Результат пошуку "Si7232DN" : 12
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 142
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 205
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 13545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
SI7232DN-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 23W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 60.2 грн |
11+ | 52.01 грн |
25+ | 51.44 грн |
100+ | 34.33 грн |
250+ | 31.47 грн |
500+ | 18.73 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 23.09 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
142+ | 80.92 грн |
167+ | 68.62 грн |
240+ | 47.84 грн |
253+ | 43.66 грн |
500+ | 26.21 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 68.44 грн |
14+ | 56.16 грн |
100+ | 35.96 грн |
500+ | 27.9 грн |
1000+ | 23.28 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 21.81 грн |
6000+ | 19.9 грн |
9000+ | 18.42 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
205+ | 56.01 грн |
207+ | 55.4 грн |
299+ | 38.34 грн |
302+ | 36.61 грн |
500+ | 21.01 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 35.96 грн |
500+ | 27.9 грн |
1000+ | 23.28 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 13545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 57.08 грн |
10+ | 47.89 грн |
100+ | 33.17 грн |
500+ | 26 грн |
1000+ | 22.13 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 22.96 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 23.39 грн |
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI7232DN-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній