250+ 63.36 грн
500+ 54.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40022E_GE3 2687557.pdf
SQM40022E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.6 грн
10+ 90.45 грн
100+ 65.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40031EL_GE3 sq40031el.pdf
SQM40031EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+213.91 грн
66+ 178.45 грн
70+ 167.07 грн
100+ 136.84 грн
250+ 118.9 грн
500+ 93.5 грн
Мінімальне замовлення: 55
SQM40031EL_GE3 sq40031el.pdf
SQM40031EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+198.63 грн
10+ 165.71 грн
25+ 155.14 грн
100+ 127.07 грн
250+ 110.4 грн
500+ 86.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40031EL_GE3 sq40031el.pdf
SQM40031EL_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.2 грн
10+ 168.87 грн
25+ 135.04 грн
100+ 118.65 грн
500+ 109.47 грн
800+ 91.12 грн
2400+ 87.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40031EL_GE3 VISH-S-A0002923576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40031EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+215.46 грн
10+ 151.49 грн
100+ 123.54 грн
500+ 114.04 грн
1000+ 104.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40041EL_GE3 sqm40041el.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+106.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40041EL_GE3 2795475.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00283 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 157W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00283ohm
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+126.48 грн
500+ 88.09 грн
1000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40041EL_GE3 2795475.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00283 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00283ohm
на замовлення 6143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+208.11 грн
10+ 155.16 грн
100+ 126.48 грн
500+ 88.09 грн
1000+ 79.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40041EL_GE3 sqm40041el.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
64+181.94 грн
76+ 152.9 грн
100+ 144.19 грн
200+ 138.11 грн
500+ 115.78 грн
1600+ 104.52 грн
Мінімальне замовлення: 64
SQM40041EL_GE3 sqm40041el.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.57 грн
10+ 142.99 грн
100+ 115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40041EL_GE3 sqm40041el.pdf
SQM40041EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 10245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.96 грн
10+ 164.34 грн
25+ 138.32 грн
100+ 116.68 грн
250+ 112.75 грн
500+ 100.95 грн
800+ 84.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40061EL_GE3 sqm40061el.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
на замовлення 19926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.19 грн
10+ 103.28 грн
100+ 71.45 грн
250+ 65.55 грн
500+ 60.37 грн
800+ 49.89 грн
2400+ 48.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40061EL_GE3 2687559.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.51 грн
10+ 103.69 грн
100+ 73.54 грн
500+ 65.55 грн
1000+ 57.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQM40061EL_GE3 2687559.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.54 грн
500+ 65.55 грн
1000+ 57.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40061EL_GE3 sqm40061el.pdf
SQM40061EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.58 грн
10+ 92.66 грн
100+ 73.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.31 грн
10+ 89.71 грн
100+ 64.64 грн
250+ 63.39 грн
500+ 58.28 грн
800+ 47.85 грн
2400+ 47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+63.02 грн
1600+ 51.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+88.42 грн
10+ 78.66 грн
100+ 69.29 грн
250+ 65.07 грн
500+ 55.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.75 грн
10+ 90.14 грн
100+ 71.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40081EL_GE3 sqm40081el.pdf
SQM40081EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+95.22 грн
138+ 84.71 грн
156+ 74.63 грн
250+ 70.07 грн
500+ 59.3 грн
Мінімальне замовлення: 122
SQM40N10-30_GE3 3672806.pdf
SQM40N10-30_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+167.66 грн
10+ 127.22 грн
100+ 92.66 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 60.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQM40N10-30_GE3 sqm40n10-30.pdf
SQM40N10-30_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 25 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.11 грн
10+ 113.22 грн
100+ 90.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40N10-30_GE3 3672806.pdf
SQM40N10-30_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+92.66 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 60.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40N10-30_GE3 sqm40n10-30.pdf
SQM40N10-30_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V 40A 107W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.72 грн
10+ 130.42 грн
100+ 90.46 грн
250+ 82.6 грн
500+ 75.39 грн
800+ 62.21 грн
2400+ 61.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40N15-38_GE3 sqm40n15-38.pdf
SQM40N15-38_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.49 грн
10+ 160.57 грн
25+ 131.76 грн
100+ 112.75 грн
250+ 106.85 грн
500+ 93.09 грн
800+ 82.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40N15-38_GE3 VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40N15-38_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+213.99 грн
10+ 159.58 грн
100+ 128.69 грн
500+ 106.52 грн
1000+ 96.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40N15-38_GE3 VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40N15-38_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+128.69 грн
500+ 106.52 грн
1000+ 96.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40N15-38_GE3 sqm40n15-38.pdf
SQM40N15-38_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.99 грн
10+ 144.01 грн
100+ 116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40P10-40L_GE3 VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+198.55 грн
10+ 145.6 грн
100+ 116.19 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 68.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-Channel 100V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.78 грн
10+ 149.26 грн
100+ 103.57 грн
500+ 87.84 грн
800+ 72.76 грн
2400+ 70.8 грн
4800+ 68.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40P10-40L_GE3 VISH-S-A0001222349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+116.19 грн
500+ 75.8 грн
1000+ 68.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 40A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5295 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.51 грн
10+ 131.38 грн
100+ 104.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40010EL_GE3 sqm40010el.pdf
SQM40010EL_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17100 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 sqm40014em.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 sqm40014em.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 sqm40014em.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15525 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQM40014EM_GE3 sqm40014em.pdf
SQM40014EM_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]