Результат пошуку "TP0606N3" : 27
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 186
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 160
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TP0606N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -320mA Pulsed drain current: -3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -320mA Pulsed drain current: -3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 718 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3-G | Microchip Technology | MOSFET 60V 3.5Ohm |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
TP0606N3 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
TP0606N3-G-P003 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
TP0606N3 SUPERTEX TO-92 (транзистор) Код товару: 48858 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||
TP0606N3 | Microchip Technology | MOSFET 60V 3.5Ohm |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P002 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -320mA Pulsed drain current: -3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P002 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -320mA Pulsed drain current: -3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P002 | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P003 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -320mA Pulsed drain current: -3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P003 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -320mA Pulsed drain current: -3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
TP0606N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
товар відсутній |
TP0606N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 68.08 грн |
7+ | 55.65 грн |
18+ | 46.04 грн |
48+ | 43.29 грн |
TP0606N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.69 грн |
5+ | 69.35 грн |
18+ | 55.24 грн |
48+ | 51.94 грн |
TP0606N3-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: MICROCHIP - TP0606N3-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 320 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 76.21 грн |
25+ | 66.67 грн |
100+ | 57.12 грн |
1000+ | 52.01 грн |
TP0606N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
186+ | 61.63 грн |
250+ | 59.16 грн |
500+ | 57.02 грн |
1000+ | 53.19 грн |
2500+ | 47.8 грн |
TP0606N3-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 60V 3.5Ohm
MOSFET 60V 3.5Ohm
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.26 грн |
25+ | 64.17 грн |
100+ | 50.92 грн |
TP0606N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.78 грн |
25+ | 57.74 грн |
100+ | 52.66 грн |
TP0606N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
160+ | 71.52 грн |
TP0606N3-G-P002 |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.96 грн |
25+ | 71.23 грн |
100+ | 55.8 грн |
TP0606N3 SUPERTEX TO-92 (транзистор) Код товару: 48858 |
товар відсутній
TP0606N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP0606N3-G-P002 |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -320mA; Idm: -3.5A; 1W; TO92
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -320mA
Pulsed drain current: -3.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товар відсутній
TP0606N3-G-P003 |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.32A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній