Результат пошуку "Si2319" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2319cd.pdf MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.26 грн
10+ 32.04 грн
100+ 20.11 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 13.54 грн
3000+ 11.57 грн
9000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.5 грн
25+ 35.39 грн
50+ 30.96 грн
100+ 24.64 грн
250+ 20.85 грн
500+ 18.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.26 грн
10+ 29.85 грн
100+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.79 грн
25+ 20.67 грн
50+ 15.95 грн
137+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.35 грн
25+ 25.76 грн
50+ 19.14 грн
137+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 16622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.26 грн
10+ 29.85 грн
100+ 20.75 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2319cd.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 116219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.26 грн
10+ 33.18 грн
100+ 20.11 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 12.75 грн
3000+ 10.78 грн
9000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 416610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.97 грн
21+ 36.71 грн
100+ 23.3 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 14.41 грн
5000+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.77 грн
6000+ 18.06 грн
12000+ 16.81 грн
18000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 416610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.3 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 14.41 грн
5000+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.22 грн
6000+ 11.17 грн
9000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1GE3 p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.01 грн
17+ 21.22 грн
20+ 17.73 грн
25+ 16.02 грн
65+ 12.25 грн
178+ 11.57 грн
1000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.62 грн
10+ 26.45 грн
12+ 21.28 грн
25+ 19.22 грн
65+ 14.7 грн
178+ 13.88 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY 2687464.pdf Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 43039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.38 грн
500+ 11.98 грн
1500+ 10.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY 2687464.pdf Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 43039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.77 грн
50+ 26.61 грн
100+ 21.38 грн
500+ 11.98 грн
1500+ 10.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2319dds.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 172290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.96 грн
11+ 28.72 грн
100+ 18.73 грн
500+ 14.66 грн
1000+ 11.37 грн
3000+ 9.79 грн
9000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.98 грн
6000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.37 грн
10+ 44.51 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 19.19 грн
3000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 37.31 грн
100+ 25.82 грн
500+ 20.24 грн
1000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.88 грн
10+ 35.19 грн
25+ 31.76 грн
33+ 24.32 грн
90+ 22.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.85 грн
6+ 43.85 грн
25+ 38.12 грн
33+ 29.19 грн
90+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 76194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.58 грн
16+ 47.92 грн
100+ 30.23 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 19.72 грн
5000+ 17.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay 72315.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.21 грн
6000+ 17.1 грн
9000+ 16.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
6000+ 16.38 грн
9000+ 15.16 грн
30000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.68 грн
6000+ 18.41 грн
9000+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+46.78 грн
252+ 46.27 грн
Мінімальне замовлення: 249
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.67 грн
14+ 43.44 грн
25+ 42.97 грн
100+ 24.98 грн
250+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 76194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.23 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 19.72 грн
5000+ 17.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay Semiconductors MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 219041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.37 грн
10+ 43.83 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.82 грн
6000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.71 грн
10+ 35.73 грн
25+ 27.93 грн
37+ 21.36 грн
102+ 20.19 грн
1000+ 19.92 грн
3000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+54.85 грн
10+ 44.53 грн
25+ 33.52 грн
37+ 25.63 грн
102+ 24.23 грн
1000+ 23.91 грн
3000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
6000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.78 грн
10+ 37.56 грн
100+ 24.91 грн
500+ 21.49 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.89 грн
6000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319ds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS-T1
на замовлення 76900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS/T1-F3
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319-TP SI2319-TP Micro Commercial Co SI2319(SOT-23).pdf Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 548 pF @ 20 V
товар відсутній
SI2319-TP SI2319-TP Micro Commercial Components si2319sot-23.pdf P-Channel MOSFET
товар відсутній
SI2319-TP SI2319-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2319_SOT_23_-3366095.pdf MOSFET
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319dds.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.26 грн
10+ 32.04 грн
100+ 20.11 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 13.54 грн
3000+ 11.57 грн
