Результат пошуку "Si7430DP" : 19

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.34 грн
10+ 155.59 грн
100+ 125.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay Semiconductors si7430dp.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.99 грн
10+ 173.08 грн
100+ 121.87 грн
500+ 115.87 грн
1000+ 111.21 грн
3000+ 105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+193.99 грн
10+ 164.31 грн
25+ 158.76 грн
50+ 151.56 грн
100+ 119.34 грн
250+ 104.4 грн
500+ 101.33 грн
1000+ 80.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.41 грн
10+ 153.89 грн
100+ 125.5 грн
500+ 106.83 грн
1000+ 87.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
10+ 151.15 грн
100+ 122.28 грн
500+ 102 грн
1000+ 87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.5 грн
500+ 106.83 грн
1000+ 87.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors si7430dp.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.45 грн
10+ 166.18 грн
25+ 139.85 грн
100+ 115.87 грн
250+ 111.21 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+208.91 грн
66+ 176.95 грн
69+ 164.59 грн
100+ 124.74 грн
250+ 112.42 грн
500+ 104.13 грн
1000+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 56
SI7430DP-T1-E3
Код товару: 173696 		si7430dp.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 SI7430DP-T1-E3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay si7430dp.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.34 грн
10+ 155.59 грн
100+ 125.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.99 грн
10+ 173.08 грн
100+ 121.87 грн
500+ 115.87 грн
1000+ 111.21 грн
3000+ 105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+193.99 грн
10+ 164.31 грн
25+ 158.76 грн
50+ 151.56 грн
100+ 119.34 грн
250+ 104.4 грн
500+ 101.33 грн
1000+ 80.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI7430DP-T1-GE3 VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+211.41 грн
10+ 153.89 грн
100+ 125.5 грн
500+ 106.83 грн
1000+ 87.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.57 грн
10+ 151.15 грн
100+ 122.28 грн
500+ 102 грн
1000+ 87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-GE3 VISH-S-A0001702753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7430DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.036 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+125.5 грн
500+ 106.83 грн
1000+ 87.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.45 грн
10+ 166.18 грн
25+ 139.85 грн
100+ 115.87 грн
250+ 111.21 грн
500+ 101.89 грн
1000+ 84.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+208.91 грн
66+ 176.95 грн
69+ 164.59 грн
100+ 124.74 грн
250+ 112.42 грн
500+ 104.13 грн
1000+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 56
SI7430DP-T1-E3
Код товару: 173696		 si7430dp.pdf
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 26A; Idm: 50A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 64W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній