Результат пошуку "TP0606N3" : 27

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TP0606N3-G TP0606N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY TP0606N3-G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.08 грн
7+ 55.65 грн
18+ 46.04 грн
48+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
TP0606N3-G TP0606N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY TP0606N3-G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.69 грн
5+ 69.35 грн
18+ 55.24 грн
48+ 51.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3-G TP0606N3-G MICROCHIP 2374117.pdf Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.21 грн
25+ 66.67 грн
100+ 57.12 грн
1000+ 52.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology tp0606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+61.63 грн
250+ 59.16 грн
500+ 57.02 грн
1000+ 53.19 грн
2500+ 47.8 грн
Мінімальне замовлення: 186
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology supertex_tp0606-1181095.pdf MOSFET 60V 3.5Ohm
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.26 грн
25+ 64.17 грн
100+ 50.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.78 грн
25+ 57.74 грн
100+ 52.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology tp0606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 160
TP0606N3-G-P002 TP0606N3-G-P002 Microchip Technology supertex_tp0606-1181095.pdf MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.96 грн
25+ 71.23 грн
100+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP0606N3-G-P003 TP0606.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP0606N3 SUPERTEX TO-92 (транзистор)
Код товару: 48858
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
TP0606N3 TP0606N3 Microchip Technology supertex_tp0606-1181095.pdf MOSFET 60V 3.5Ohm
товар відсутній
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology tp0606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology tp0606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G TP0606N3-G Microchip Technology tp0606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY TP0606.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY TP0606.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 TP0606N3-G-P002 Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY TP0606.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY TP0606.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 TP0606N3-G-P003 Microchip Technology tp0606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 TP0606N3-G-P003 Microchip Technology TP0606.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 TP0606N3-G-P003 Microchip Technology tp0606.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 TP0606N3-G-P003 Microchip Technology supertex_tp0606-1181095.pdf MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній
TP0606N3-G TP0606N3-G.pdf
TP0606N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.08 грн
7+ 55.65 грн
18+ 46.04 грн
48+ 43.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
TP0606N3-G TP0606N3-G.pdf
TP0606N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.69 грн
5+ 69.35 грн
18+ 55.24 грн
48+ 51.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3-G 2374117.pdf
TP0606N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+76.21 грн
25+ 66.67 грн
100+ 57.12 грн
1000+ 52.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
TP0606N3-G tp0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
186+61.63 грн
250+ 59.16 грн
500+ 57.02 грн
1000+ 53.19 грн
2500+ 47.8 грн
Мінімальне замовлення: 186
TP0606N3-G supertex_tp0606-1181095.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 60V 3.5Ohm
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.26 грн
25+ 64.17 грн
100+ 50.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3-G TP0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.78 грн
25+ 57.74 грн
100+ 52.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3-G tp0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 160
TP0606N3-G-P002 supertex_tp0606-1181095.pdf
TP0606N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.96 грн
25+ 71.23 грн
100+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
TP0606N3
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP0606N3-G-P003 TP0606.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TP0606N3 supertex_tp0606-1181095.pdf
TP0606N3
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 60V 3.5Ohm
товар відсутній
TP0606N3-G tp0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G tp0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G tp0606.pdf
TP0606N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 TP0606.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 TP0606.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 TP0606.pdf
TP0606N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 TP0606.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 TP0606.pdf
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 tp0606.pdf
TP0606N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 TP0606.pdf
TP0606N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 tp0606.pdf
TP0606N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 supertex_tp0606-1181095.pdf
TP0606N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
товар відсутній