9000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-BE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+43.5 грн
25+ 35.39 грн
50+ 30.96 грн
100+ 24.64 грн
250+ 20.85 грн
500+ 18.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.26 грн
10+ 29.85 грн
100+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+27.79 грн
25+ 20.67 грн
50+ 15.95 грн
137+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+33.35 грн
25+ 25.76 грн
50+ 19.14 грн
137+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 16622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.26 грн
10+ 29.85 грн
100+ 20.75 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 116219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.26 грн
10+ 33.18 грн
100+ 20.11 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 12.75 грн
3000+ 10.78 грн
9000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 416610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+44.97 грн
21+ 36.71 грн
100+ 23.3 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 14.41 грн
5000+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.77 грн
6000+ 18.06 грн
12000+ 16.81 грн
18000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 416610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.3 грн
500+ 17.05 грн
1000+ 14.41 грн
5000+ 13.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.22 грн
6000+ 11.17 грн
9000+ 10.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1GE3
p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.01 грн
17+ 21.22 грн
20+ 17.73 грн
25+ 16.02 грн
65+ 12.25 грн
178+ 11.57 грн
1000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+33.62 грн
10+ 26.45 грн
12+ 21.28 грн
25+ 19.22 грн
65+ 14.7 грн
178+ 13.88 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DDS-T1-GE3 2687464.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 43039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.38 грн
500+ 11.98 грн
1500+ 10.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DDS-T1-GE3 2687464.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
на замовлення 43039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.77 грн
50+ 26.61 грн
100+ 21.38 грн
500+ 11.98 грн
1500+ 10.87 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 172290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.96 грн
11+ 28.72 грн
100+ 18.73 грн
500+ 14.66 грн
1000+ 11.37 грн
3000+ 9.79 грн
9000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-BE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.98 грн
6000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-BE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.37 грн
10+ 44.51 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 19.19 грн
3000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-BE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 7598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.79 грн
10+ 37.31 грн
100+ 25.82 грн
500+ 20.24 грн
1000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.88 грн
10+ 35.19 грн
25+ 31.76 грн
33+ 24.32 грн
90+ 22.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.85 грн
6+ 43.85 грн
25+ 38.12 грн
33+ 29.19 грн
90+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI2319DS-T1-E3 VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 76194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+57.58 грн
16+ 47.92 грн
100+ 30.23 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 19.72 грн
5000+ 17.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2319DS-T1-E3 72315.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.21 грн
6000+ 17.1 грн
9000+ 16.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.95 грн
6000+ 16.38 грн
9000+ 15.16 грн
30000+ 14.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.68 грн
6000+ 18.41 грн
9000+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 45755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.92 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+46.78 грн
252+ 46.27 грн
Мінімальне замовлення: 249
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+48.67 грн
14+ 43.44 грн
25+ 42.97 грн
100+ 24.98 грн
250+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2319DS-T1-E3 VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 76194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.23 грн
500+ 23.48 грн
1000+ 19.72 грн
5000+ 17.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 219041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.37 грн
10+ 43.83 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.82 грн
6000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+45.71 грн
10+ 35.73 грн
25+ 27.93 грн
37+ 21.36 грн
102+ 20.19 грн
1000+ 19.92 грн
3000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+54.85 грн
10+ 44.53 грн
25+ 33.52 грн
37+ 25.63 грн
102+ 24.23 грн
1000+ 23.91 грн
3000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.95 грн
6000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.78 грн
10+ 37.56 грн
100+ 24.91 грн
500+ 21.49 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.89 грн
6000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.92 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2319DS
Виробник: VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS-T1
на замовлення 76900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS/T1-F3
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319-TP SI2319(SOT-23).pdf
SI2319-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 548 pF @ 20 V
товар відсутній
SI2319-TP si2319sot-23.pdf
SI2319-TP
Виробник: Micro Commercial Components
P-Channel MOSFET
товар відсутній
SI2319-TP SI2319_SOT_23_-3366095.pdf
SI2319-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 3.1A/4.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]