Результат пошуку "Si7232DN" : 12

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.2 грн
11+ 52.01 грн
25+ 51.44 грн
100+ 34.33 грн
250+ 31.47 грн
500+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+80.92 грн
167+ 68.62 грн
240+ 47.84 грн
253+ 43.66 грн
500+ 26.21 грн
Мінімальне замовлення: 142
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000785069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.44 грн
14+ 56.16 грн
100+ 35.96 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7232dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.81 грн
6000+ 19.9 грн
9000+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+56.01 грн
207+ 55.4 грн
299+ 38.34 грн
302+ 36.61 грн
500+ 21.01 грн
Мінімальне замовлення: 205
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000785069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.96 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7232dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 13545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.08 грн
10+ 47.89 грн
100+ 33.17 грн
500+ 26 грн
1000+ 22.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 SI7232DN-T1-GE3 Vishay si7232dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI7232DN-T1-GE3 VISHAY si7232dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.2 грн
11+ 52.01 грн
25+ 51.44 грн
100+ 34.33 грн
250+ 31.47 грн
500+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+80.92 грн
167+ 68.62 грн
240+ 47.84 грн
253+ 43.66 грн
500+ 26.21 грн
Мінімальне замовлення: 142
SI7232DN-T1-GE3 VISH-S-A0000785069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.44 грн
14+ 56.16 грн
100+ 35.96 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.81 грн
6000+ 19.9 грн
9000+ 18.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+56.01 грн
207+ 55.4 грн
299+ 38.34 грн
302+ 36.61 грн
500+ 21.01 грн
Мінімальне замовлення: 205
SI7232DN-T1-GE3 VISH-S-A0000785069-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7232DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 25 A, 25 A, 0.0135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.96 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 13545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.08 грн
10+ 47.89 грн
100+ 33.17 грн
500+ 26 грн
1000+ 22.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
SI7232DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI7232DN-T1-GE3 si7232dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній