Результат пошуку "SSM3J358R" : 13
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 65
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J358R,LF | Toshiba |
 P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10; Qg, нКл = 38,5 @ 8 В; Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В; Ugs(th) = 1 В @ 1 мА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23F-3 |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V |
на замовлення 30116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Toshiba |
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V |
на замовлення 311507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
SSM3J358R,LF Код товару: 168844 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| SSM3J358R | Toshiba |
Toshiba |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SSM3J358R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SSM3J358R,LF | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SSM3J358R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SSM3J358RLF(T | Toshiba | Toshiba |
товар відсутній |
| SSM3J358R,LF |
|
Виробник: Toshiba
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10; Qg, нКл = 38,5 @ 8 В; Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В; Ugs(th) = 1 В @ 1 мА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23F-3
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10; Qg, нКл = 38,5 @ 8 В; Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В; Ugs(th) = 1 В @ 1 мА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23F-3
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 9.7 грн |
| 69+ | 9.06 грн |
| 100+ | 8.41 грн |
| SSM3J358R,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.54 грн |
| 6000+ | 6.16 грн |
| 9000+ | 5.46 грн |
| SSM3J358R,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 30116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 29.93 грн |
| 14+ | 20.25 грн |
| 100+ | 10.21 грн |
| 500+ | 8.49 грн |
| 1000+ | 6.61 грн |
| SSM3J358R,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
на замовлення 311507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.21 грн |
| 14+ | 22.5 грн |
| 100+ | 8.76 грн |
| 1000+ | 6.85 грн |
| 3000+ | 5.93 грн |
| 9000+ | 5.34 грн |
| 24000+ | 5.27 грн |
| SSM3J358R,LF(T |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)